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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7413TRPBF | - |  | 7487 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 7.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 79 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||
 | IRFR3103TR | - | | 4923 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 400 V | 1.7a (TA) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| Auirlr3110z | - | | 9273 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirlr3110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001521338 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 38a, 10v | 2.5V @ 100 µA | 48 NC @ 4.5 V | ± 16V | 3980 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||
 | SPP80N06S2L-05 | - | | 1215 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp80n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 80a, 10v | 2V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 7530 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||
| IRF7476TRPBF | - | | 7221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 12 V | 15a (TA) | 2.8V, 4.5V | 8mohm @ 15a, 4.5V | 1.9V @ 250 µA | 40 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2550 pf @ 6 V | - | 2.5W (TA) | |||||
 | IRF6648TR1 | - | | 9492 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MN | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mn | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 86a (TC) | 10V | 7mohm @ 17a, 10v | 4.9V @ 150 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2120 pf @ 25 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||
| IPP45N06S3-16 | - | | 4031 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP45N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 45a (TC) | 10V | 15.7mohm @ 23a, 10v | 4V @ 30 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 2980 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||
 | IRFH7787TRPBF | - | | 9160 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IRFH7787 | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 75 V | 68a (TC) | 6V, 10V | 8mohm @ 41a, 10v | 3.7V @ 100 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4030 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||
| BSO211PHXUMA1 | - | | 5423 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO211 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.6w | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4A | 67mohm @ 4.6a, 4.5V | 1.2V @ 25 µA | 10NC @ 4.5V | 1095pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | 64-2092PBF | - | | 3805 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF3205 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||
 | BSR92PL6327HTSA1 | - | | 3207 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSR92 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SC59-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 250 V | 140MA (TA) | 2.8V, 10V | 11ohm @ 140mA, 10V | 1V @ 130 µA | 4.8 NC @ 10 V | ± 20V | 109 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | ||||
| IPD038N04NGBTMA1 | - | | 7365 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD038N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 90a, 10v | 4V @ 45 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 20 V | - | 94W (TC) | |||||
| IRF2807ZS | - | | 2080 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF2807ZS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 75A (TC) | 10V | 9.4mohm @ 53a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3270 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
| IRF7425PBF | - | | 7255 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001563588 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 20 V | 15a (TA) | 2.5V, 4.5V | 8.2mohm @ 15a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 130 NC @ 4.5 V | ± 12V | 7980 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||
| IRF3808SPBF | - | | 3106 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 106a (TC) | 10V | 7mohm @ 82a, 10v | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 5310 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||
 | IRF3305PBF | - | | 5819 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 3650 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | ||||||
 | IPD50N06S2-14 | - | | 6575 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 127 | N-canal | 55 V | 50A (TC) | 10V | 14.4mohm @ 32a, 10v | 4V @ 80 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 1485 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||
| IRF7324D1TRPBF | - | | 6798 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 20 V | 2.2a (TA) | 2.7V, 4.5V | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 7.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 260 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | ||||||
| IPD90N04S3H4ATMA1 | 1.0810 | | 5619 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD90 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 10V | 4.3mohm @ 90a, 10v | 4V @ 65 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | ||||
| IPP034N03LGXKSA1 | 1.6000 | | 472 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP034 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 15 V | - | 94W (TC) | ||||
 | IPI60R299CPXKSA1 | - | | 8573 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 100 V | - | 96W (TC) | |||||
 | IPC60R520E6X1SA1 | - | | 2346 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | IPC60 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000841526 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||
 | Irf520nl | - | | 3111 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf520nl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 9.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | ||||
| IRFR3910TRPBF | 1.3400 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR3910 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 16a (TC) | 10V | 115mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | ||||
| IRF7389 | - | | 5730 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF738 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7389 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Vecino del canal | 30V | - | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250 µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | IGOT60R070D1AUMA1 | - | | 6771 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolgan ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 20-POWERSOIC (0.433 ", 11.00 mm de Ancho) | Igot60 | Ganfet (Nitruro de Galio) | PG-dso-20-87 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 31a (TC) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | -10V | 380 pf @ 400 V | - | 125W (TC) | |||||
| Irfr3711ztr | - | | 4620 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001571586 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 93A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10v | 2.45V @ 250 µA | 27 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2160 pf @ 10 V | - | 79W (TC) | ||||
| IRL3103D2PBF | - | | 6344 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3103D2PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 32a, 10v | 1V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 16V | 2300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 70W (TC) | |||||
 | BSZ097N10NS5ATMA1 | 1.8800 | | 23 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSZ097 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 100 V | 8a (TA), 40a (TC) | 6V, 10V | 9.7mohm @ 20a, 10v | 3.8V @ 36 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 2080 pf @ 50 V | - | 2.1W (TA), 69W (TC) | ||||
| IRF7306TR | - | | 2490 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF73 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001551228 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 3.6a | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 440pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico |
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