SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies Imza65r027m1hxksa1 25.1600
RFQ
 ECAD 673 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Imza65 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 59A (TC) 18V 34mohm @ 38.3a, 18V 5.7V @ 11MA 63 NC @ 18 V +23V, -5V 2131 pf @ 400 V - 189W (TC)
IPP085N06LGAKSA1 Infineon Technologies IPP085N06LGAKSA1 0.7800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 IPP085N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 80a (TC) 8.5mohm @ 80a. 10V 2V @ 125 µA 104 NC @ 10 V 3500 pf @ 30 V -
IPB80P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies IPB80P04P4L06ATMA2 2.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos®-P2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 40 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 150 µA 104 NC @ 10 V +5V, -16V 6580 pf @ 25 V - 88W (TC)
IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies IPD50P04P413ATMA2 1.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Optimos®-P2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 50A (TC) 10V 12.6mohm @ 50A, 10V 4V @ 85 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 3670 pf @ 25 V - 58W (TC)
IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies IPB180P04P4L02ATMA2 4.6900
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 Infineon Technologies Optimos®-P2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB180 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 40 V 180A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 2.2V @ 410 µA 286 NC @ 10 V +5V, -16V 18700 pf @ 25 V - 150W (TC)
IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA2 1.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos®-P2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 50A (TC) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 50a, 10v 2.2V @ 85 µA 59 NC @ 10 V +5V, -16V 3900 pf @ 25 V - 58W (TC)
IPC65SR110CFDAX2MA1 Infineon Technologies IPC65SR110CFDAX2MA1 -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto IPC65S - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado Obsoleto 1
ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0703NLSATMA1 1.0900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC0703N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 13A (TA), 57A (TC) 4.5V, 10V 6.9mohm @ 32a, 10v 2.3V @ 15 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 30 V - 3W (TA), 44W (TC)
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies IKW40N120CS7XKSA1 9.9200
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKW40N120 Estándar 357 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 40a, 4ohm, 15V 175 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 82 A 120 A 2V @ 15V, 40A 2.55mj (Encendido), 1.75mj (apaguado) 230 NC 27ns/190ns
FF225R65T3E3BPSA1 Infineon Technologies FF225R65T3E3BPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies XHP ™ 3 Banda Activo 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF225R65 1000000 W Estándar AG-XHP3K65 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 5900 V 225 A 3.4V @ 15V, 225a 5 Ma No 65.6 NF @ 25 V
IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K0PFD7SATMA1 0.8800
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ PFD7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN60R Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 4.7a (TC) 10V 1ohm @ 1a, 10v 4.5V @ 50 µA 6 NC @ 10 V ± 20V 230 pf @ 400 V - 6W (TC)
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies IKWH50N65WR6XKSA1 5.0100
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 WR6 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikwh50n Estándar 205 W PG-TO247-3-32 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 22ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 85 A 150 A 1.85V @ 15V, 50A 1.5MJ (Encendido), 730 µJ (apaguado) 144 NC 40NS/351NS
IKWH60N65WR6XKSA1 Infineon Technologies IKWH60N65WR6XKSA1 5.1200
RFQ
 ECAD 474 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 WR6 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikwh60n Estándar 240 W PG-TO247-3-32 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 15ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 100 A 180 A 1.85V @ 15V, 60A 1.82MJ (Encendido), 850 µJ (apaguado) 174 NC 35NS/311NS
FZ1600R33HE4BPSA1 Infineon Technologies FZ1600R33HE4BPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ1600 3600 W Estándar AG-IHVB130-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 3300 V 1600 A 2.65V @ 15V, 1.6ka 5 Ma No 187 nf @ 25 V
IKWH30N65WR6XKSA1 Infineon Technologies IKWH30N65WR6XKSA1 3.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikwh30n Estándar 136 W PG-TO247-3-32 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - Parada de Campo de Trinchera 650 V 67 A 90 A 1.75V @ 15V, 30a - 97 NC -
IPTC015N10NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTC015N10NM5ATMA1 7.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 16-POWERSOP IPTC015N Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-16-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 V 35A (TA), 354A (TC) 6V, 10V 1.5mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 275 µA 208 NC @ 10 V ± 20V 16000 pf @ 50 V - 3.8W (TA), 375W (TC)
IKWH30N65WR5XKSA1 Infineon Technologies IKWH30N65WR5XKSA1 3.8200
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 WR5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikwh30n Estándar 190 W PG-TO247-3-32 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 27ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 75 A 90 A 1.7V @ 15V, 30a 870 µJ (Encendido), 400 µJ (apagado) 133 NC 41ns/398ns
IPA082N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies IPA082N10NF2SXKSA1 1.6400
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 46a (TC) 6V, 10V 8.2mohm @ 30a, 10v 3.8V @ 46 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 50 V - 35W (TC)
FZ1800R45HL4BPSA1 Infineon Technologies FZ1800R45HL4BPSA1 4.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ1800 4000 W Estándar AG-IHVB190 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 3 Independientes Parada de Campo de Trinchera 4500 V 1800 A 2.8V @ 15V, 1.8ka 5 Ma No 297 NF @ 25 V
FZ825R33HE4DBPSA1 Infineon Technologies FZ825R33HE4DBPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ800 2400000 W Estándar AG-IHVB130-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Interruptor Único Parada de Campo de Trinchera 3300 V 825 A 2.65V @ 15V, 825A 5 Ma No 93.5 NF @ 25 V
BSS139IXTSA1 Infineon Technologies BSS139IXTSA1 0.4600
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 250 V 100 mA (TA) 0V, 10V 14ohm @ 100 mapa, 10v 1V @ 56 µA 2.3 NC @ 5 V ± 20V 60 pf @ 25 V - 360MW (TA)
FF6MR12W2M1B70BPSA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1B70BPSA1 355.8300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF6MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW (TC) Ag-Easy2b descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 2 Canales N (Medio Puente) 1200V (1.2kv) 200a (TJ) 5.63mohm @ 200a, 15V 5.55V @ 80MA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
SN7002IXTSA1 Infineon Technologies Sn7002ixtsa1 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SN7002I Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 1.8V @ 26 µA 0.9 NC @ 10 V ± 20V 32 pf @ 30 V - 360MW (TA)
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies IPT010N08NM5ATMA1 7.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IPT010N Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 43a (TA), 425A (TC) 6V, 10V 1.05mohm @ 150a, 10V 3.8V @ 280 µA 223 NC @ 10 V ± 20V 16000 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 375W (TC)
BSS169IXTSA1 Infineon Technologies BSS169IXTSA1 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 190MA (TA) 0V, 10V 2.9ohm @ 190ma, 10v 1.8V @ 50 µA 2.1 NC @ 7 V ± 20V 51 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IRFS75347PPBF Infineon Technologies IRFS75347PPBF -
RFQ
 ECAD 9352 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 240a (TC) 6V, 10V 1.95mohm @ 100a, 10v 3.7V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 9990 pf @ 25 V - 290W (TC)
BCR555E6433 Infineon Technologies BCR555E6433 0.0600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR555 330 MW PG-SOT23-3-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 4.792 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 150 MHz 2.2 kohms 10 kohms
BSS64E6327 Infineon Technologies BSS64E6327 0.0300
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mV @ 400 µA, 4MA 20 @ 4MA, 1V 100MHz
SGW30N60HS Infineon Technologies Sgw30n60hs -
RFQ
 ECAD 5264 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sgw30n Estándar 250 W PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 30a, 11ohm, 15V Escrutinio 600 V 41 A 112 A 3.15V @ 15V, 30a 1.15mj 141 NC 20ns/250ns
SGW50N60HS Infineon Technologies Sgw50n60hs -
RFQ
 ECAD 6824 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sgw50n Estándar 416 W PG-TO247-3-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 50A, 6.8OHM, 15V Escrutinio 600 V 100 A 150 A 3.15V @ 15V, 50A 1.96mj 179 NC 47ns/310ns
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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