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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB108N15N3GATMA1 | 5.1900 |  | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB108 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 83A (TC) | 8V, 10V | 10.8mohm @ 83a, 10v | 4V @ 160 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3230 pf @ 75 V | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPB60R055CFD7ATMA1 | 8.4200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R055 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 55mohm @ 18a, 10v | 4.5V @ 900 µA | 79 NC @ 10 V | ± 20V | 3194 pf @ 400 V | - | 178W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRFR120NTRLPBF | 0.9800 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 9.4a (TC) | 10V | 210mohm @ 5.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPA60R125CPXKSA1 | 4.5588 | | 5027 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 16A, 10V | 3.5V @ 1.1MA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRF3709ZCSTRR | - | | 8210 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 87a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2130 pf @ 15 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IRF7807A | - | | 1942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7807A | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 8.3a (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | 64-0007 | - | | 2367 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 150mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1160 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Bsg0810ndiatma1 | 3.2500 | | 3148 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSG0810 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | PG-TISON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 25V | 19a, 39a | 3mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 8.4nc @ 4.5V | 1040pf @ 12V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | |||||||||||||||||||||
| IRL3502STRPBF | - | | 1241 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 110A (TC) | 4.5V, 7V | 7mohm @ 64a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 110 NC @ 4.5 V | ± 10V | 4700 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Irfu1010z | - | | 1884 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu1010z | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 10V | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPN80R3K3P7ATMA1 | 0.9600 | | 1990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | IPN80R3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 1.9a (TC) | 10V | 3.3ohm @ 590mA, 10V | 3.5V @ 30 µA | 5.8 NC @ 10 V | ± 20V | 120 pf @ 500 V | - | 6.1W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRF7504TR | - | | 7810 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | IRF7504 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | Micro8 ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.7a | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 8.2NC @ 4.5V | 240pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
 | ISC011N03L5SATMA1 | 1.4600 | | 14 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC011 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 37a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 1.1mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 4700 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPP60R190C6XKSA1 | 3.7100 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R190 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 20.2a (TC) | 10V | 190mohm @ 9.5a, 10V | 3.5V @ 630 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Bcv62ae6327htsa1 | 0.4400 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BCV62 | 300MW | PG-SOT-143-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||
 | BSS138N E8004 | - | | 5842 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 60 V | 230 mA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 230 mm, 10V | 1.4V @ 250 µA | 1.4 NC @ 10 V | ± 20V | 41 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||
| IRF3710Strr | - | | 4742 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 57a (TC) | 10V | 23mohm @ 28a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 3130 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Bso301spntma1 | - | | 6625 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 12.6a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 14.9a, 10v | 2V @ 250 µA | 136 NC @ 10 V | ± 20V | 5890 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | PTFA070601EV4R250XTMA1 | - | | 2309 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | H-36265-2 | PTFA070601 | 760MHz | Ldmos | H-36265-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.21.0095 | 250 | - | 600 mA | 60W | 19.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
| IRF3515Strl | - | | 2595 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 41a (TC) | 10V | 45mohm @ 25A, 10V | 4.5V @ 250 µA | 107 NC @ 10 V | ± 30V | 2260 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRL783333Strpbf | - | | 9027 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001558120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 38a, 10V | 2.3V @ 250 µA | 47 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4170 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRF8915TRPBF | - | | 4164 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF89 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 8.9A | 18.3mohm @ 8.9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 7.4nc @ 4.5V | 540pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
| IRFR6215TRPBF | - | | 7483 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR6215 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRL3303L | - | | 5852 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3303L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 20a, 10v | 1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 16V | 870 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRFR3704TRPBF | - | | 4721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 75A (TC) | 10V | 9.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1996 pf @ 10 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||
| IRFB23N15DPBF | - | | 8840 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 23a (TC) | 10V | 90mohm @ 14a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 136W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | FS45MR12W1M1B11BOMA1 | 143.2300 | | 114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS45MR12 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW (TC) | Ag-Easy1bm-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001686600 | EAR99 | 8541.21.0095 | 24 | 6 Canal N (Puente 3 Formas) | 1200V (1.2kv) | 25A (TJ) | 45mohm @ 25A, 15V (typ) | 5.55V @ 10mA | 62NC @ 15V | 1840pf @ 800V | - | ||||||||||||||||||||
 | Auirf4905l | - | | 3083 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 262 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001521094 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 55 V | 42a (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRF7807VD2TR | - | | 5994 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 8.3a (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
| IPD80R1K4CEATMA1 | 1.5800 | | 7369 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD80R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 V | 3.9a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.3a, 10v | 3.9V @ 240 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 100 V | - | 63W (TC) |
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