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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP085N06LGAKSA1 | 0.7800 |  | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP085N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 8.5mohm @ 80a. 10V | 2V @ 125 µA | 104 NC @ 10 V | 3500 pf @ 30 V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | IKw30n65et7xksa1 | 4.6900 | | 7479 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ikw30n65 | Estándar | 188 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | 80 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 30 A | 90 A | 1.65V @ 15V, 30a | 590 µJ (Encendido), 500 µJ (apagado) | 180 NC | 20ns/245ns | |||||||||||||||||||
 | FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | 359.1000 | | 2746 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF08MR12 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW (TC) | Ag-Easy1bm-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 Canal N (Dual) | 1200V (1.2kv) | 150A (TJ) | 9.8mohm @ 150a, 15V | 5.55V @ 90 Ma | 450nc @ 15V | 16000PF @ 600V | - | |||||||||||||||||||||
 | IPW65R099CFD7AXKSA1 | 8.5000 | | 2996 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ CFD7A | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R099 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 99mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 630 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2513 pf @ 400 V | - | 127W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPT60R090CFD7XTMA1 | 7.2700 | | 9706 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPT60R090 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 90mohm @ 9.3a, 10v | 4.5V @ 470 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1752 pf @ 400 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPT60R105CFD7XTMA1 | 5.9900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPT60R105 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 105mohm @ 7.8a, 10v | 4.5V @ 390 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1503 pf @ 400 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPLK60R600PFD7ATMA1 | 1.5500 | | 4224 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ PFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IPlk60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-52 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 1.7a, 10V | 4.5V @ 80 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 20V | 344 pf @ 400 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||
| Ikw20n65et7xksa1 | 4.0500 | | 7001 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ikw20n65 | Estándar | 136 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20a, 12ohm, 15V | 70 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 40 A | 60 A | 1.65V @ 15V, 20a | 360 µJ (Encendido), 360 µJ (apaguado) | 128 NC | 16ns/210ns | |||||||||||||||||||
 | IRFI4212H-117PXKMA1 | 2.3200 | | 1941 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-5 Paqueto completamente, Pechos Formados | Irfi4212 | Mosfet (Óxido de metal) | 18W (TC) | Un entero de 220-5 pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 11a (TC) | 72.5mohm @ 6.6a, 10v | 5V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 490pf @ 50V | - | |||||||||||||||||||||
 | FZ1600R12HP4NPSA1 | 634.3000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 1650 W | Estándar | AG-IHMB130-2-1 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Interruptor Único | Zanja | 1200 V | 2400 A | - | 5 Ma | No | 18.5 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
| BSC019N04NSG | - | | 1784 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | - | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 V | 29a (TA), 204A (TC) | 10V | 1.9mohm @ 50A, 10V | 4V @ 85 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 8800 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| FD200R12KE3S1HOSA1 | - | | 9806 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3710PBF 101D324.1 750 | - | | 8141 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R190C7 | - | | 9446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 650 V | 13a (TC) | 10V | 190mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 290 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 400 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPI65R310CFDXKSA1700 | - | | 1215 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 11.4a (TC) | 10V | 310mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 440 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 100 V | - | 104.2W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BSO203ph | 0.6100 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO203 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.6w (TA) | PG-dso-8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 7a (TA) | 21mohm @ 8.2a, 4.5V | 1.2V @ 50 µA | 39NC @ 4.5V | 3750pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | IPP65R280C6 | - | | 4893 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 650 V | 13.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 4.4a, 10V | 3.5V @ 440 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IPA65R280C6 | 1.0000 | | 5174 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to20-3-111 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 650 V | 13.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 4.4a, 10V | 3.5V @ 440 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IPP048N04NG | - | | 9166 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos® 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 40 V | 70A (TC) | 10V | 4.8mohm @ 70a, 10v | 4V @ 200 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 3300 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IAUC100N04S6L020ATMA1 | 1.3500 | | 4164 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.04mohm @ 50A, 10V | 2V @ 32 µA | 46 NC @ 10 V | ± 16V | 2744 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IAUC60N04S6N050HATMA1 | 1.6000 | | 4254 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IAUC60 | Mosfet (Óxido de metal) | 52W (TC) | PG-TDSON-8-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | 60A (TJ) | 5mohm @ 30a, 10v | 3V @ 13µA | 17NC @ 10V | 1027pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
| IAUC60N04S6L045HATMA1 | 2.0500 | | 29 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IAUC60 | Mosfet (Óxido de metal) | 52W (TC) | PG-TDSON-8-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | 60A (TJ) | 4.5mohm @ 30a, 10V | 2V @ 13 µA | 19NC @ 10V | 1136pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
 | IKD08N65ET6arma1 | 1.9900 | | 9855 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ikd08n65 | Estándar | 47 W | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 5A, 47OHM, 15V | 43 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 15 A | 25 A | 1.9V @ 15V, 5A | 110 µJ (Encendido), 40 µJ (apaguado) | 17 NC | 20ns/59ns | |||||||||||||||||||
| IKD06N65ET6arma1 | 1.5800 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ikd06n65 | Estándar | 31 W | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IKD06N65ET6arma1CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 3a, 47ohm, 15V | 30 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 9 A | 18 A | 1.9V @ 15V, 3a | 60 µJ (Encendido), 30 µJ (apaguado) | 13.7 NC | 15ns/35ns | ||||||||||||||||||
| IAUC100N04S6N028ATMA1 | 1.1700 | | 17 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 7V, 10V | 2.86mohm @ 50A, 10V | 3V @ 24 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1781 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IAUC80N04S6L032ATMA1 | 1.0500 | | 8277 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC80 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 3.29mohm @ 40a, 10v | 2V @ 18 µA | 25 NC @ 10 V | ± 16V | 1515 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRF150P221AKMA1 | 7.9000 | | 181 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 150 V | 186a (TC) | 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 4.6V @ 264 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 341W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPP60R600P6 | - | | 2466 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 4.5V @ 200 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 557 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| BSM100GB120DN2K | - | | 6727 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | BSM100 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rf3710pbf | 1.0000 | | 3283 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 |
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