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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRF4905PBF	2.8100	RFQ	76	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF4905		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal P			55 V	74a (TC)	10V	20mohm @ 38a, 10V	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	3400 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRFR1205TRPBF	-	RFQ	2007	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR1205		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			55 V	44a (TC)	10V	27mohm @ 26a, 10v	4V @ 250 µA	65 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IRFS3607TRLPBF	1.5800	RFQ	31	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS3607		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			75 V	80a (TC)	10V	9mohm @ 46a, 10v	4V @ 100 µA	84 NC @ 10 V	± 20V	3070 pf @ 50 V	-	140W (TC)
IRF6655TRPBF	-	RFQ	2710	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Directfet ™ Isométrico sh			Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ sh	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal			100 V	4.2a (TA), 19a (TC)	10V	62mohm @ 5a, 10v	4.8V @ 25 µA	11.7 NC @ 10 V	± 20V	530 pf @ 25 V	-	2.2W (TA), 42W (TC)
Bfp740fh6327xtsa1	0.5500	RFQ	6	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-smd, planos de cables	BFP740			160MW		4-TSFP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000				27.5db													4.7V	30mera									NPN		160 @ 25mA, 3V	42 GHz	0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IPN80R3K3P7ATMA1	0.9600	RFQ	1990	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	IPN80R3		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			800 V	1.9a (TC)	10V	3.3ohm @ 590mA, 10V	3.5V @ 30 µA	5.8 NC @ 10 V	± 20V	120 pf @ 500 V	-	6.1W (TC)
IRFTS8342TRPBF	0.5900	RFQ	4252	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-23-6	Irfts8342		Mosfet (Óxido de metal)			6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			30 V	8.2a (TA)	4.5V, 10V	19mohm @ 8.2a, 10v	2.35V @ 25 µA	4.8 NC @ 4.5 V	± 20V	560 pf @ 25 V	-	2W (TA)
IPP60R190C6XKSA1	3.7100	RFQ	4	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP60R190		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			600 V	20.2a (TC)	10V	190mohm @ 9.5a, 10V	3.5V @ 630 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 100 V	-	151W (TC)
IPI60R165CPXKSA1	5.9500	RFQ	500	Infineon Technologies	Coolmos®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI60R165		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	500		N-canal			600 V	21a (TC)	10V	165mohm @ 12a, 10v	3.5V @ 790 µA	52 NC @ 10 V	± 20V	2000 pf @ 100 V	-	192W (TC)
Bcv62ae6327htsa1	0.4400	RFQ	8	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BCV62			300MW		PG-SOT-143-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																	30V	100mA						15NA (ICBO)			2 PNP (dual)	650mv @ 5 mm, 100 mapa	125 @ 2mA, 5V	250MHz
BSZ018NE2LSIATMA1	2.0800	RFQ	25	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ018		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8-FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			25 V	22a (TA), 40a (TC)	4.5V, 10V	1.8mohm @ 20a, 10v	2V @ 250 µA	36 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 12 V	-	2.1W (TA), 69W (TC)
IRLZ24NSTRLPBF	1.4500	RFQ	14	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRLZ24		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			55 V	18a (TC)	4V, 10V	60mohm @ 11a, 10v	2V @ 250 µA	15 NC @ 5 V	± 16V	480 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 45W (TC)
IRF3710Strr	-	RFQ	4742	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			100 V	57a (TC)	10V	23mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3130 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRF4104S	-	RFQ	6017	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF4104S	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			40 V	75A (TC)	10V	5.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	140W (TC)
BSP613PL6327HUSA1	-	RFQ	5943	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P			60 V	2.9a (TA)	10V	130mohm @ 2.9a, 10v	4V @ 1MA	33 NC @ 10 V	± 20V	875 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
BSD314SPEH6327XTSA1	0.3800	RFQ	734	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BSD314		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT363-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P			30 V	1.5a (TA)	4.5V, 10V	140mohm @ 1.5a, 10v	2V @ 6.3 µA	2.9 NC @ 10 V	± 20V	294 pf @ 15 V	-	500MW (TA)
SN7002NL6433HTMA1	-	RFQ	8368	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SN7002N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000		N-canal			60 V	200MA (TA)	4.5V, 10V	5ohm @ 500 mA, 10V	1.8V @ 26 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	45 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
IRF1404ZSPBF	-	RFQ	3745	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			40 V	180A (TC)	10V	3.7mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	4340 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRF7705TRPBF	-	RFQ	3720	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-TSOP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P			30 V	8a (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 8a, 10v	2.5V @ 250 µA	88 NC @ 10 V	± 20V	2774 pf @ 25 V	-	1.5W (TA)
IRFSL7540PBF	-	RFQ	7652	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRFSL7540		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			60 V	110A (TC)	6V, 10V	5.1mohm @ 65a, 10V	3.7V @ 100 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	4555 pf @ 25 V	-	160W (TC)
IGW75N65H5XKSA1	6.7100	RFQ	334	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IGW75N65	Estándar		395 W		PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 75a, 8ohm, 15V													Zanja	650 V	120 A	300 A	2.1V @ 15V, 75a	2.25MJ (Encendido), 950 µJ (apaguado)	160 NC	28ns/174ns
IAUA200N04S5N010ATMA1	-	RFQ	5669	Infineon Technologies	Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	5-Powersfn			Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOF-5-1	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	448-IAUA200N04S5N010ATMA1TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal			40 V	200a (TC)	7V, 10V	1mohm @ 100a, 10v	3.4V @ 100 µA	132 NC @ 10 V	± 20V	7650 pf @ 25 V	-	167W (TC)
FP75R17N3E4PB87BPSA1	319.1833	RFQ	8993	Infineon Technologies	ECONOPIM ™ 3	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				555 W	Rectificador de Puente Trifásico	Ag-Econo3	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	6	Inversor trifásico															Parada de Campo de Trinchera	1700 V	150 A		2.3V @ 15V, 75a				1 MA	Si	6.8 NF @ 25 V
IPW60R160C6FKSA1	5.5200	RFQ	1846	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW60R160		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal			600 V	23.8a (TC)	10V	160mohm @ 11.3a, 10V	3.5V @ 750 µA	75 NC @ 10 V	± 20V	1660 pf @ 100 V	-	176W (TC)
IRGIB6B60KDPBF	-	RFQ	7872	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Irgib6	Estándar		38 W		Un entero de 220ab-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			400V, 5A, 100OHM, 15V												70 ns	Escrutinio	600 V	11 A	22 A	2.2V @ 15V, 5A	110 µJ (Encendido), 135 µJ (apaguado)	18.2 NC	25ns/215ns
BSS138WH6327XTSA1	0.4200	RFQ	1384	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BSS138		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal			60 V	280MA (TA)	4.5V, 10V	3.5ohm @ 200 MMA, 10V	1.4V @ 26 µA	1.5 NC @ 10 V	± 20V	43 pf @ 25 V	-	500MW (TA)
IRGP4760PBF	-	RFQ	6614	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		325 W		To47ac	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001532824	EAR99	8541.29.0095	25			400V, 48a, 10ohm, 15V													-	650 V	90 A	144 A	2V @ 15V, 48a	1.7MJ (Encendido), 1MJ (Apaguado)	145 NC	70ns/140ns
IPA65R400CEXKSA1	1.6200	RFQ	372	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA65R400		Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			650 V	15.1a (TC)	10V	400mohm @ 3.2a, 10V	3.5V @ 320 µA	39 NC @ 10 V	± 20V	710 pf @ 100 V	-	31W (TC)
IRL540NLPBF	-	RFQ	2890	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			100 V	36A (TC)	4V, 10V	44mohm @ 18a, 10v	2V @ 250 µA	74 NC @ 5 V	± 16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 140W (TC)
IPL60R210P6AUMA1	3.4400	RFQ	3	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Powertsfn	IPL60R210		Mosfet (Óxido de metal)			PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			600 V	19.2a (TC)	10V	210mohm @ 7.6a, 10v	4.5V @ 630 µA	37 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 100 V	-	151W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²