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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPA50R650CE | - |  | 8806 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 6.1a (TC) | 13V | 650mohm @ 1.8a, 13V | 3.5V @ 150 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 342 pf @ 100 V | - | 27.2W (TC) | |||||||||||||
 | Auirf7484q | - | | 9830 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001517960 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 40 V | 14a (TA) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V @ 250 µA | 100 NC @ 7 V | ± 8V | 3520 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
| IRLI530NPBF | - | | 6365 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un entero de 220ab-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 12a (TC) | 4V, 10V | 100mohm @ 9a, 10v | 2V @ 250 µA | 34 NC @ 5 V | ± 16V | 800 pf @ 25 V | - | 41W (TC) | |||||||||||||
 | IRLML2803TR | - | | 8686 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro3 ™/SOT-23 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.2a (TA) | 250MOHM @ 910MA, 10V | 1V @ 250 µA | 5 NC @ 10 V | 85 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||
 | BSS123L6433HTMA1 | - | | 8129 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 100 V | 170MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10v | 1.8V @ 50 µA | 2.67 NC @ 10 V | ± 20V | 69 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||
 | IRF6629TR1PBF | - | | 1640 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MX | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mx | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 25 V | 29a (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 29a, 10v | 2.35V @ 100 µA | 51 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4260 pf @ 13 V | - | 2.8W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||
 | SPB100N03S2-03 | - | | 6740 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 10V | 3mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 7020 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
| IRF520NSPBF | - | | 7146 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 9.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||
| IPB80P03P4L07ATMA1 | 1.1390 | | 3128 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB80P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.9mohm @ 80a, 10v | 2V @ 130 µA | 80 NC @ 10 V | +5V, -16V | 5700 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||||||||
 | PTFA192401EV4R250FTMA1 | - | | 6936 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | H-36260-2 | PTFA192401 | 1.96 GHz | Ldmos | H-36260-2 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10 µA | 1.6 A | 50W | 16dB | - | 30 V | |||||||||||||||||
 | BSC010N04LS6ATMA1 | 2.4600 | | 511 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC010 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 40a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 1mohm @ 50a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 67 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4600 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||
| IRL5602STRR | - | | 6776 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 20 V | 24a (TC) | 2.5V, 4.5V | 42mohm @ 12a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1460 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||
| IRL3303Strlpbf | - | | 4785 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 20a, 10v | 1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 16V | 870 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||||
| IRF7311PBF | - | | 6047 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF731 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001572034 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6.6a | 29mohm @ 6a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 27NC @ 4.5V | 900pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
| IPA50R140CPXKSA1 | 6.0300 | | 9371 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA50R140 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 23a (TC) | 10V | 140mohm @ 14a, 10v | 3.5V @ 930 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 2540 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||||||||
| IPB08CN10N G | - | | 6592 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB08C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 95A (TC) | 10V | 8.2mohm @ 95a, 10v | 4V @ 130 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6660 pf @ 50 V | - | 167W (TC) | |||||||||||||
 | Spp80p06pbksa1 | - | | 2489 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp80p | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 60 V | 80a (TC) | 10V | 23mohm @ 64a, 10V | 4V @ 5.5MA | 173 NC @ 10 V | ± 20V | 5033 pf @ 25 V | - | 340W (TC) | |||||||||||||
 | BSP89H6327XTSA1 | 0.6600 | | 3792 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BSP89H6327 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 240 V | 350MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 350mA, 10V | 1.8V @ 108 µA | 6.4 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||
| Spp17n80c3xksa1 | 5.2000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp17n80 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 17a (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10v | 3.9V @ 1MA | 177 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||
| IPP080N03L G | - | | 4363 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP080N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 15 V | - | 47W (TC) | |||||||||||||
 | IPC100N04S51R9ATMA1 | 1.7200 | | 9463 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IPC100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 7V, 10V | 1.9mohm @ 50A, 10V | 3.4V @ 50 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 3770 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||
 | SPI12N50C3HKsa1 | - | | 8445 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | SPI12N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000014467 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 11.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | IRL1404ZPBF | 2.5300 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL1404 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 75a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 110 NC @ 5 V | ± 16V | 5080 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||
| SPB100N03S203T | 2.1400 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 10V | 3mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 7020 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
| IPB048N15N5LFATMA1 | 9.8900 | | 6646 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB048 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 120a (TC) | 10V | 4.8mohm @ 100a, 10V | 4.9V @ 255 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 75 V | - | 313W (TC) | ||||||||||||
 | IRLR2905Z | - | | 5368 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLR2905Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 36a, 10v | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 16V | 1570 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||
 | IPI45N06S409AKSA1 | - | | 6033 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI45N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 10V | 9.4mohm @ 45a, 10v | 4V @ 34 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 3785 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||
| Spp70n10l | - | | 3616 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp70n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 50a, 10v | 2V @ 2mA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 4540 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
| Spp04n60c3hksa1 | - | | 6435 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp04n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||
 | IPN70R2K1CEATMA1 | 0.2707 | | 6640 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | IPN70R2 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 700 V | 4A (TC) | 10V | 2.1ohm @ 1a, 10v | 3.5V @ 70 µA | 7.8 NC @ 10 V | ± 20V | 163 pf @ 100 V | - | 5W (TC) |
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