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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRGP4760PBF	-	RFQ	6614	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		325 W	To47ac	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001532824	EAR99	8541.29.0095	25			400V, 48a, 10ohm, 15V												-	650 V	90 A	144 A	2V @ 15V, 48a	1.7MJ (Encendido), 1MJ (Apaguado)	145 NC	70ns/140ns
IPA65R400CEXKSA1	1.6200	RFQ	372	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA65R400		Mosfet (Óxido de metal)		PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			650 V	15.1a (TC)	10V	400mohm @ 3.2a, 10V	3.5V @ 320 µA	39 NC @ 10 V	± 20V	710 pf @ 100 V	-	31W (TC)
IRL540NLPBF	-	RFQ	2890	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			100 V	36A (TC)	4V, 10V	44mohm @ 18a, 10v	2V @ 250 µA	74 NC @ 5 V	± 16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 140W (TC)
IPL60R210P6AUMA1	3.4400	RFQ	3	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Powertsfn	IPL60R210		Mosfet (Óxido de metal)		PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			600 V	19.2a (TC)	10V	210mohm @ 7.6a, 10v	4.5V @ 630 µA	37 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 100 V	-	151W (TC)
IPL70R2K1CEATMA1	-	RFQ	3637	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic				IPL70R					descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001409154	EAR99	8541.29.0095	5,000						2.3a (TC)
Bc857cwe6433htma1	-	RFQ	6763	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC857			250 MW	PG-SOT323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																45 V	100 mA						15NA (ICBO)	PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	420 @ 2mA, 5V	250MHz
BF886H6327XTSA1	-	RFQ	6811	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BF886			100MW	PG-SOT343	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000834798		0000.00.0000	3.000				19dB												4v	25 Ma							NPN		-	45 GHz	0.5dB ~ 0.7dB @ 1.9Ghz ~ 5.5Ghz
IRF7452QTRPBF	-	RFQ	4955	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal			100 V	4.5a (TA)		60mohm @ 2.7a, 10v	5.5V @ 250 µA	50 NC @ 10 V		930 pf @ 25 V	-
Buz73a H	-	RFQ	3050	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			200 V	5.5a (TC)	10V	600mohm @ 4.5a, 10V	4V @ 1MA		± 20V	530 pf @ 25 V	-	40W (TC)
SPP100N06S2-05	-	RFQ	7806	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp100n		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			55 V	100A (TC)	4.5V, 10V	5mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	6800 pf @ 25 V	-	300W (TC)
BC858AE6327HTSA1	0.0489	RFQ	4305	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC858			330 MW	PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																30 V	100 mA						15NA (ICBO)	PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	125 @ 2mA, 5V	250MHz
IRL3705ZPBF	1.7800	RFQ	388	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRL3705		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			55 V	75A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 52a, 10v	3V @ 250 µA	60 NC @ 5 V	± 16V	2880 pf @ 25 V	-	130W (TC)
Irll024ztrpbf	0.8900	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Irll024		Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			55 V	5A (TC)	4.5V, 10V	60mohm @ 3a, 10v	3V @ 250 µA	11 NC @ 5 V	± 16V	380 pf @ 25 V	-	1W (TA)
IRFS41N15DTRR	-	RFQ	6923	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			150 V	41a (TC)	10V	45mohm @ 25A, 10V	5.5V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 30V	2520 pf @ 25 V	-	3.1W (TA)
IPB136N08N3 G	-	RFQ	2427	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB136N		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			80 V	45a (TC)	6V, 10V	13.6mohm @ 45a, 10v	3.5V @ 33 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1730 pf @ 40 V	-	79W (TC)
Spp80p06pbksa1	-	RFQ	2489	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp80p		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		Canal P			60 V	80a (TC)	10V	23mohm @ 64a, 10V	4V @ 5.5MA	173 NC @ 10 V	± 20V	5033 pf @ 25 V	-	340W (TC)
IPA50R650CE	-	RFQ	8806	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA50R		Mosfet (Óxido de metal)		PG-to220-FP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			500 V	6.1a (TC)	13V	650mohm @ 1.8a, 13V	3.5V @ 150 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	342 pf @ 100 V	-	27.2W (TC)
BSP89H6327XTSA1	0.6600	RFQ	3792	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP89H6327		Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			240 V	350MA (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 350mA, 10V	1.8V @ 108 µA	6.4 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
Auirf7484q	-	RFQ	9830	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001517960	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal			40 V	14a (TA)	7V	10mohm @ 14a, 7v	2V @ 250 µA	100 NC @ 7 V	± 8V	3520 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IRLML2803TR	-	RFQ	8686	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			Mosfet (Óxido de metal)		Micro3 ™/SOT-23	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			30 V	1.2a (TA)		250MOHM @ 910MA, 10V	1V @ 250 µA	5 NC @ 10 V		85 pf @ 25 V	-
IRLR2905Z	-	RFQ	5368	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLR2905Z	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal			55 V	42a (TC)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 36a, 10v	3V @ 250 µA	35 NC @ 5 V	± 16V	1570 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPI45N06S409AKSA1	-	RFQ	6033	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI45N		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			60 V	45a (TC)	10V	9.4mohm @ 45a, 10v	4V @ 34 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	3785 pf @ 25 V	-	71W (TC)
BSS123L6433HTMA1	-	RFQ	8129	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000		N-canal			100 V	170MA (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 170ma, 10v	1.8V @ 50 µA	2.67 NC @ 10 V	± 20V	69 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
Spp24n60c3hksa1	-	RFQ	3269	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp24n		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			650 V	24.3a (TC)	10V	160mohm @ 15.4a, 10V	3.9V @ 1.2MA	135 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	240W (TC)
BSC010N04LS6ATMA1	2.4600	RFQ	511	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC010		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			40 V	40a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	1mohm @ 50a, 10v	2.3V @ 250 µA	67 NC @ 4.5 V	± 20V	4600 pf @ 20 V	-	3W (TA), 150W (TC)
IRF7311PBF	-	RFQ	6047	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF731		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001572034	EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)				20V	6.6a		29mohm @ 6a, 4.5V	700mv @ 250 µA	27NC @ 4.5V		900pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IPU80R2K8CEBKMA1	-	RFQ	3862	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPU80R		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal			800 V	1.9a (TC)	10V	2.8ohm @ 1.1a, 10v	3.9V @ 120 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	290 pf @ 100 V	-	42W (TC)
IPA60R600CPXKSA1	-	RFQ	4185	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3-31	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			600 V	6.1a (TC)	10V	600mohm @ 3.3a, 10V	3.5V @ 220 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	550 pf @ 100 V	-	28W (TC)
IRF7328PBF	-	RFQ	5269	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF732		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001555158	EAR99	8541.29.0095	3.800	2 Canal P (Dual)				30V	8A		21mohm @ 8a, 10v	2.5V @ 250 µA	78nc @ 10V		2675pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
BSC012N06NSATMA1	4.0200	RFQ	4419	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC012		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TSON-8-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			60 V	36A (TA), 306A (TC)	6V, 10V	1.2mohm @ 50A, 10V	3.3V @ 147 µA	143 NC @ 10 V	± 20V	11000 pf @ 30 V	-	214W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²