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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF 1009SR E6327 | 0.1100 |  | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 12 V | Montaje en superficie | Sot-143r | 800MHz | Mosfet | PG-SOT-143R-3D | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,730 | N-canal | 25 Ma | - | 22dB | 1.4db | 9 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817K-25WH6433 | 0.0500 | | 20 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC817 | 500 MW | PG-SOT323-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 6.217 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ihw40t60 | 2.3000 | | 134 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 303 W | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 134 | 400V, 40A, 5.6ohm, 15V | 143 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 120 A | 2.05V @ 15V, 40A | 920 µJ | 215 NC | -/186ns | |||||||||||||||||||||||||||
| IHY30N160R2XK | 2.6300 | | 248 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD07N60C2 | - | | 7898 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | - | PG-TO252-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | 7.3a | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Spp04n60s5 | 0.6100 | | 42 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 5.5V @ 200 µA | 22.9 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| SPD02N60C3 | - | | 9349 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | N-canal | 600 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 3.9V @ 80 µA | 12.5 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | SPD07N60S5BTMA1 | 0.6400 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 5.5V @ 350 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| SPB80N06SL2-7 | 0.8500 | | 600 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10v | 2V @ 150 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 3160 pf @ 25 V | - | 210W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Spp06n60c3 | - | | 1609 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.9a, 10v | 3.9V @ 260 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Spp16n50c3 | - | | 4647 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 280mohm @ 10a, 10v | 3.9V @ 675 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| SGP10N60A | 1.0000 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SGP10N60 | Estándar | 92 W | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 10a, 25ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 20 A | 40 A | 2.4V @ 15V, 10a | 320 µJ | 52 NC | 28ns/178ns | |||||||||||||||||||||||||||
| SSP08N50C3 | - | | 1253 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | X97813760 | - | | 5856 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Spi08n50c3in | - | | 2654 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 280 | N-canal | 500 V | 7.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPB65R600C6 | - | | 4163 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 210 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | ISC037N03L5ISATMA1 | 0.6800 | | 18 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC037 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 20A (TA), 78A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | ISC019N03L5SATMA1 | 0.9700 | | 26 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC019 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 28a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IPP60R520CP | 0.7900 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 6.8a (TC) | 10V | 520mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 630 pf @ 100 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPS135N03LG | 0.1600 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW60FN | - | | 1988 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 250 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IGP01N120H2 | 0.5500 | | 13 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 28 W | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 1A, 241OHM, 15V | - | 1200 V | 3.2 A | 3.5 A | 2.8V @ 15V, 1A | 140 µJ | 8.6 NC | 13ns/370ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW61AE6327 | 1.0000 | | 7478 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | PNP | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 120 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX53E6327 | 0.0900 | | 264 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2 W | PG-SOT89-4-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 50 mm, 2v | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R280E6 | 1.0000 | | 2081 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 13.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 4.4a, 10V | 3.5V @ 440 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPP70N04S3-07 | - | | 6613 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ t | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 425 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 10V | 6.5mohm @ 70a, 10v | 4V @ 50 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPS12CN10LG | - | | 4438 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 2 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 43 | N-canal | 100 V | 69a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 69a, 10v | 2.4V @ 83 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPW60R120P7 | - | | 7406 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 26a (TC) | 10V | 120mohm @ 8.2a, 10V | 4V @ 410 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1544 pf @ 400 V | - | 95W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| BCW68GE6327 | - | | 4588 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 800 Ma | 20NA (ICBO) | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW50R280CE | 0.7700 | | 108 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 18.1a (TC) | 13V | 280mohm @ 4.2a, 13V | 3.5V @ 350 µA | 32.6 NC @ 10 V | ± 20V | 773 pf @ 100 V | - | 119W (TC) |
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