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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI22N03S4L15AKSA1 | - |  | 5380 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI22N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 22a, 10v | 2.2V @ 10 µA | 14 NC @ 10 V | ± 16V | 980 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IGP40N65H5XKSA1 | 3.3600 | | 450 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IGP40N65 | Estándar | 255 W | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 20a, 15ohm, 15V | - | 650 V | 74 A | 120 A | 2.1V @ 15V, 40A | 390 µJ (Encendido), 120 µJ (apagado) | 95 NC | 22ns/165ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR3711TRLPBF | - | | 9142 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2980 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IKW03N120H2 | - | | 9798 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 62.5 W | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 3a, 82ohm, 15V | 42 ns | - | 1200 V | 9.6 A | 9.9 A | 2.8V @ 15V, 3A | 290 µJ | 22 NC | 9.2NS/281NS | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R125CFD7XKSA1 | 6.2500 | | 6162 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 19a (TC) | 10V | 125mohm @ 8.5a, 10V | 4.5V @ 420 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1694 pf @ 400 V | - | 98W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRF7526D1TR | - | | 1153 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Micro8 ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 2a (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.2a, 10v | 1V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPP04CN10NGXKSA1 | 3.7441 | | 5687 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 2 | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP04CN10 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 100a, 10V | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 13800 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFS59N10DPBF | - | | 4841 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 59A (TC) | 10V | 25mohm @ 35.4a, 10V | 5.5V @ 250 µA | 114 NC @ 10 V | ± 30V | 2450 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPA086N10N3GXKSA1 | 1.9100 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA086 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 45a (TC) | 6V, 10V | 8.6mohm @ 45a, 10v | 3.5V @ 75 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3980 pf @ 50 V | - | 37.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Bfp182wh6327xtsa1 | - | | 4627 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP182 | 250MW | PG-SOT343-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 22dB | 12V | 35mA | NPN | 70 @ 10mA, 8V | 8GHz | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| Irfc4115ed | - | | 8697 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7413ZTRPBF | 0.9100 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7413 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10v | 2.25V @ 25 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1210 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | BC849CWE6327HTSA1 | - | | 3259 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC849 | 250 MW | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Irf7492tr | - | | 7484 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | IRF7492TRTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 200 V | 3.7a (TA) | 10V | 79mohm @ 2.2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 1820 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| IRFH7190ATRPBF | - | | 9434 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001575652 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfiz46n | - | | 9543 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfiz46n | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 33A (TC) | 10V | 20mohm @ 19a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRGS4065PBF | - | | 6670 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 178 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 180V, 25a, 10ohm | Zanja | 300 V | 70 A | 2.1V @ 15V, 70a | - | 62 NC | 30ns/170ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Bcx5616e6433htma1 | - | | 5640 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BCX56 | 2 W | PG-SOT89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP50R12N2T7B11BPSA1 | 116.1700 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP50R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 50 A | 1.5V @ 15V, 50A | 10 µA | Si | 11.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | Bsc0901nsatma1 | 1.3100 | | 32 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC0901 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 28a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFP3703PBF | 5.7600 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP3703 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 30 V | 210A (TC) | 7V, 10V | 2.8mohm @ 76a, 10v | 4V @ 250 µA | 209 NC @ 10 V | ± 20V | 8250 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IKFW50N60DH3XKSA1 | 8.3000 | | 1089 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKFW50 | Estándar | 145 W | PG-TO247-3-AI | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 8ohm, 15V | 64 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 53 A | 160 A | 2.3V @ 15V, 40A | 1.22MJ (Encendido), 610 µJ (apaguado) | 210 NC | 25ns/212ns | |||||||||||||||||||||||||
| IPTC020N13NM6ATMA1 | 4.5336 | | 4576 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IPTC020N13NM6ATMA1TR | 1.800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bsz0502nsiatma1 | 0.6360 | | 2510 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSZ0502 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 22a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 43W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BC817-16B5003 | 0.0200 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 500 MW | PG-SOT23-3-11 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| FF600R12KE3NOSA1 | - | | 8344 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF600R12 | 2800 W | Estándar | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 Independientes | - | 1200 V | 850 A | 2.15V @ 15V, 600A | 5 Ma | No | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR2905ZTRLPBF | - | | 4332 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001575886 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 10V | 14.5mohm @ 36a, 10v | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| SPW11N60CFDFKSA1 | - | | 9689 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SPW11N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 440mohm @ 7a, 10v | 5V @ 500 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| BSO200P03SHXUMA1 | 0.5126 | | 9183 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO200 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 7.4a (TA) | 10V | 20mohm @ 9.1a, 10V | 1.5V @ 100 µA | 54 NC @ 10 V | ± 25V | 2330 pf @ 25 V | - | 1.56W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| Auirfr3504z | - | | 3217 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 10V | 9mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1510 pf @ 25 V | - | 90W (TC) |
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