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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPI12N50C3XKSA1 | - |  | 7247 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | SPI12N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 560 V | 11.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRF9393TRPBF | 0.6400 | | 33 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF9393 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 9.2a (TA) | 10V, 20V | 13.3mohm @ 9.2a, 20V | 2.4V @ 25 µA | 38 NC @ 10 V | ± 25V | 1110 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | IPA50R190CEXKSA2 | 2.3700 | | 490 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA50R190 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 18.5A (TC) | 13V | 190mohm @ 6.2a, 13V | 3.5V @ 510 µA | 47.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1137 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IAUC60N04S6N031HATMA1 | 2.5900 | | 5217 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IAUC60 | Mosfet (Óxido de metal) | 75W (TC) | PG-TDSON-8-56 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | 60A (TJ) | 3.1mohm @ 30a, 10v | 3V @ 25 µA | 30NC @ 10V | 1922pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||
 | Auirfz44zs | - | | 1858 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 51a (TC) | 10V | 13.9mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1420 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRF7607TRPBF | - | | 6153 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | IRF7607 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro8 ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 20 V | 6.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 30mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 22 NC @ 5 V | ± 12V | 1310 pf @ 15 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||
 | SPB160N04S2L03DTMA1 | - | | 5329 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | SPB160N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 160A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 80a, 10v | 2V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 8000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Irfu7740pbf | - | | 2429 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU7740 | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001573600 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 87a (TC) | 6V, 10V | 7.2mohm @ 52a, 10v | 3.7V @ 100 µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 4430 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPSH6N03LA G | - | | 1103 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Ipsh6n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 50A, 10V | 2V @ 30 µA | 19 NC @ 5 V | ± 20V | 2390 pf @ 15 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPB45N06S409ATMA2 | - | | 4662 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB45N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 10V | 9.4mohm @ 45a, 10v | 4V @ 34 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 3785 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IRFHM8228TRPBF | - | | 4300 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 V | 19a (TA) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 20a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1667 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 34W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IPAW60R280P7SE8228XKSA1 | 0.9364 | | 6630 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Ipaw60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 280mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 190 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 761 pf @ 400 V | - | 24W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPA80R1K2P7XKSA1 | 1.5800 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA80R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.7a, 10v | 3.5V @ 80 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 500 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Bsc0923ndiatma1 | 1.5800 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC0923 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | PG-TISON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 30V | 17a, 32a | 5mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | 1160pf @ 15V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | |||||||||||||||||||||||
 | IRFHM792TRPBF | - | | 8591 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Irfhm792 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.3w | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 2.3a | 195mohm @ 2.9a, 10v | 4V @ 10 µA | 6.3nc @ 10V | 251pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||
| IRF7379 | - | | 2239 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF737 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7379 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Vecino del canal | 30V | 5.8a, 4.3a | 45mohm @ 5.8a, 10v | 1V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 520pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||
| SPI07N60S5HKSA1 | - | | 7945 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Spi07n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 5.5V @ 350 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Auirf2805 | - | | 1797 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 4.7mohm @ 104a, 10v | 4V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 5110 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Bsc014n04lsiatma1 | 3.0700 | | 91 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC014 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 31a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 1.45mohm @ 50A, 10V | 2V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||||||
| Auirf1405zs-7trl | 2.5748 | | 1139 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | Auirf1405 | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 120a (TC) | 10V | 4.9mohm @ 88a, 10v | 4V @ 150 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 5360 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | BUZ73L | - | | 2486 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 7a (TC) | 5V | 400mohm @ 3.5a, 5V | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 840 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | SIGC07T60SNCX1SA3 | - | | 2589 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC07 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | 400V, 6a, 50ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 6 A | 18 A | 2.5V @ 15V, 6a | - | 24ns/248ns | |||||||||||||||||||||||||
 | Bcp49h6419xtma1 | - | | 4447 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BCP49 | 1.5 W | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BCW 66G E6327 | - | | 8911 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW 66 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 800 Ma | 20NA (ICBO) | NPN | 450mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | SPA08N50C3XKAS1 | 1.0000 | | 4176 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to20-3-111 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 560 V | 7.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IPP50R299CPHKSA1 | - | | 7879 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000236070 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 550 V | 12a (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPD60R650CEAUMA1 | 0.4450 | | 7453 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-344 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 9.9a (TC) | 10V | 650mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 20.5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 82W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | BFR181WH6327XTSA1 | 0.4100 | | 104 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BFR181 | 175MW | PG-SOT323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 19dB | 12V | 20 Ma | NPN | 70 @ 5mA, 8V | 8GHz | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||
 | IKWH50N65WR6XKSA1 | 5.0100 | | 238 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 WR6 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ikwh50n | Estándar | 205 W | PG-TO247-3-32 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 22ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 85 A | 150 A | 1.85V @ 15V, 50A | 1.5MJ (Encendido), 730 µJ (apaguado) | 144 NC | 40NS/351NS | ||||||||||||||||||||||
 | IKWH60N65WR6XKSA1 | 5.1200 | | 474 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 WR6 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ikwh60n | Estándar | 240 W | PG-TO247-3-32 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60A, 15ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 100 A | 180 A | 1.85V @ 15V, 60A | 1.82MJ (Encendido), 850 µJ (apaguado) | 174 NC | 35NS/311NS |
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