RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFS31N20DTRRP	-	RFQ	9443	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001552276	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						200 V	31a (TC)	10V	82mohm @ 18a, 10v	5.5V @ 250 µA	107 NC @ 10 V	± 30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 200W (TC)
Bfp520fh6327xtsa1	0.5600	RFQ	6960	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-smd, planos de cables	BFP520				100MW		4-TSFP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000							22.5db														3.5V	40mera										NPN	70 @ 20MA, 2V	45 GHz	0.95db @ 1.8Ghz
IPA60R180P7XKSA1	3.0000	RFQ	8254	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220 Paqueto completo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						650 V	18a (TC)	10V	180mohm @ 5.6a, 10v	4V @ 280 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1081 pf @ 400 V	-	26W (TC)
IPB60R190P6ATMA1	-	RFQ	5729	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						600 V	20.2a (TC)	10V	190mohm @ 7.6a, 10v	4.5V @ 630 µA	37 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 100 V	-	151W (TC)
Spi47n10l	-	RFQ	8948	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Spi47n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000013952	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						100 V	47a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 33a, 10v	2V @ 2mA	135 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 25 V	-	175W (TC)
SPI80N08S2-07	-	RFQ	7890	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Spi80n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						75 V	80a (TC)	10V	7.4mohm @ 66a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	6130 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IRGR3B60KD2TRP	-	RFQ	1875	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Irgr3b60	Estándar			52 W		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000				400V, 3A, 100OHM, 15V															77 ns	Escrutinio	600 V	7.8 A	15.6 A	2.4V @ 15V, 3a	62 µJ (Encendido), 39 µJ (apaguado)	13 NC	18ns/110ns
BSZ033NE2LS5ATMA1	1.2600	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ033			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8-FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						25 V	18a (TA), 40a (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 20a, 10v	2V @ 250 µA	18.3 NC @ 10 V	± 16V	1230 pf @ 12 V	-	2.1W (TA), 30W (TC)
BSS138NL6327HTSA1	-	RFQ	4450	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal						60 V	230 mA (TA)	4.5V, 10V	3.5ohm @ 230 mm, 10V	1.4V @ 250 µA	1.4 NC @ 10 V	± 20V	41 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
SPB80N03S203GATMA1	-	RFQ	9308	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB80N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						30 V	80a (TC)	10V	3.1mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	7020 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IPD60R400CEATMA1	-	RFQ	2286	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						600 V	10.3a (TC)	10V	400mohm @ 3.8a, 10V	3.5V @ 300 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 100 V	-	83W (TC)
IRLR3110ZPBF	-	RFQ	6150	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						100 V	42a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 38a, 10v	2.5V @ 100 µA	48 NC @ 4.5 V	± 16V	3980 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IPA60R080P7XKSA1	5.9900	RFQ	427	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R080			Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						600 V	37a (TC)	10V	80mohm @ 11.8a, 10v	4V @ 590 µA	51 NC @ 10 V	± 20V	2180 pf @ 400 V	-	29W (TC)
IPD60R1K0CEATMA1	-	RFQ	6348	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						600 V	4.3a (TC)	10V	1ohm @ 1.5a, 10v	3.5V @ 130 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	280 pf @ 100 V	-	37W (TC)
IPP60R600P6XKSA1	-	RFQ	2330	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						600 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 2.4a, 10V	4.5V @ 200 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	557 pf @ 100 V	-	63W (TC)
IKW40N120CS6XKSA1	8.0800	RFQ	904	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IKW40N120	Estándar			500 W		PG-TO247-3-41	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30				600V, 40a, 9ohm, 15V															400 ns	Parada de Campo de Trinchera	1200 V	80 A	160 A	2.15V @ 15V, 40A	2.55mj (Encendido), 1.55mj (apaguado)	285 NC	27ns/315ns
PTFA080551F V1	-	RFQ	6803	Infineon Technologies	-	Banda	Descontinuado en sic	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA080551		960MHz	Ldmos			H-37265-2	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	80			10 µA		600 mA	55w	18.5dB											-										28 V
IPP60R165CPXKSA1	5.6800	RFQ	2857	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP60R165			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						600 V	21a (TC)	10V	165mohm @ 12a, 10v	3.5V @ 790 µA	52 NC @ 10 V	± 20V	2000 pf @ 100 V	-	192W (TC)
IRF3805PBF	3.7900	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF3805			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001561690	EAR99	8541.29.0095	100		N-canal						55 V	75A (TC)	10V	3.3mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	290 NC @ 10 V	± 20V	7960 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Auirfr5305	2.8100	RFQ	10	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Auirfr5305			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P						55 V	31a (TC)	10V	65mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	110W (TC)
BFS 386L6 E6327	-	RFQ	9433	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-xfdfn					210MW, 380MW		TSLP-6-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	15,000							10dB ~ 14.5dB														6V	35 Ma, 80 Ma										2 NPN (dual)	60 @ 15 mm, 3V / 60 @ 40 mm, 3V	14GHz	1DB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Bfp460h643333xtma1	-	RFQ	9355	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP460				230MW		PG-SOT343-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000							12.5db ~ 26.5db														5.8v	70 Ma										NPN	90 @ 20MA, 3V	22 GHz	0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
IRFR1205TRL	-	RFQ	7481	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR1205			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						55 V	44a (TC)	10V	27mohm @ 26a, 10v	4V @ 250 µA	65 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IPT60R102G7XTMA1	6.4400	RFQ	704	Infineon Technologies	CoolMos ™ G7	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-POWERSFN	IPT60R102			Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOF-8-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						600 V	23a (TC)	10V	102mohm @ 7.8a, 10v	4V @ 390 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1320 pf @ 400 V	-	141W (TC)
IPL60R365P7AUMA1	2.8100	RFQ	4352	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Powertsfn	IPL60R365			Mosfet (Óxido de metal)			PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						600 V	10a (TC)	10V	365mohm @ 2.7a, 10V	4V @ 140 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	555 pf @ 400 V	-	46W (TC)
IRLR024NTRRPBF	-	RFQ	1940	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001553142	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						55 V	17a (TC)	4V, 10V	65mohm @ 10a, 10v	2V @ 250 µA	15 NC @ 5 V	± 16V	480 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IRF7607TRPBFTR	-	RFQ	9818	Infineon Technologies	Hexfet®	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			Micro8 ™	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-IRF7607TRPBFTR-448			1		N-canal						20 V	6.5a (TA)	2.5V, 4.5V	30mohm @ 6.5a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	22 NC @ 5 V	± 12V	1310 pf @ 15 V	-	1.8w (TA)
FF300R12KE4HOSA1	163.1100	RFQ	34	Infineon Technologies	hacer	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF300R12				1600 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	2 Independientes																			Parada de Campo de Trinchera	1200 V	460 A		2.15V @ 15V, 300A					5 Ma	Si	19 NF @ 25 V
FD400R12KE3B5HOSA1	223.5100	RFQ	2153	Infineon Technologies	hacer	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FD400R12				2000 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Piquero																			Parada de Campo de Trinchera	1200 V	580 A		2.15V @ 15V, 400A					5 Ma	No	28 NF @ 25 V
IPA80R460CEXKSA1	-	RFQ	2657	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Descontinuado en sic		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA80R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						800 V	5A (TC)	10V	460mohm @ 7.1a, 10V	3.9V @ 680 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 100 V	-	34W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²