RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
IRFH3707TR2PBF	-	RFQ	1400	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn			Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (3x3)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal					30 V	12a (TA), 29A (TC)	4.5V, 10V	12.4mohm @ 12a, 10v	2.35V @ 25 µA	8.1 NC @ 4.5 V	± 20V	755 pf @ 15 V	-	2.8W (TA)
PTFA261702E V1	-	RFQ	4260	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Fin Lidera		2.66GHz	Ldmos			H-30275-4	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			10 µA	1.8 A	170W	15dB											-					28 V
IRLU2703PBF	-	RFQ	8324	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)			IPAK (TO-251AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal					30 V	23a (TC)	4.5V, 10V	45mohm @ 14a, 10v	1V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 16V	450 pf @ 25 V	-	45W (TC)
BSP315PE6327T	-	RFQ	7341	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P					60 V	1.17a (TA)	4.5V, 10V	800mohm @ 1.17a, 10V	2V @ 160 µA	7.8 NC @ 10 V	± 20V	160 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IPB65R065C7ATMA1	-	RFQ	8602	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB65R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001080110	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					600 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 2.4a, 10V	4.5V @ 200 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	557 pf @ 100 V	-	171W (TC)
Auirfr4105z	-	RFQ	1493	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001520528	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					55 V	20A (TC)	10V	24.5mohm @ 18a, 10v	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	740 pf @ 25 V	-	48W (TC)
IGLD60R190D1AUMA1	-	RFQ	9890	Infineon Technologies	Coolgan ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-LDFN PADS exposición	IGLD60		Mosfet (Óxido de metal)			PG-LSON-8-1	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					600 V	10a (TC)	-	-	1.6V @ 960 µA		-10V	157 pf @ 400 V	-	62.5W (TC)
IRF2804Strl7pp	3.6300	RFQ	800	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb	IRF2804		Mosfet (Óxido de metal)			D2PAK (7-LEAD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					40 V	160A (TC)	10V	1.6mohm @ 160a, 10v	4V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	6930 pf @ 25 V	-	330W (TC)
IRL3714ZLPBF	-	RFQ	4113	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3714ZLPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					20 V	36A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	7.2 NC @ 4.5 V	± 20V	550 pf @ 10 V	-	35W (TC)
BSZ023N04LSATMA1	-	RFQ	9200	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8-FL	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					40 V	22a (TA), 40a (TC)	4.5V, 10V	2.35mohm @ 20a, 10v	2V @ 250 µA	37 NC @ 10 V	± 20V	2630 pf @ 20 V	-	2.1W (TA), 69W (TC)
IRLR2703TRPBF	1.1600	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR2703		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal					30 V	23a (TC)	4V, 10V	45mohm @ 14a, 10v	1V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 16V	450 pf @ 25 V	-	45W (TC)
Irfz24nstrlpbf	-	RFQ	9910	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					55 V	17a (TC)	10V	70mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 45W (TC)
IRL3303Strr	-	RFQ	9885	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					30 V	38a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 20a, 10v	1V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 16V	870 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
IPI80N04S304AKSA1	-	RFQ	8389	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI80N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal					40 V	80a (TC)	10V	4.1mohm @ 80a, 10v	4V @ 90 µA	80 NC @ 10 V	± 20V	5200 pf @ 25 V	-	136W (TC)
IRLHS6376TRPBF	0.6700	RFQ	159	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-vdfn exposición almohadilla	IRLHS6376		Mosfet (Óxido de metal)	1.5w		6-PQFN (2x2)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)						30V	3.6a		63mohm @ 3.4a, 4.5V	1.1V @ 10 µA	2.8nc @ 4.5V		270pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IRF2807Strrpbf	-	RFQ	7577	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF2807		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001564670	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					75 V	82a (TC)	10V	13mohm @ 43a, 10v	4V @ 250 µA	160 NC @ 10 V	± 20V	3820 pf @ 25 V	-	230W (TC)
SPN03N60S5	-	RFQ	8402	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Spn03n		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					600 V	700 mA (TA)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	5.5V @ 135 µA	12.8 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
BSZ0910NDXTMA1	-	RFQ	2009	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	BSZ0910		Mosfet (Óxido de metal)	1.9W (TA), 31W (TC)		PG-WISON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)						30V	9.5A (TA), 25A (TC)		9.5mohm @ 9a, 10v	2V @ 250 µA	5.6nc @ 4.5V		800pf @ 15V	Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
BSM200GB120DLCE3256HOSA1	-	RFQ	7571	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	BSM200			1550 W	Estándar	Módulo	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	2156-BSM200GB120DLCE3256HOSA1	EAR99	8541.29.0095	1	Medio puente																	-	1200 V	420 A	2.6V @ 15V, 200a		5 Ma	No	13 NF @ 25 V
BC 856A E6327	-	RFQ	7780	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC 856			330 MW		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																			65 V	100 mA			15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	125 @ 2mA, 5V	250MHz
IRFR2405TRR	-	RFQ	3423	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR2405		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					55 V	56a (TC)	10V	16mohm @ 34a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2430 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Auxfn8403tr	-	RFQ	1251	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-tqfn almohadilla exposición			Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001519874	EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal					40 V	95A (TC)	10V	3.3mohm @ 50A, 10V	3.9V @ 100 µA	98 NC @ 10 V	± 20V	3174 pf @ 25 V	-	94W (TC)
IPI60R099CPXKSA1	9.4000	RFQ	6118	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI60R099		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal					600 V	31a (TC)	10V	99mohm @ 18a, 10v	3.5V @ 1.2MA	80 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 100 V	-	255W (TC)
IPSA70R600P7SAKMA1	0.9500	RFQ	4665	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPSA70		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal					700 V	8.5A (TC)	10V	600mohm @ 1.8a, 10V	3.5V @ 90 µA	10.5 NC @ 400 V	± 16V	364 pf @ 400 V	-	43.1W (TC)
IPB180N04S4LH0ATMA1	2.4917	RFQ	3963	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	IPB180		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-7-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					40 V	180A (TC)	4.5V, 10V	1mohm @ 100a, 10v	2.2V @ 180 µA	310 NC @ 10 V	+20V, -16V	24440 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IPP60R450E6XKSA1	-	RFQ	3145	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP60R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal					600 V	9.2a (TC)	10V	450mohm @ 3.4a, 10V	3.5V @ 280 µA	28 NC @ 10 V	± 20V	620 pf @ 100 V	-	74W (TC)
IPI70N12S3L12AKSA1	-	RFQ	5773	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI70N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal					120 V	70A (TC)	4.5V, 10V	12.1mohm @ 70a, 10v	2.4V @ 83 µA	77 NC @ 10 V	± 20V	5550 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Auirfs3806trl	-	RFQ	1579	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001516146	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					60 V	43a (TC)	10V	15.8mohm @ 25A, 10V	4V @ 50 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1150 pf @ 50 V	-	71W (TC)
IRLR4343TRL	-	RFQ	4877	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					55 V	26a (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 4.7a, 10v	1V @ 250 µA	42 NC @ 10 V	± 20V	740 pf @ 50 V	-	79W (TC)
IPW65R190CFDFKSA1	-	RFQ	3122	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW65R190		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal					650 V	17.5a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10v	4.5V @ 730 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²