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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR3504PBF | - |  | 9281 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N-canal | 40 V | 30A (TC) | 10V | 9.2mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 2150 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||
 | IRF6621TRPBF | - | | 1547 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SQ | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sq | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 V | 12A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 12a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 17.5 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1460 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||
 | BSC047N08NS3GATMA1 | 3.1000 | | 416 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC047 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 18a (TA), 100a (TC) | 6V, 10V | 4.7mohm @ 50A, 10V | 3.5V @ 90 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||
 | IPI60R280C6XKSA1 | - | | 5137 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI60R280 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 13.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10v | 3.5V @ 430 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||||||
 | IRF6603 | - | | 4117 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico Mt | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mt | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 V | 27a (TA), 92a (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 4.5 V | +20V, -12V | 6590 pf @ 15 V | - | 3.6W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||
 | DF23MR12W1M1B67BPSA1 | - | | 5829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | DF23MR12 | - | - | Obsoleto | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 64-2092PBF | - | | 3805 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF3205 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||||||||||
 | BSR92PL6327HTSA1 | - | | 3207 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSR92 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SC59-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 250 V | 140MA (TA) | 2.8V, 10V | 11ohm @ 140mA, 10V | 1V @ 130 µA | 4.8 NC @ 10 V | ± 20V | 109 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||
| BSC440N10NS3GATMA1 | 0.8900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC440 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 5.3a (TA), 18a (TC) | 6V, 10V | 44mohm @ 12a, 10v | 3.5V @ 12 µA | 10.8 NC @ 10 V | ± 20V | 810 pf @ 50 V | - | 29W (TC) | ||||||||||||
| IPB015N04NGATMA1 | 4.5100 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB015 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 1.5mohm @ 100a, 10v | 4V @ 200 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 20000 pf @ 20 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
 | IPD50N06S2-14 | - | | 6575 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 127 | N-canal | 55 V | 50A (TC) | 10V | 14.4mohm @ 32a, 10v | 4V @ 80 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 1485 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||||
| IRF6674TR1PBF | - | | 1678 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MZ | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mz | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 13.4a (TA), 67a (TC) | 10V | 11mohm @ 13.4a, 10v | 4.9V @ 100 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 3.6W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||
 | IRF6620TRPBF | 1.5600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MX | IRF6620 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mx | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 V | 27a (TA), 150a (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 27a, 10v | 2.45V @ 250 µA | 42 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4130 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||
 | Auirfsl6535 | - | | 4875 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-901 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 300 V | 19a (TC) | 10V | 185mohm @ 11a, 10v | 5V @ 150 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 25 V | - | 210W (TC) | |||||||||||||
| IPD60N10S4L12ATMA1 | 1.8700 | | 73 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60N10 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 60a, 10V | 2.1V @ 46 µA | 49 NC @ 10 V | ± 16V | 3170 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||
| IRF3205Strr | - | | 9591 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 110A (TC) | 10V | 8mohm @ 62a, 10v | 4V @ 250 µA | 146 NC @ 10 V | ± 20V | 3247 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||
 | IPP80P03P4L04AKSA1 | 3.1200 | | 2959 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80P03 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 80a, 10v | 2V @ 253 µA | 160 NC @ 10 V | +5V, -16V | 11300 pf @ 25 V | - | 137W (TC) | ||||||||||||
| SPP03N60C3XKSA1 | - | | 3151 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp03n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 3.2a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 3.9V @ 135 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||
| IPB034N03LGATMA1 | - | | 9919 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB034 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 15 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||
 | IPW60R060C7XKSA1 | 10.8500 | | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW60R060 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001385020 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 35A (TC) | 10V | 60mohm @ 15.9a, 10v | 4V @ 800 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 2850 pf @ 400 V | - | 162W (TC) | |||||||||||
| Auirfs8408-7trr | - | | 3357 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | IRFS8408 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-900 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 240a (TC) | 10V | 1mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 315 NC @ 10 V | ± 20V | 10250 pf @ 25 V | - | 294W (TC) | |||||||||||||
 | IRF7509TR | - | | 7299 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | IRF7509 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | Micro8 ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Vecino del canal | 30V | 2.7a, 2a | 110mohm @ 1.4a, 10V | 1V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 210pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||
| SPI80N03S2L-04 | - | | 4224 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Spi80n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 80a, 10v | 2V @ 130 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||
 | Auirf1324wl | 11.1800 | | 2650 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Cables de Ancho | Auirf1324 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 de ancho | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 24 V | 240a (TC) | 10V | 1.3mohm @ 195a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 7630 pf @ 19 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | FZ1000R33HE3BPSA1 | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Ihm-b | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FZ1000 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Interruptor Único | Parada de Campo de Trinchera | 3300 V | 1000 A | 3.1V @ 15V, 100A | 5 Ma | No | 190 NF @ 25 V | |||||||||||||||
 | IRLU7821 | - | | 4216 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 65a (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 15a, 10v | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1030 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||
| IRF1010ZSPBF | - | | 6275 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||
| IRFR3103TR | - | | 4923 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 400 V | 1.7a (TA) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||
| Bsc100n10nsfgatma1 | 2.3900 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 11.4a (TA), 90A (TC) | 10V | 10mohm @ 25A, 10V | 4V @ 110 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 50 V | - | 156W (TC) | ||||||||||||
| IRFR13N20DCTRRP | - | | 3574 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 13a (TC) | 10V | 235mohm @ 8a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 830 pf @ 25 V | - | 110W (TC) |
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