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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
IRF3710SPBF	-	RFQ	6453	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					100 V	57a (TC)	10V	23mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3130 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRF6215S	-	RFQ	7335	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal P					150 V	13a (TC)	10V	290mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 110W (TC)
IRF7842TR	-	RFQ	8215	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal					40 V	18a (TA)	4.5V, 10V	5mohm @ 17a, 10v	2.25V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 20V	4500 pf @ 20 V	-	2.5W (TA)
Auirfs8407-7trl	4.2900	RFQ	800	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	Auirf8407		Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (7-LEAD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					40 V	240a (TC)	10V	1.3mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 150 µA	225 NC @ 10 V	± 20V	7437 pf @ 25 V	-	231W (TC)
Auirls8409-7p	-	RFQ	7052	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	Auirls8409		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001521838	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					40 V	240a (TC)	4.5V, 10V	0.75mohm @ 100a, 10V	2.4V @ 250 µA	266 NC @ 4.5 V	± 16V	16488 pf @ 25 V	-	375W (TC)
IRF2807ZLPBF	-	RFQ	6876	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					75 V	75A (TC)	10V	9.4mohm @ 53a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3270 pf @ 25 V	-	170W (TC)
IRLR8103VTRLPBF	-	RFQ	3821	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001558542	EAR99	8541.29.0095	6,000		N-canal					30 V	91a (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	27 NC @ 5 V	± 20V	2672 pf @ 16 V	-	115W (TC)
IRL3715Strl	-	RFQ	2559	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)
IPD90N04S4L04ATMA1	1.6000	RFQ	4510	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3-313	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					40 V	90A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 90a, 10v	2.2V @ 35 µA	60 NC @ 10 V	+20V, -16V	4690 pf @ 25 V	-	71W (TC)
Irfp150n	-	RFQ	7536	Infineon Technologies	Hexfet®	Bolsa	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25		N-canal					100 V	42a (TC)	10V	36mohm @ 23a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	160W (TC)
IRL3715ZS	-	RFQ	2628	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3715ZS	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					20 V	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	870 pf @ 10 V	-	45W (TC)
IPD06N03LA G	-	RFQ	2751	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD06N		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					25 V	50A (TC)	4.5V, 10V	5.7mohm @ 30a, 10V	2V @ 40 µA	22 NC @ 5 V	± 20V	2653 pf @ 15 V	-	83W (TC)
IPS105N03LGAKMA1	-	RFQ	5374	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO251-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal					30 V	35A (TC)	4.5V, 10V	10.5mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 15 V	-	38W (TC)
IRFS4310TRPBF	-	RFQ	4598	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001557384	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					100 V	130A (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	250 nc @ 10 V	± 20V	7670 pf @ 50 V	-	300W (TC)
IPI60R165CPXKSA1	5.9500	RFQ	500	Infineon Technologies	Coolmos®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI60R165		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	500		N-canal					600 V	21a (TC)	10V	165mohm @ 12a, 10v	3.5V @ 790 µA	52 NC @ 10 V	± 20V	2000 pf @ 100 V	-	192W (TC)
Auirfl014ntr	-	RFQ	7086	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001521554	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					55 V	1.5a (TA)	10V	160mohm @ 1.9a, 10v	4V @ 250 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	190 pf @ 25 V	-	1W (TA)
IRLH5030TRPBF	2.5300	RFQ	4	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IRLH5030		Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal					100 V	13A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 50A, 10V	2.5V @ 150 µA	94 NC @ 10 V	± 16V	5185 pf @ 50 V	-	3.6W (TA), 156W (TC)
Auirf7303q	-	RFQ	5128	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Auirf7103		Mosfet (Óxido de metal)	2.4w	8-Soico	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001517242	EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)						30V	5.3a		50mohm @ 2.7a, 10v	3V @ 100 µA	21NC @ 10V		515pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
PTFB192557SHV1XWSA1	-	RFQ	4707	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	H-34288G-4/2		1.99 GHz	Ldmos		H-34288G-4/2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001028952	Obsoleto	0000.00.0000	1			-	1.35 A	60W	19dB											-			28 V
Irfp3710pbf	3.5200	RFQ	21	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP3710		Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25		N-canal					100 V	57a (TC)	10V	25mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	190 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRF6617TR1PBF	-	RFQ	9598	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Directfet ™ isométrico st			Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ st	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					30 V	14A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8.1mohm @ 15a, 10v	2.35V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1300 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 42W (TC)
IRLZ44NSTRR	-	RFQ	2153	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					55 V	47a (TC)	4V, 10V	22mohm @ 25A, 10V	2V @ 250 µA	48 NC @ 5 V	± 16V	1700 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 110W (TC)
IRF7338TRPBF	-	RFQ	5915	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF733		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	Vecino del canal						12V	6.3a, 3a		34mohm @ 6a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	8.6nc @ 4.5V		640pf @ 9V	Puerta de Nivel Lógico
Auirfr3504trl	-	RFQ	7724	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak (TO-252AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001520330	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					40 V	56a (TC)	10V	9.2mohm @ 30a, 10v	4V @ 250 µA	71 NC @ 10 V	± 20V	2150 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Si4435dy	-	RFQ	2560	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Si4435dy	EAR99	8541.29.0095	95		Canal P					30 V	8a (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 8a, 10v	1V @ 250 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	2320 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Ptfa092213elv4r250xtma2	-	RFQ	1987	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto										descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001128134	EAR99	8541.29.0075	250
SMBT3904SH6327XTSA1	0.0800	RFQ	5595	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	SMBT 3904			330MW	PG-SOT363-PO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																		40V	200 MMA		50NA (ICBO)	2 NPN (dual)	300mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	300MHz
IRF3315SPBF	-	RFQ	4629	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					150 V	21a (TC)	10V	82mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 94W (TC)
IRL8113S	-	RFQ	9055	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL8113S	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					30 V	105A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 21a, 10v	2.25V @ 250 µA	35 NC @ 4.5 V	± 20V	2840 pf @ 15 V	-	110W (TC)
BSP613PH6327XTSA1	1.4100	RFQ	12	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP613		Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P					60 V	2.9a (TA)	10V	130mohm @ 2.9a, 10v	4V @ 1MA	33 NC @ 10 V	± 20V	875 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²