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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Auirgp4062d1-e | 5.2766 |  | 7344 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Auirgp4062 | Estándar | 217 W | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001511102 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 24a, 10ohm, 15V | 102 ns | Zanja | 600 V | 55 A | 72 A | 1.77v @ 15V, 24a | 532 µJ (Encendido), 311 µJ (apaguado) | 77 NC | 19ns/90ns | ||||||||||||||
 | Auirf7484qtr | - | | 2059 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 14a (TA) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V @ 250 µA | 100 NC @ 7 V | ± 8V | 3520 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
 | Auirf6215s | - | | 5821 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 290mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 110W (TC) | ||||||||||||||||
 | Auirll2705 | - | | 7856 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001522936 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 55 V | 5.2a (TA) | 4V, 10V | 40mohm @ 3.8a, 10v | 2V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 16V | 870 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
| IRGS4045DTRRPBF | - | | 4316 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 77 W | D²pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 6a, 47ohm, 15V | 74 ns | - | 600 V | 12 A | 18 A | 2V @ 15V, 6a | 56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado) | 19.5 NC | 27ns/75ns | |||||||||||||||||
| Auirf4905s | 6.4600 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirf4905 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 55 V | 42a (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||
| IRGP4263PBF | - | | 5648 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 300 W | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 48a, 10ohm, 15V | - | 650 V | 90 A | 192 A | 2.1V @ 15V, 48a | 1.7MJ (Encendido), 1MJ (Apaguado) | 150 NC | 70ns/140ns | ||||||||||||||||||
| IRF9389TRPBF | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF9389 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Vecino del canal | 30V | 6.8a, 4.6a | 27mohm @ 6.8a, 10V | 2.3V @ 10 µA | 14nc @ 10V | 398pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
 | IRFB4137PBF | 5.0600 | | 941 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB4137 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001554580 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 V | 38a (TC) | 10V | 69mohm @ 24a, 10v | 5V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 5168 pf @ 50 V | - | 341W (TC) | ||||||||||||||
| IRFP4137PBF | 6.8300 | | 5247 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP4137 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 300 V | 38a (TC) | 10V | 69mohm @ 24a, 10v | 5V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 5168 pf @ 50 V | - | 341W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFH4210TRPBF | - | | 7078 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 V | 45a (TA) | 4.5V, 10V | 1.35mohm @ 50A, 10V | 2.1V @ 100 µA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 4812 pf @ 13 V | - | 3.6W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||||
 | IPU50R950CEBKMA1 | - | | 5199 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 500 V | 4.3a (TC) | 13V | 950mohm @ 1.2a, 13V | 3.5V @ 100 µA | 10.5 NC @ 10 V | ± 20V | 231 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||
| Auirfs8408 | - | | 4168 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS8408 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 195a (TC) | 10V | 1.6mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 324 NC @ 10 V | ± 20V | 10820 pf @ 25 V | - | 294W (TC) | ||||||||||||||||
| Auirfs8408-7p | - | | 7351 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | IRFS8408 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-900 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 240a (TC) | 10V | 1mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 315 NC @ 10 V | ± 20V | 10250 pf @ 25 V | - | 294W (TC) | |||||||||||||||
 | Auirfr8401 | - | | 4370 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR8401 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 4.25mohm @ 60a, 10V | 3.9V @ 50 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||
| Auirfr8401trl | 2.3700 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirfr8401 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 4.25mohm @ 60a, 10V | 3.9V @ 50 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||
| Auirfr8405trl | 2.9200 | | 2788 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirfr8405 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 1.98mohm @ 90a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5171 pf @ 25 V | - | 163W (TC) | |||||||||||||||
| IPB65R150CFDATMA1 | 2.4796 | | 6108 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R150 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 22.4a (TC) | 10V | 150mohm @ 9.3a, 10v | 4.5V @ 900 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 100 V | - | 195.3W (TC) | |||||||||||||||
| IPD65R950CFDBTMA1 | - | | 3025 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 3.9a (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 200 µA | 14.1 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 100 V | - | 36.7W (TC) | |||||||||||||||
 | IPP60R074C6XKSA1 | - | | 2606 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 57.7a (TC) | 10V | 74mohm @ 21a, 10v | 3.5V @ 1.4MA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 3020 pf @ 100 V | - | 480.8W (TC) | |||||||||||||||
| IPP65R099C6XKSA1 | - | | 6061 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 38a (TC) | 10V | 99mohm @ 12.8a, 10V | 3.5V @ 1.2MA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 2780 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRGP4266D-EPBF | - | | 4468 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 455 W | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 75a, 10ohm, 15V | 170 ns | - | 650 V | 140 A | 300 A | 2.1V @ 15V, 75a | 2.5MJ (Encendido), 2.2MJ (apagado) | 210 NC | 50ns/200ns | |||||||||||||||||
| IPB65R225C7ATMA1 | - | | 2290 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 225mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 240 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 996 pf @ 400 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||
 | IPW65R045C7FKSA1 | 15.0100 | | 8515 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R045 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 45mohm @ 24.9a, 10v | 4V @ 1.25 Ma | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 4340 pf @ 400 V | - | 227W (TC) | |||||||||||||||
| IRFB7534PBF | 2.5400 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB7534 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250 µA | 279 NC @ 10 V | ± 20V | 10034 pf @ 25 V | - | 294W (TC) | |||||||||||||||
| IRFB7537PBF | 2.2100 | | 72 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB7537 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 173A (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 150 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 7020 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||
| IRFP7530PBF | 3.6100 | | 652 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP7530 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001560520 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 6V, 10V | 2mohm @ 100a, 10v | 3.7V @ 250 µA | 411 NC @ 10 V | ± 20V | 13703 pf @ 25 V | - | 341W (TC) | ||||||||||||||
 | IRFS7534-7PPBF | - | | 4688 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001557490 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 240a (TC) | 6V, 10V | 1.95mohm @ 100a, 10v | 3.7V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 9990 pf @ 25 V | - | 290W (TC) | |||||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | 2.3100 | | 4168 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS7537 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 173A (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 150 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 7020 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | 2.3200 | | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS7540 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 110A (TC) | 6V, 10V | 5.1mohm @ 65a, 10V | 3.7V @ 100 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 4555 pf @ 25 V | - | 160W (TC) |
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