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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa
IRF7350TRPBF	-	RFQ	4854	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7350			Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	Vecino del canal							100V	2.1a, 1.5a		210mohm @ 2.1a, 10v	4V @ 250 µA	28NC @ 10V		380pf @ 25V	-
IRFH5250TRPBF	1.8000	RFQ	7	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IRFH5250			Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						25 V	45A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	1.15mohm @ 50A, 10V	2.35V @ 150 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	7174 pf @ 13 V	-	3.6W (TA), 160W (TC)
IRFTS8342TRPBF	0.5900	RFQ	4252	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-23-6	Irfts8342			Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						30 V	8.2a (TA)	4.5V, 10V	19mohm @ 8.2a, 10v	2.35V @ 25 µA	4.8 NC @ 4.5 V	± 20V	560 pf @ 25 V	-	2W (TA)
IRF100B201	2.9700	RFQ	3540	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF100			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						100 V	192a (TC)	10V	4.2mohm @ 115a, 10V	4V @ 250 µA	255 nc @ 10 V	± 20V	9500 pf @ 50 V	-	441W (TC)
IPP80P04P4L06AKSA1	-	RFQ	8678	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80P			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		Canal P						40 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6.7mohm @ 80a, 10v	2.2V @ 150 µA	104 NC @ 10 V	+5V, -16V	6580 pf @ 25 V	-	88W (TC)
PTFA091201FV4R250XTMA1	-	RFQ	5468	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA091201		960MHz	Ldmos		H-37248-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	250			10 µA		750 Ma	110W	19dB											-									28 V
IRFR220NCPBF	-	RFQ	9657	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR220			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						200 V	5A (TA)	10V	600mohm @ 2.9a, 10V	4V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	43W (TC)
IRL3103D2STRL	-	RFQ	8624	Infineon Technologies	Fetky ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						30 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 32a, 10v	-	44 NC @ 4.5 V	± 16V	2300 pf @ 25 V	-	-
IHW30N135R5XKSA1	4.7700	RFQ	122	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IHW30N135	Estándar			330 W	PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50				600V, 30a, 10ohm, 15V															Parada de Campo de Trinchera	1350 V	60 A	90 A	1.95V @ 15V, 30a	1.4mj (apaguado)	235 NC	-/310ns
IRL3103333STRL	-	RFQ	4512	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001573698	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						30 V	64a (TC)	4.5V, 10V	12mohm @ 34a, 10v	1V @ 250 µA	33 NC @ 4.5 V	± 16V	1650 pf @ 25 V	-	94W (TC)
IRF3710SPBF	-	RFQ	6453	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						100 V	57a (TC)	10V	23mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3130 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRF6215S	-	RFQ	7335	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal P						150 V	13a (TC)	10V	290mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 110W (TC)
IRF7842TR	-	RFQ	8215	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						40 V	18a (TA)	4.5V, 10V	5mohm @ 17a, 10v	2.25V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 20V	4500 pf @ 20 V	-	2.5W (TA)
Auirfs8407-7trl	4.2900	RFQ	800	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	Auirf8407			Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (7-LEAD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						40 V	240a (TC)	10V	1.3mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 150 µA	225 NC @ 10 V	± 20V	7437 pf @ 25 V	-	231W (TC)
Auirls8409-7p	-	RFQ	7052	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	Auirls8409			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001521838	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						40 V	240a (TC)	4.5V, 10V	0.75mohm @ 100a, 10V	2.4V @ 250 µA	266 NC @ 4.5 V	± 16V	16488 pf @ 25 V	-	375W (TC)
IRF2807ZLPBF	-	RFQ	6876	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						75 V	75A (TC)	10V	9.4mohm @ 53a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3270 pf @ 25 V	-	170W (TC)
IRLR8103VTRLPBF	-	RFQ	3821	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001558542	EAR99	8541.29.0095	6,000		N-canal						30 V	91a (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	27 NC @ 5 V	± 20V	2672 pf @ 16 V	-	115W (TC)
IRL3715Strl	-	RFQ	2559	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)
IPD90N04S4L04ATMA1	1.6000	RFQ	4510	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3-313	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						40 V	90A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 90a, 10v	2.2V @ 35 µA	60 NC @ 10 V	+20V, -16V	4690 pf @ 25 V	-	71W (TC)
Irfp150n	-	RFQ	7536	Infineon Technologies	Hexfet®	Bolsa	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3				Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25		N-canal						100 V	42a (TC)	10V	36mohm @ 23a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	160W (TC)
IRL3715ZS	-	RFQ	2628	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3715ZS	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						20 V	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	870 pf @ 10 V	-	45W (TC)
IPD06N03LA G	-	RFQ	2751	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD06N			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						25 V	50A (TC)	4.5V, 10V	5.7mohm @ 30a, 10V	2V @ 40 µA	22 NC @ 5 V	± 20V	2653 pf @ 15 V	-	83W (TC)
IPS105N03LGAKMA1	-	RFQ	5374	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak				Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO251-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal						30 V	35A (TC)	4.5V, 10V	10.5mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 15 V	-	38W (TC)
IRFS4310TRPBF	-	RFQ	4598	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001557384	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						100 V	130A (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	250 nc @ 10 V	± 20V	7670 pf @ 50 V	-	300W (TC)
IPI60R165CPXKSA1	5.9500	RFQ	500	Infineon Technologies	Coolmos®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI60R165			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	500		N-canal						600 V	21a (TC)	10V	165mohm @ 12a, 10v	3.5V @ 790 µA	52 NC @ 10 V	± 20V	2000 pf @ 100 V	-	192W (TC)
Auirfl014ntr	-	RFQ	7086	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001521554	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						55 V	1.5a (TA)	10V	160mohm @ 1.9a, 10v	4V @ 250 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	190 pf @ 25 V	-	1W (TA)
IRLH5030TRPBF	2.5300	RFQ	4	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IRLH5030			Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						100 V	13A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 50A, 10V	2.5V @ 150 µA	94 NC @ 10 V	± 16V	5185 pf @ 50 V	-	3.6W (TA), 156W (TC)
Auirf7303q	-	RFQ	5128	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Auirf7103			Mosfet (Óxido de metal)	2.4w	8-Soico	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001517242	EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)							30V	5.3a		50mohm @ 2.7a, 10v	3V @ 100 µA	21NC @ 10V		515pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
PTFB192557SHV1XWSA1	-	RFQ	4707	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	H-34288G-4/2			1.99 GHz	Ldmos		H-34288G-4/2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001028952	Obsoleto	0000.00.0000	1			-		1.35 A	60W	19dB											-									28 V
Irfp3710pbf	3.5200	RFQ	21	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP3710			Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25		N-canal						100 V	57a (TC)	10V	25mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	190 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	200W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²