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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP14N03LA | - |  | 6797 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP14N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 25 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 13.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 20 µA | 8.3 NC @ 5 V | ± 20V | 1043 pf @ 15 V | - | 46W (TC) | |||||
 | IRF3709LPBF | - | | 2345 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 41 NC @ 5 V | ± 20V | 2672 pf @ 16 V | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||
 | IPB60R230P6ATMA1 | - | | 9288 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | IPB60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001364466 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 16.8a (TC) | 10V | 230mohm @ 6.4a, 10V | 4.5V @ 530 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 100 V | - | 126W (TC) | ||||
 | IPB136N08N3 G | - | | 2427 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB136N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 80 V | 45a (TC) | 6V, 10V | 13.6mohm @ 45a, 10v | 3.5V @ 33 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1730 pf @ 40 V | - | 79W (TC) | |||||
 | BSC889N03LSGATMA1 | - | | 2749 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 13A (TA), 45A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | ||||||
| BSC882N03MSGATMA1 | - | | 9172 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 34 V | 22a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | ||||||
 | 94-4737 | - | | 2760 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR3303 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 33A (TC) | 10V | 31mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | ||||
 | IRFH4255DTRPBF | - | | 9910 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IRFH4255 | Mosfet (Óxido de metal) | 31W, 38W | PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 64a, 105a | 3.2mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 35 µA | 15NC @ 4.5V | 1314pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| IRLR3714TRPBF | - | | 1882 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | ||||||
 | BSP171PE6327 | - | | 5355 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.9a (TA) | 4.5V, 10V | 300mohm @ 1.9a, 10V | 2V @ 460 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 460 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||
 | IRFU3707 | - | | 4273 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFU3707 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 61a (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1990 pf @ 15 V | - | 87W (TC) | ||||
| IRLZ34NSTRR | - | | 4889 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q971401 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 4V, 10V | 35mohm @ 16a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||||
 | IRLIZ34NPBF | 1.4200 | | 863 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Irliz34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un entero de 220ab-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 22a (TC) | 4V, 10V | 35mohm @ 12a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
| IRLR7833TRL | - | | 9037 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4010 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | |||||
 | IRF7807D2TRPBF | - | | 6160 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 8.3a (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 5 V | ± 12V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.5W (TA) | |||||||
| Auxhmf7321d2 | - | | 2222 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | ||||||
| IPB45N06S3L-13 | - | | 8584 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB45N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 45a (TC) | 5V, 10V | 13.1mohm @ 26a, 10v | 2.2V @ 30 µA | 75 NC @ 10 V | ± 16V | 3600 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||
| Si4420dytr | - | | 2055 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 12.5a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.5a, 10v | 1V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 2240 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||
| IRF3007StrlPBF | 2.9700 | | 530 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF3007 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 62a (TC) | 10V | 12.6mohm @ 48a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 3270 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||
 | IRLU3714PBF | - | | 4038 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 20V | 670 pf @ 10 V | - | 47W (TC) | ||||||
 | BSP129L6906 | 0.3200 | | 16 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 240 V | 350MA (TA) | 0V, 10V | 6ohm @ 350mA, 10V | 1V @ 108 µA | 5.7 NC @ 5 V | ± 20V | 108 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 1.8w (TA) | |||||
| IPI80N06S4L05AKSA2 | - | | 5408 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001028726 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 40a, 4.5V | 2.2V @ 60 µA | 110 NC @ 10 V | ± 16V | 8180 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||
 | SPW17N80C3FKSA1 | 6.0500 | | 330 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SPW17N80 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 V | 17a (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10v | 3.9V @ 1MA | 177 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 25 V | - | 227W (TC) | ||||
| Spp20n65c3hksa1 | - | | 8774 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp20n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 20.7a (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10v | 3.9V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||
| IRF7324PBF | - | | 1111 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF732 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 9A | 18mohm @ 9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 63nc @ 5V | 2940pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Auirlr3110ztrl | 1.6030 | | 6724 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirlr3110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001516790 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 14mohm @ 38a, 10v | 2.5V @ 100 µA | 48 NC @ 4.5 V | 3980 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||
| IPD90N06S4L03ATMA2 | 2.2100 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD90 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 90a, 10v | 2.2V @ 90 µA | 170 NC @ 10 V | ± 16V | 13000 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
| IRLR2905TRPBF | 1.5600 | | 31 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR2905 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 25A, 10V | 2V @ 250 µA | 48 NC @ 5 V | ± 16V | 1700 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
| IPD105N04LGBTMA1 | - | | 9631 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD105N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 40a, 10v | 2V @ 14 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 20 V | - | 42W (TC) | |||||
| IRF7326D2TR | - | | 2074 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 3.6a (TA) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) |
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