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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Spp02n60c3 | 0.4800 |  | 74 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 3.9V @ 80 µA | 12.5 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Spw12n50c3in | - | | 6804 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-21 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 11.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | SGB10N60A | 1.0100 | | 452 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sgb10n | Estándar | 92 W | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 10a, 25ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 20 A | 40 A | 2.4V @ 15V, 10a | 320 µJ | 52 NC | 28ns/178ns | |||||||||||||||||||||||||
 | IRF60SC241arma1 | 4.2400 | | 5406 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IRF60SC241 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 360a (TC) | 6V, 10V | 1.3mohm @ 100a, 10v | 3.7V @ 250 µA | 388 NC @ 10 V | ± 20V | 16000 pf @ 30 V | - | 2.4W (TA), 417W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | F423MR12W1M1PB11BPSA1 | 158.1500 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F423MR12 | Mosfet (Óxido de metal) | Ag-Easy1b-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 4 Canal N | 1200V | 50A | 22.5mohm @ 50A, 15V | 5.5V @ 20MA | 124nc @ 15V | 3.68NF @ 800V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IMBF170R450M1XTMA1 | 8.9500 | | 1748 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | IMBF170 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO263-7-13 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1700 V | 9.8a (TC) | 12V, 15V | 450mohm @ 2a, 15V | 5.7V @ 2.5mA | 11 NC @ 12 V | +20V, -10V | 610 pf @ 1000 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BSC070N10NS5SCATMA1 | 2.8100 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | BSC070 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-WSON-8-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 14a (TA), 82a (TC) | 6V, 10V | 7mohm @ 40a, 10v | 3.8V @ 50 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ISC037N03L5ISATMA1 | 0.6800 | | 18 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC037 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 20A (TA), 78A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | ISC019N03L5SATMA1 | 0.9700 | | 26 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC019 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 28a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFC3205B | - | | 5122 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC3205B | Obsoleto | 1 | - | 55 V | 110A | - | 8mohm @ 110a, 10v | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC3415B | - | | 9659 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC3415B | Obsoleto | 1 | - | 150 V | 43a | 10V | 42mohm @ 43a, 10v | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC130NB | - | | 9156 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC130NB | Obsoleto | 1 | - | 100 V | 17A | 10V | 90mohm @ 17a, 10v | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC9140NB | - | | 4918 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC9140NB | Obsoleto | 1 | - | 100 V | 23A | 10V | 117mohm @ 23a, 10v | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC140NB | - | | 6581 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC140NB | Obsoleto | 1 | - | 100 V | 33a | 10V | 44mohm @ 33a, 10v | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7811AVTRPBF-1 | - | | 4907 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRF7811AVTRPBF-1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 10.8a (TA) | 4.5V | 14mohm @ 15a, 4.5V | 3V @ 250 µA | 26 NC @ 5 V | ± 20V | 1801 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| Irfc3710d | - | | 6101 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC3710D | Obsoleto | 1 | - | 100 V | 57a | 10V | 23mohm @ 57a, 10v | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRLC110VB | - | | 7045 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-ILC110VB | Obsoleto | 1 | - | 100 V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847BWE6327 | 0.0200 | | 84 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 250 MW | PG-SOT323-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR 360L3E6765 | 0.1000 | | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | 210MW | PG-TSLP-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 16dB | 6V | 35mA | NPN | 90 @ 15 Ma, 3V | 14GHz | 1DB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Bfp7220esdh6327 | 0.1900 | | 9427 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFP720H6327 | 0.2000 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 100MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10.5dB ~ 28.5dB | 4.7V | 25 Ma | NPN | 160 @ 13MA, 3V | 45 GHz | 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC850CWE6327 | 0.0200 | | 3884 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 250 MW | PG-SOT323-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.900 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| FF400R16KF4NOSA1 | 1.0000 | | 42 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 3100 W | Estándar | - | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Independientes | - | 1600 V | 400 A | 3.7V @ 15V, 400A | 3 MA | No | 65 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
| BFP520FH6327 | 0.1600 | | 39 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | 120MW | 4-TSFP | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 22.5db | 2.5V | 50mera | NPN | 70 @ 20MA, 2V | 45 GHz | 0.95db @ 1.8Ghz | |||||||||||||||||||||||||||||
| BFP420H6740 | 0.2200 | | 455 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 210MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21db | 4.5V | 60mera | NPN | 60 @ 20MA, 4V | 25 GHz | 1.1DB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| BFP640E6327 | 0.3500 | | 26 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 200MW | PG-SOT343-4 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 24db | 4.5V | 50mera | NPN | 110 @ 30mA, 3V | 40 GHz | 0.65db ~ 1.2db @ 1.8Ghz ~ 6Ghz | |||||||||||||||||||||||||||||
| BFP420E6327 | 0.1600 | | 139 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 160MW | PG-SOT343-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.888 | 21db | 5V | 35mA | NPN | 60 @ 20MA, 4V | 25 GHz | 1.1DB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| BFP420H6801 | 0.2000 | | 49 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 210MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21db | 4.5V | 60mera | NPN | 60 @ 20MA, 4V | 25 GHz | 1.1DB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848B-E6327 | - | | 2172 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BC856A-E6327 | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 330 MW | PG-SOT23-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 250MHz |
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