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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSC012N06NSATMA1 | 4.0200 |  | 4419 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC012 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSON-8-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 36A (TA), 306A (TC) | 6V, 10V | 1.2mohm @ 50A, 10V | 3.3V @ 147 µA | 143 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 30 V | - | 214W (TC) | ||||||||||
 | IRLC8256ED | - | | 1418 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001567150 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7422D2PBF | - | | 9107 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001577350 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 20 V | 4.3a (TA) | 2.7V, 4.5V | 90mohm @ 2.2a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 22 NC @ 4.5 V | ± 12V | 610 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||
 | Irfi4227pbf | 3.1800 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Irfi4227 | Mosfet (Óxido de metal) | Un entero de 220ab-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 26a (TC) | 10V | 25mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 4600 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | ||||||||||
 | Irfi1310n | - | | 7393 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi1310n | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 24a (TC) | 10V | 36mohm @ 13a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||
 | IPB072N15N3GE8187ATMA1 | - | | 6956 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB072N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 100A (TC) | 8V, 10V | 7.2mohm @ 100a, 10v | 4V @ 270 µA | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 5470 pf @ 75 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | 94-4737 | - | | 2760 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR3303 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 33A (TC) | 10V | 31mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | ||||||||||
 | IPS65R1K5Ceakma1 | - | | 3880 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | IPS65R | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 650 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1a, 10v | 3.5V @ 100 µA | 10.5 NC @ 10 V | ± 20V | 225 pf @ 100 V | - | 28W (TC) | |||||||||||
| IPB08CN10N G | - | | 6592 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB08C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 95A (TC) | 10V | 8.2mohm @ 95a, 10v | 4V @ 130 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6660 pf @ 50 V | - | 167W (TC) | |||||||||||
| SPB100N03S203T | 2.1400 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 10V | 3mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 7020 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
 | IPN70R2K1CEATMA1 | 0.2707 | | 6640 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | IPN70R2 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 700 V | 4A (TC) | 10V | 2.1ohm @ 1a, 10v | 3.5V @ 70 µA | 7.8 NC @ 10 V | ± 20V | 163 pf @ 100 V | - | 5W (TC) | ||||||||||
| SPB100N03S2-03 | - | | 6740 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 10V | 3mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 7020 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
| IRL5602STRR | - | | 6776 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 20 V | 24a (TC) | 2.5V, 4.5V | 42mohm @ 12a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1460 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | |||||||||||
 | IRFB42N20DPBF | - | | 5948 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 44a (TC) | 10V | 55mohm @ 26a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 3430 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA), 330W (TC) | |||||||||||
| IPD075N03LGBTMA1 | 0.3251 | | 7220 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD075 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000249747 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 15 V | - | 47W (TC) | |||||||||
| Spp12n50c3xksa1 | - | | 5456 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp12n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 11.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
 | BSC052N03LSATMA1 | 1.0800 | | 112 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC052 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 17A (TA), 57A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||||
 | PTFA071701FV4R250XTMA1 | - | | 6551 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas | PTFA071701 | 765MHz | Ldmos | H-37248-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900 mA | 150W | 18.7dB | - | 30 V | |||||||||||||||
| IPB100N08S2L07ATMA1 | - | | 8598 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 75 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 80a, 10v | 2V @ 250 µA | 246 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
 | IPP023N04NGXKSA1 | 2.5600 | | 2040 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP023 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 90a, 10v | 4V @ 95 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 10000 pf @ 20 V | - | 167W (TC) | ||||||||||
 | BSC017N04NSGATMA1 | - | | 8507 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 30A (TA), 100A (TC) | 10V | 1.7mohm @ 50A, 10V | 4V @ 85 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 8800 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 139W (TC) | |||||||||||
| Spp03n60s5hksa1 | - | | 5587 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp03n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 3.2a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 5.5V @ 135 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 420 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||
| BSC882N03MSGATMA1 | - | | 9172 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 34 V | 22a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||
| Spp17n80c3xksa1 | 5.2000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp17n80 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 17a (TC) | 10V | 290mohm @ 11a, 10v | 3.9V @ 1MA | 177 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||
| IRLI530NPBF | - | | 6365 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un entero de 220ab-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 12a (TC) | 4V, 10V | 100mohm @ 9a, 10v | 2V @ 250 µA | 34 NC @ 5 V | ± 16V | 800 pf @ 25 V | - | 41W (TC) | |||||||||||
 | IPC100N04S51R9ATMA1 | 1.7200 | | 9463 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IPC100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 7V, 10V | 1.9mohm @ 50A, 10V | 3.4V @ 50 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 3770 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||
| IPB048N15N5LFATMA1 | 9.8900 | | 6646 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB048 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 120a (TC) | 10V | 4.8mohm @ 100a, 10V | 4.9V @ 255 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 75 V | - | 313W (TC) | ||||||||||
| F475R07W2H3B11BPSA1 | 52.1100 | | 9072 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-F475R07W2H3B11BPSA1 | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR2307ZPBF | - | | 5422 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 75 V | 42a (TC) | 10V | 16mohm @ 32a, 10v | 4V @ 100 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2190 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||
 | IRF6629TR1PBF | - | | 1640 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MX | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mx | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 25 V | 29a (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 29a, 10v | 2.35V @ 100 µA | 51 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4260 pf @ 13 V | - | 2.8W (TA), 100W (TC) |
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