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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Bf999e6812htsa1 | - |  | 6494 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 20 V | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MHz | Mosfet | PG-SOT23 | - | Alcanzar sin afectado | 3.000 | N-canal | 16 Ma | 10 Ma | - | 27dB | 2.1db | 10 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISC036N04NM5ATMA1 | 1.2200 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC036N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 21a (TA), 98a (TC) | 7V, 10V | 3.6mohm @ 49a, 10v | 3.4V @ 23 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ISZ0804NLSATMA1 | 1.5000 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISZ0804N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-26 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 11a (TA), 58a (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 28 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 50 V | - | 2.1W (TA), 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ISC0804NLSATMA1 | 1.5700 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC0804N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 12A (TA), 59A (TC) | 4.5V, 10V | 10.9mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 28 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ISC0806NLSATMA1 | 2.6500 | | 1943 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC0806N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 16a (TA), 97a (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 50A, 10V | 2.3V @ 61 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | FP35R12N2T7B11BPSA1 | 93.5100 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP35R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 35 A | 1.6v @ 15V, 35a | 7 µA | Si | 6.62 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | FP75R12N2T7BPSA1 | 135.9400 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP75R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 1.55V @ 15V, 75a | 14 µA | Si | 15.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | FZ1800R45HL4S7BPSA1 | 4.0000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Ihm-b | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FZ1800 | 4000000 W | Estándar | AG-IHVB190 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 4500 V | 1800 A | 2.6V @ 25V, 1800A | 5 Ma | No | 297 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| Auxtmgps4070d2 | - | | 4965 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Autxmgps | - | - | Alcanzar sin afectado | 448-AUXTMGPS4070D2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF600R12ME7B11BPSA1 | - | | 8241 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF600R12 | 20 MW | Estándar | Agóndo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 600 A | 1.75V @ 15V, 600A | 35 µA | Si | 92 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R018CFD7XKSA1 | 24.9500 | | 9651 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 106a (TC) | 10V | 18mohm @ 58.2a, 10v | 4.5V @ 2.91mA | 234 NC @ 10 V | ± 20V | 11659 pf @ 400 V | - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| BSC0906NSE8189ATMA1 | - | | 7728 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-34 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 18A (TA), 63A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IPI032N06N3GE8214AKSA1 | - | | 6516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI032N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 3.2mohm @ 100a, 10V | 4V @ 118 µA | 165 nc @ 10 V | ± 20V | 13000 pf @ 30 V | - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IGC08T65U12QX7SA1 | - | | 9953 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FD401R17KF6CB2NOSA1 | 742.3500 | | 28 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-FD401R17KF6CB2NOSA1-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SP000681054 | 1.6300 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-SP000681054-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPS70R2K0CEE8211AKMA1 | 0.2300 | | 40 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-ips70r2k0cee8211akma1-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF300R08W2P2B11ABOMA1 | 89.8700 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF300R08 | 20 MW | Estándar | Ag-Easy2B-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 2 Independientes | - | 750 V | 200 A | 1.18V @ 15V, 200a | 1 MA | Si | 53 NF @ 50 V | ||||||||||||||||||||||||||
| FS50R12KT3BOSA1 | 67.3700 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FS50R12KT3BOSA1-448 | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZ1500R33HL3BPSA3 | 1.0000 | | 35 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FZ1500R33HL3BPSA3-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKFW50N65DH5XKSA1 | - | | 2623 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-IKFW50N65DH5XKSA1-448 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISP20EP10LMXTSA1 | 0.7900 | | 7724 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP20E | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 650MA (TA), 990MA (TC) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 600mA, 10V | 2V @ 78 µA | 3.5 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 50 V | - | 1.8W (TA), 4.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Ipd11dp10nmatma1 | 1.8500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD11D | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 3.4a (TA), 22a (TC) | 10V | 111mohm @ 18a, 10v | 4V @ 1.7MA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IST011N06NM5AUMA1 | 6.2100 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | Ist011n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 38a (TA), 399A (TC) | 6V, 10V | 1.1mohm @ 100a, 10v | 3.3V @ 148 µA | 154 NC @ 10 V | ± 20V | 8100 pf @ 30 V | - | 3.8W (TA), 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ISC022N10NM6ATMA1 | 5.0900 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC022N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSON-8-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 25A (TA), 230A (TC) | 8V, 10V | 2.24mohm @ 50A, 10V | 3.3V @ 147 µA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 6880 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 254W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IST019N08NM5AUMA1 | 4.4700 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | Ist019n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 32A (TA), 290A (TC) | 6V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 148 µA | 132 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ISC027N10NM6ATMA1 | 4.0800 | | 6757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC027N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-ISC027N10NM6ATMA1CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 23a (TA), 192a (TC) | 8V, 10V | 2.7mohm @ 50A, 10V | 3.3V @ 116 µA | 72.5 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 217W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Ipb330p10nmatma1 | 5.4700 | | 762 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB330P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 6.9a (TA), 62a (TC) | 10V | 33mohm @ 53a, 10v | 4V @ 5.55 Ma | 236 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ISP98DP10LMXTSA1 | 0.8200 | | 9168 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP98D | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 930MA (TA), 1.55A (TC) | 4.5V, 10V | 980mohm @ 900 mA, 10V | 2V @ 165 µA | 7.2 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 50 V | - | 1.8W (TA), 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ISC030N10NM6ATMA1 | 3.4200 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC030N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 21a (TA), 179A (TC) | 8V, 10V | 3mohm @ 50a, 10v | 3.3V @ 109 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 5200 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 208W (TC) |
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