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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
IPA60R360CFD7XKSA1	2.8900	RFQ	6323	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R360			Mosfet (Óxido de metal)		PG-to220 Paqueto completo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						650 V	5A (TC)	10V	360mohm @ 2.9a, 10v	4.5V @ 140 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	679 pf @ 400 V	-	23W (TC)
Irfz44es	-	RFQ	9241	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfz44es	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						60 V	48a (TC)	10V	23mohm @ 29a, 10v	4V @ 250 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1360 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPB65R280C6ATMA1	-	RFQ	7671	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB65R			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						650 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 4.4a, 10V	3.5V @ 440 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 100 V	-	104W (TC)
Spp24n60cfdhksa1	-	RFQ	5529	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp24n			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						650 V	21.7a (TC)	10V	185mohm @ 15.4a, 10v	5V @ 1.2MA	143 NC @ 10 V	± 20V	3160 pf @ 25 V	-	240W (TC)
IPP084N06L3GHKSA1	-	RFQ	8326	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP084N			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000398080	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						60 V	50A (TC)	4.5V, 10V	8.4mohm @ 50A, 10V	2.2V @ 34 µA	29 NC @ 4.5 V	± 20V	4900 pf @ 30 V	-	79W (TC)
BSZ099N06LS5ATMA1	1.0000	RFQ	9	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ099			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TSDSON-8-FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						60 V	46a (TC)	4.5V, 10V	9.9mohm @ 20a, 10v	2.3V @ 14 µA	3.1 NC @ 4.5 V	± 20V	1300 pf @ 30 V	Estándar	36W (TC)
BSS7728NH6327XTSA2	0.3900	RFQ	37	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101, SIPMOS®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BSS7728			Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal						60 V	200MA (TA)	4.5V, 10V	5ohm @ 500 mA, 10V	2.3V @ 26 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	56 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
Bcx42e6433htma1	0.1152	RFQ	5602	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCX42				330 MW	PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																				125 V	800 Ma							10 µA	PNP	900mv @ 30 mA, 300 mA	40 @ 200Ma, 1V	150MHz
IRGP4069-EPBF	-	RFQ	1658	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar			268 W	Un 247ad	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001545038	EAR99	8541.29.0095	25				400V, 35a, 10ohm, 15V															Zanja	600 V	76 A	105 A	1.85V @ 15V, 35A	390 µJ (ON), 632 µJ (OFF)	104 NC	46ns/105ns
ISS17EP06LMXTSA1	0.4200	RFQ	8	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	ISS17EP06			Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P						60 V	300 mA (TA)	4.5V, 10V	1.7ohm @ 300mA, 10V	2V @ 34 µA	1.79 NC @ 10 V	± 20V	55 pf @ 30 V	-	360MW (TA)
IRFR3711TRPBF	-	RFQ	1999	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						20 V	100A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 20V	2980 pf @ 10 V	-	2.5W (TA), 120W (TC)
Bsc032n04lsatma1	1.3100	RFQ	31	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC032			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						40 V	21a (TA), 98a (TC)	4.5V, 10V	3.2mohm @ 50A, 10V	2V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 20 V	-	2.5W (TA), 52W (TC)
Auirfr48ztrl	1.4064	RFQ	7564	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Auirfr48			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001520288	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						55 V	42a (TC)	10V	11mohm @ 37a, 10v	4V @ 50 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1720 pf @ 25 V	-	91W (TC)
IRF7477	-	RFQ	7629	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7477	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal						30 V	14a (TA)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 14a, 10v	2.5V @ 250 µA	38 NC @ 4.5 V	± 20V	2710 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
AIKB15N65DF5ATMA1	3.7300	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	AIKB15	Estándar				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000				-															Escrutinio	650 V	15 A		-	-		-
IPD65R1K4CFDATMA2	0.5530	RFQ	9042	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD2	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD65R1			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						650 V	2.8a (TC)	10V	1.4ohm @ 1a, 10v	4.5V @ 100 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	262 pf @ 100 V	-	28.4W (TC)
BG5412KH6327XTSA1	-	RFQ	5673	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	8 V		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363			800MHz	Mosfet		PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		25 Ma		10 Ma	-	24db											1.1db									5 V
Bsc0403nsatma1	2.8000	RFQ	305	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC0403			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TDSON-8-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						150 V	70A (TC)	8V, 10V	11mohm @ 35a, 10	4.6V @ 91 µA	28 NC @ 10 V	± 20V	2100 pf @ 75 V	-	125W (TC)
Irlz34ns	-	RFQ	8452	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLZ34NS	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						55 V	30A (TC)	4V, 10V	35mohm @ 16a, 10v	2V @ 250 µA	25 NC @ 5 V	± 16V	880 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
IRF6635	-	RFQ	1321	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX				Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ mx	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal						30 V	32A (TA), 180A (TC)	4.5V, 10V	1.8mohm @ 32a, 10v	2.35V @ 250 µA	71 NC @ 4.5 V	± 20V	5970 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IMBG120R140M1HXTMA1	11.2700	RFQ	7948	Infineon Technologies	Coolsic ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA	IMBG120			Sicfet (CARBURO DE SILICIO)		PG-TO263-7-12	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						1200 V	18a (TC)		189mohm @ 6a, 18V	5.7V @ 2.5mA	13.4 NC @ 18 V	+18V, -15V	491 pf @ 800 V	Estándar	107W (TC)
IRF4905StrlPBF	3.1800	RFQ	46	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF4905			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P						55 V	42a (TC)	10V	20mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	3500 pf @ 25 V	-	170W (TC)
BSA223SP	-	RFQ	5979	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416				Mosfet (Óxido de metal)		PG-SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P						20 V	390MA (TA)	2.5V, 4.5V	1.2ohm @ 390mA, 4.5V	1.2V @ 1.5 µA	0.62 NC @ 4.5 V	± 12V	56 pf @ 15 V	-	250MW (TA)
IRLR024NTRPBF	1.0000	RFQ	49	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR024			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						55 V	17a (TC)	4V, 10V	65mohm @ 10a, 10v	2V @ 250 µA	15 NC @ 5 V	± 16V	480 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IRL1004SPBF	-	RFQ	2946	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRL1004			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						40 V	130A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 78a, 10v	1V @ 250 µA	100 NC @ 4.5 V	± 16V	5330 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
BSS123E6327	-	RFQ	8666	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal						100 V	170MA (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 170ma, 10v	1.8V @ 50 µA	2.67 NC @ 10 V	± 20V	69 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	3175	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto					IPC60R						-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000857792	Obsoleto	0000.00.0000	1									-
SPD04N50C3BTMA1	-	RFQ	6957	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD04N			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						560 V	4.5A (TC)	10V	950mohm @ 2.8a, 10V	3.9V @ 200 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	470 pf @ 25 V	-	50W (TC)
IPP65R280E6XKSA1	-	RFQ	9013	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP65R			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						650 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 4.4a, 10V	3.5V @ 440 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 100 V	-	104W (TC)
BSP317PH6327XTSA1	0.9600	RFQ	6132	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101, SIPMOS®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP317			Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P						250 V	430 mA (TA)	4.5V, 10V	4ohm @ 430mA, 10V	2V @ 370 µA	15.1 NC @ 10 V	± 20V	262 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²