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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfr9120ntrl | - |  | 8990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 6.6a (TC) | 10V | 480mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF9328PBF | - | | 9103 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001555830 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 11.9mohm @ 12a, 10v | 2.4V @ 25 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | SPB80N08S2-07 | - | | 6635 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 7.1mohm @ 66a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 6130 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFB42N20DPBF | - | | 5948 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 44a (TC) | 10V | 55mohm @ 26a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 3430 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRGR2B60KDPBF | - | | 4094 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Irgr2b60 | Estándar | 35 W | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 2a, 100ohm, 15V | 68 ns | Escrutinio | 600 V | 6.3 A | 8 A | 2.25V @ 15V, 2a | 74 µJ (Encendido), 39 µJ (apaguado) | 12 NC | 11ns/150ns | |||||||||||||||||||||||||
 | IPTC007N06NM5ATMA1 | 6.7000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 16-POWERSOP | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-16-U01 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 60 V | 52a (TA), 454A (TC) | 6V, 10V | 0.75mohm @ 150a, 10V | 3.3V @ 280 µA | 261 NC @ 10 V | ± 20V | 21000 pf @ 30 V | - | 3.8W (TA), 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BFQ 19S E6327 | - | | 5609 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BFQ 19 | 1W | PG-SOT89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 7dB ~ 11.5dB | 15V | 210 Ma | NPN | 70 @ 70 mm, 8V | 5.5 GHz | 1.8db ~ 3db @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Bdp950h6327xtsa1 | 0.5094 | | 5280 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BDP950 | 5 W | PG-SOT223-4-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200MA, 2a | 85 @ 500mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC017N04NSGATMA1 | - | | 8507 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 30A (TA), 100A (TC) | 10V | 1.7mohm @ 50A, 10V | 4V @ 85 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 8800 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 139W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRF7603TRPBF | - | | 1987 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Micro8 ™ | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 5.6a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 3.7a, 10v | 1V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 520 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Irfi1310n | - | | 7393 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi1310n | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 24a (TC) | 10V | 36mohm @ 13a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IPD60R800CEAUMA1 | 0.8900 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-344 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 8.4a (TC) | 10V | 800mohm @ 2a, 10v | 3.5V @ 170 µA | 17.2 NC @ 10 V | ± 20V | 373 pf @ 100 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFU3607-701PBF | - | | 1295 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 75 V | 56a (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10v | 4V @ 100 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 3070 pf @ 50 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IKD03N60RF | - | | 6575 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ikd03n | Estándar | 53.6 W | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 2.5A, 68OHM, 15V | 31 ns | Zanja | 600 V | 5 A | 7.5 A | 2.5V @ 15V, 2.5a | 90 µJ | 17.1 NC | 10ns/128ns | |||||||||||||||||||||||||
| IPC60R165CPX1SA4 | 2.4628 | | 1040 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | IPC60 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000482544 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU50R2K0Ceakma1 | - | | 9185 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 13V | 2ohm @ 600mA, 13V | 3.5V @ 50 µA | 6 NC @ 10 V | ± 20V | 124 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R045C7300XKSA1 | - | | 6918 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001657312 | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 45mohm @ 24.9a, 10v | 4V @ 1.25 Ma | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 4340 pf @ 400 V | - | 227W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IRF7468TR | - | | 5124 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 9.4a (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 9.4a, 10v | 2V @ 250 µA | 34 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2460 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| BSP372L6327HTSA1 | - | | 2039 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 1.7a (TA) | 5V | 310mohm @ 1.7a, 5V | 2v @ 1 mapa | ± 14V | 520 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6721Strpbf | - | | 3333 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SQ | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sq | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 V | 14A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 14a, 10v | 2.4V @ 25 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1430 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRLR3715TRPBF | - | | 6583 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1060 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF840PBF | - | | 8650 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRLR3717PBF | - | | 8789 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 15a, 10v | 2.45V @ 250 µA | 31 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2830 pf @ 10 V | - | 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRF7809 | - | | 7415 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 17.6a (TA) | 4.5V | 7.5mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 86 NC @ 5 V | ± 12V | 7300 pf @ 16 V | - | 3.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Bsc026n04lsatma1 | 1.7500 | | 9091 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC026 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 23a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 50A, 10V | 2V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IRF7303PBF | - | | 7134 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF73 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001563422 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.9a | 50mohm @ 2.4a, 10V | 1V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 520pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||
| IRFR3706TRLPBF | - | | 6552 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001575942 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 75A (TC) | 2.8V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 35 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2410 pf @ 10 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| FF800R12KE7PEHPSA1 | 366.0825 | | 8068 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | Monte del Chasis | Módulo | FF800R12 | Estándar | AG-62 MMHB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 8 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | - | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD050N10N5ATMA1 | 3.0500 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD050 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 80a (TC) | 6V, 10V | 5mohm @ 40a, 10v | 3.8V @ 84 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 4700 pf @ 50 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Bfp740h6327xtsa1 | 0.6500 | | 19 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP740 | 160MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 27dB | 4.7V | 30mera | NPN | 160 @ 25mA, 3V | 42 GHz | 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
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