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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FP75R07N2E4B16BOSA1 | - |  | 2818 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP75R07 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 95 A | 1.95V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.6 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| IAUC40N08S5L140ATMA1 | 0.5310 | | 5402 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-33 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10v | 2V @ 15 µA | 18.6 NC @ 10 V | ± 20V | 1078 pf @ 40 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||
| MA15037577NDSA1 | - | | 6738 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 448-MA15037577NDSA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6ms24017e33w32780nosa1 | - | | 7446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 448-6ms24017e33w32780nosa1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MA13039695NDSA1 | - | | 5492 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 448-ma13039695ndsa1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6PS04012E4DG36022NOSA1 | - | | 8978 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primestack ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Módulo | Estándar | - | descascar | Alcanzar sin afectado | 448-6PS04012E4DG36022NOSA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de puente entero | - | 3600 V | 306 A | 2.05V @ 15V, 200a | No | |||||||||||||||||||||||||
| SIGC42T120CQX1SA1 | - | | 1358 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC42T120 | Estándar | Morir | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | - | 1200 V | 75 A | 2.1V @ 15V, 25A | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R230CFD7AXKSA1 | 4.1200 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 230mohm @ 5.2a, 10V | 4.5V @ 260 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1044 pf @ 400 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IMW120R020M1HXKSA1 | 35.6200 | | 298 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 98a (TC) | 15V, 18V | 26.9mohm @ 41a, 18V | 5.2V @ 17.6MA | 83 NC @ 18 V | +20V, -5V | 3460 NF @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IMZA120R020M1HXKSA1 | 37.7400 | | 7572 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO247-4-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 98a (TC) | 15V, 18V | 26.9mohm @ 41a, 18V | 5.2V @ 17.6MA | 83 NC @ 18 V | +20V, -5V | 3460 NF @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
| FP75R12N2T7BPSA2 | 179.7800 | | 8656 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP75R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 1.55V @ 15V, 75a | 14 µA | Si | 15.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
 | IAUA250N04S6N007EUMA1 | 3.2700 | | 1437 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5-Powersfn | IAUA250 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-5-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 435a (TJ) | 7V, 10V | 0.7ohm @ 100a, 10v | 3V @ 130 µA | 151 NC @ 10 V | ± 20V | 9898 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||
| FS75R12W2T4PB11BPSA1 | 82.2150 | | 7986 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IWM023N08NM5XUMA1 | 2.5200 | | 1298 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 4.800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF225R17ME7B11BPSA1 | 213.2900 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3, Trenchstop ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF225R17 | 20 MW | Estándar | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 225 A | 1.85V @ 15V, 225a | 5 Ma | Si | 22.9 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| Auirfu8403-701trl | - | | 5764 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-21 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 76a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 99 NC @ 10 V | ± 20V | 3171 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | IPP040N06NF2SAKMA1 | 1.3400 | | 366 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 6V, 10V | 4mohm @ 80a, 10v | 3.3V @ 50 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 3375 pf @ 30 V | - | 3W (TA), 107W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRFB5615PBFXKMA1 | - | | 5367 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFB5615PBFXKMA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 150 V | 35A (TC) | 10V | 39mohm @ 21a, 10v | 5V @ 100 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1750 pf @ 50 V | - | 144W (TC) | |||||||||||||||||||
| F3L200R12W2H3BOMA1 | 81.1300 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-F3L200R12W2H3BOMA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSM300GA160DN13CB7HOSA1 | 129.6500 | | 74 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | BSM300 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-BSM300GA160DN13CB7HOSA1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | - | | 4273 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 3.3mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 9400 pf @ 50 V | - | 340W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IM241S6T2BAKMA1 | 10.0600 | | 719 | 0.00000000 | Infineon Technologies | IM241, CIPOS ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | IM241S6 | 9 W | Estándar | 23-dip | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | - | 600 V | 1.78V @ 15V, 500 Ma | Si | ||||||||||||||||||||||||
 | IM241S6S1JAUMA1 | 10.3800 | | 341 | 0.00000000 | Infineon Technologies | IM241, CIPOS ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 23-Powersmd, Ala de la Gaviota | IM241S6 | 9 W | Estándar | 23-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Inversor trifásico | - | 600 V | 1.78V @ 15V, 500 Ma | Si | |||||||||||||||||||||||
| IHW30N110R5XKSA1 | 4.8000 | | 228 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 330 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 60 A | 90 A | 1.85V @ 15V, 30a | - | 240 NC | -/350ns | |||||||||||||||||||||
 | FP150R12N3T7PB11BPSA1 | 380.4800 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Econo3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor trifásico con freno | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 150 A | 1.8v @ 15V, 150a | 12 µA | Si | 30.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
 | FS150R12N2T7B15BPSA1 | 233.9900 | | 13 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS150R12 | 20 MW | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de puente entero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 150 A | 1.8v @ 15V, 150a | 12 µA | Si | 30.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
 | FF750R17ME7DB11BPSA1 | 545.7600 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 20 MW | Estándar | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor de Medio Puente | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 750 A | 1.85V @ 15V, 750A | 5 Ma | Si | 78.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
 | ISZ106N12LM6ATMA1 | 1.9900 | | 3992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISZ106 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8 FL | - | 1 (ilimitado) | 5,000 | N-canal | 120 V | 10a (TA), 62a (TC) | 3.3V, 10V | 10.6mohm @ 28a, 10v | 2.2V @ 35 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 60 V | - | 2.5W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | ISC104N12LM6ATMA1 | 2.0900 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC104 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | - | 1 (ilimitado) | 5,000 | N-canal | 120 V | 11a (TA), 63A (TC) | 3.3V, 10V | 10.4mohm @ 28a, 10v | 2.2V @ 35 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 60 V | - | 3W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Iqe046n08lm5scatma1 | 2.9900 | | 1267 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | IQE046 | Mosfet (Óxido de metal) | Pg-whson-8 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 15.6a (TA), 99a (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 47 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 3250 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 100W (TC) |
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