SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FD900R12IP4DVBOSA1 Infineon Technologies FD900R12IP4DVBOSA1 652.3233
RFQ
 ECAD 3835 0.00000000 Infineon Technologies Primepack ™ 2 Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FD900R12 5100 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 900 A 2.05V @ 15V, 900A 5 Ma Si 54 NF @ 25 V
IRF9956TRPBF Infineon Technologies IRF9956TRPBF 0.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF995 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 30V 3.5a 100mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250 µA 14nc @ 10V 190pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BCR 185F E6327 Infineon Technologies BCR 185F E6327 -
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 185 250 MW PG-TSLP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
IRL3715LPBF Infineon Technologies IRL3715LPBF -
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
BCX55-16E6327 Infineon Technologies BCX55-16E6327 0.0800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2 W PG-SOT89-4-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
SPD03N60C3BTMA1 Infineon Technologies SPD03N60C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD03N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 3.9V @ 135 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 38W (TC)
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies IKW50N65SS5XKSA1 13.8200
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikw50n65 Estándar 274 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 9OHM, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 200 A 1.7V @ 15V, 50A 320 µJ (Encendido), 550 µJ (apaguado) 110 NC 20ns/140ns
IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies IPA80R460CEXKSA2 2.8200
RFQ
 ECAD 3909 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA80R460 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 10.8a (TA) 10V 460mohm @ 7.1a, 10V 3.9V @ 680 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 100 V - 34W (TC)
IRFIZ48VPBF Infineon Technologies Irfiz48vpbf -
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 39A (TC) 10V 12mohm @ 43a, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 1985 pf @ 25 V - 43W (TC)
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R360P7SAUMA1 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 555 pf @ 400 V - 41W (TC)
IRF3706L Infineon Technologies IRF3706L -
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf3706l EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 77a (TC) 2.8V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IRF7854PBF Infineon Technologies IRF7854PBF -
RFQ
 ECAD 6395 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001551588 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 80 V 10a (TA) 10V 13.4mohm @ 10a, 10v 4.9V @ 100 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRLC8743EB Infineon Technologies IRLC8743EB -
RFQ
 ECAD 1462 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IRF100B202 Infineon Technologies IRF100B202 1.6600
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF100 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001561488 EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 100 V 97a (TC) 10V 8.6mohm @ 58a, 10v 4V @ 150 µA 116 NC @ 10 V ± 20V 4476 pf @ 50 V - 221W (TC)
IRF7809A Infineon Technologies IRF7809A -
RFQ
 ECAD 4150 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 14.5a (TA) 4.5V 8.5mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 75 NC @ 5 V ± 12V 7300 pf @ 16 V - 2.5W (TA)
IRFZ44NSTRR Infineon Technologies Irfz44nstrr -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 49a (TC) 10V 17.5mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1470 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 94W (TC)
BSO211PNTMA1 Infineon Technologies Bso211pntma1 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO211 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 4.7a 67mohm @ 4.7a, 4.5V 1.2V @ 25 µA 23.9NC @ 4.5V 920pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BC846UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies BC846UPNE6327HTSA1 0.1260
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 BC846 250MW PG-SC74-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
SPN02N60C3 E6433 Infineon Technologies SPN02N60C3 E6433 -
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA SPN02N Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 650 V 400 mA (TA) 10V 2.5ohm @ 1.1a, 10V 3.9V @ 80 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
SPD06N60C3BTMA1 Infineon Technologies SPD06N60C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 4377 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD06N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 6.2a (TC) 10V 750mohm @ 3.9a, 10v 3.9V @ 260 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 74W (TC)
IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies IPD90N06S407ATMA2 1.6600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD90 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 90A (TC) 10V 6.9mohm @ 90a, 10v 4V @ 40 µA 56 NC @ 10 V ± 20V - 79W (TC)
IRF7807D1TRPBF Infineon Technologies IRF7807D1TRPBF -
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 8.3a (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 12V Diodo Schottky (Aislado) 2.5W (TA)
BFR93AWH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR93AWH6327XTSA1 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BFR93 300MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 10.5db ~ 15.5db 12V 90 Ma NPN 70 @ 30mA, 8V 6GHz 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRL540NPBF Infineon Technologies IRL540NPBF 1.7100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL540 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 36A (TC) 4V, 10V 44mohm @ 18a, 10v 2V @ 250 µA 74 NC @ 5 V ± 16V 1800 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRFH6200TRPBF Infineon Technologies IRFH6200TRPBF 2.0700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFH6200 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 V 49A (TA), 100A (TC) 2.5V, 10V 0.95mohm @ 50A, 10V 1.1V @ 150 µA 230 NC @ 4.5 V ± 12V 10890 pf @ 10 V - 3.6W (TA), 156W (TC)
BF998E6327HTSA1 Infineon Technologies Bf998e6327htsa1 0.1540
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 12 V Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BF998 45MHz Mosfet PG-SOT-143-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30mera 10 Ma - 28dB 2.8db 8 V
BCR08PNB6327XT Infineon Technologies Bcr08pnb6327xt -
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR08 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 30,000 50V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2 kohms 47 kohms
IPB100N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies IPB100N04S2L03ATMA2 2.3026
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L22ATMA1 1.6800
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 60W PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 100V 20A 22mohm @ 17a, 10v 2.1V @ 25 µA 27nc @ 10V 1755pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRFS17N20DPBF Infineon Technologies IRFS17N20DPBF -
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 16a (TC) 10V 170mohm @ 9.8a, 10v 5.5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 140W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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