SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa
IRFU1010Z Infineon Technologies Irfu1010z -
RFQ
 ECAD 1884 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu1010z EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 42a (TC) 10V 7.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 100 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRFSL4610 Infineon Technologies IRFSL4610 -
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL461 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFSL4610 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 73a (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 50 V - 190W (TC)
IPP80P04P4L06AKSA1 Infineon Technologies IPP80P04P4L06AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8678 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 40 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 150 µA 104 NC @ 10 V +5V, -16V 6580 pf @ 25 V - 88W (TC)
IRL3103D2STRL Infineon Technologies IRL3103D2STRL -
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 32a, 10v - 44 NC @ 4.5 V ± 16V 2300 pf @ 25 V - -
IRLH5030TRPBF Infineon Technologies IRLH5030TRPBF 2.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRLH5030 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 13A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 150 µA 94 NC @ 10 V ± 16V 5185 pf @ 50 V - 3.6W (TA), 156W (TC)
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60TATMA1 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IGB10 Estándar 110 W PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 10a, 23ohm, 15V NPT, Parada de Campo de Trinchegras 600 V 20 A 30 A 2.05V @ 15V, 10a 430 µJ 62 NC 12ns/215ns
64-0007 Infineon Technologies 64-0007 -
RFQ
 ECAD 2367 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF640 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 18a (TC) 10V 150mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 1160 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRL3502STRRPBF Infineon Technologies IRL3502STRPBF -
RFQ
 ECAD 1241 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 110A (TC) 4.5V, 7V 7mohm @ 64a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 110 NC @ 4.5 V ± 10V 4700 pf @ 15 V - 140W (TC)
PTFA091201FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA091201FV4R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 5468 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA091201 960MHz Ldmos H-37248-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 750 Ma 110W 19dB - 28 V
IRF7324 Infineon Technologies IRF7324 -
RFQ
 ECAD 7125 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF732 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7324 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 20V 9A 18mohm @ 9a, 4.5V 1V @ 250 µA 63nc @ 5V 2940pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRF3710SPBF Infineon Technologies IRF3710SPBF -
RFQ
 ECAD 6453 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 57a (TC) 10V 23mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3130 pf @ 25 V - 200W (TC)
BSS138N E8004 Infineon Technologies BSS138N E8004 -
RFQ
 ECAD 5842 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 230 mA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 230 mm, 10V 1.4V @ 250 µA 1.4 NC @ 10 V ± 20V 41 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IPB03N03LB G Infineon Technologies IPB03N03LB G 1.6300
RFQ
 ECAD 912 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB03N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 55a, 10V 2V @ 100 µA 59 NC @ 5 V ± 20V 7624 pf @ 15 V - 150W (TC)
IRF9952TR Infineon Technologies Irf9952tr -
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF995 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 30V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250 µA 14nc @ 10V 190pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRL1004 Infineon Technologies IRL1004 -
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL1004 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10v 1V @ 250 µA 100 NC @ 4.5 V ± 16V 5330 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRF7504TR Infineon Technologies IRF7504TR -
RFQ
 ECAD 7810 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) IRF7504 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V 1.7a 270mohm @ 1.2a, 4.5V 700mv @ 250 µA 8.2NC @ 4.5V 240pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies IRLMS2002TRPBF 0.7200
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 IRLMS2002 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (SOT23-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 6.5a (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 22 NC @ 5 V ± 12V 1310 pf @ 15 V - 2W (TA)
IRFS4310TRRPBF Infineon Technologies IRFS4310TRPBF -
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001557384 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 130A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 250 nc @ 10 V ± 20V 7670 pf @ 50 V - 300W (TC)
IRFR220NCPBF Infineon Technologies IRFR220NCPBF -
RFQ
 ECAD 9657 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR220 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 200 V 5A (TA) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 43W (TC)
IHW30N135R5XKSA1 Infineon Technologies IHW30N135R5XKSA1 4.7700
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IHW30N135 Estándar 330 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 600V, 30a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 1350 V 60 A 90 A 1.95V @ 15V, 30a 1.4mj (apaguado) 235 NC -/310ns
IRL3103STRL Infineon Technologies IRL3103333STRL -
RFQ
 ECAD 4512 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001573698 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 34a, 10v 1V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 16V 1650 pf @ 25 V - 94W (TC)
IPU80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies IPU80R2K0P7AKMA1 1.1100
RFQ
 ECAD 4726 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU80R2 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 2ohm @ 940ma, 10v 3.5V @ 50 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 175 pf @ 500 V - 24W (TC)
AUIRFL014NTR Infineon Technologies Auirfl014ntr -
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521554 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 1.5a (TA) 10V 160mohm @ 1.9a, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 190 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRFZ44VZSPBF Infineon Technologies IRFZ44VZSPBF 1.1439
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Irfz44 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 57a (TC) 10V 12mohm @ 34a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 92W (TC)
IRF7104PBF Infineon Technologies IRF7104PBF -
RFQ
 ECAD 8767 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF71 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 20V 2.3a 250mohm @ 1a, 10v 3V @ 250 µA 25nc @ 10V 290pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies Bsg0810ndiatma1 3.2500
RFQ
 ECAD 3148 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSG0810 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w PG-TISON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 19a, 39a 3mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 8.4nc @ 4.5V 1040pf @ 12V Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
IRF7726 Infineon Technologies IRF7726 -
RFQ
 ECAD 1764 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7726 EAR99 8541.29.0095 80 Canal P 30 V 7a (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 7a, 10v 2.5V @ 250 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2204 pf @ 25 V - 1.79W (TA)
IRFH5250TRPBF Infineon Technologies IRFH5250TRPBF 1.8000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFH5250 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 V 45A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 50A, 10V 2.35V @ 150 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 7174 pf @ 13 V - 3.6W (TA), 160W (TC)
IRF100B201 Infineon Technologies IRF100B201 2.9700
RFQ
 ECAD 3540 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF100 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 192a (TC) 10V 4.2mohm @ 115a, 10V 4V @ 250 µA 255 nc @ 10 V ± 20V 9500 pf @ 50 V - 441W (TC)
IPS105N03LGAKMA1 Infineon Technologies IPS105N03LGAKMA1 -
RFQ
 ECAD 5374 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 38W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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