SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRF3711 Infineon Technologies IRF3711 -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3711 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 110A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 3.1W (TA), 120W (TC)
IPB80P04P4L04ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P4L04ATMA1 -
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 40 V 80a (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 250 µA 176 NC @ 10 V ± 16V 3800 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRFS4127PBF Infineon Technologies IRFS4127PBF -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 72a (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 5380 pf @ 50 V - 375W (TC)
IPU60R2K1CEBKMA1 Infineon Technologies IPU60R2K1CEBKMA1 -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 V 2.3a (TC) 10V 2.1ohm @ 760 mm, 10v 3.5V @ 60 µA 6.7 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 100 V - 22W (TC)
BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies Bsc0904nsiatma1 0.9100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0904 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 20A (TA), 78A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies IPD90P04P405ATMA2 2.9100
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 Infineon Technologies Optimos®-P2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD90 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 90A (TC) 10V 4.7mohm @ 90a, 10v 4V @ 250 µA 154 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 125W (TC)
BSP125L6327 Infineon Technologies BSP125L6327 0.3100
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 325 N-canal 600 V 120MA (TA) 4.5V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 2.3V @ 94 µA 6.6 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
BSO211PH Infineon Technologies BSO211ph 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ P Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 532-BFBGA, FCBGA BSO211 Mosfet (Óxido de metal) 1.6w (TA) 532-FCBGA (23x23) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 4A (TA) 67mohm @ 4.6a, 4.5V 1.2V @ 25 µA 10NC @ 4.5V 1095pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG65R048M1HXTMA1 13.7500
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA IMBG65 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO263-7-12 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 45a (TC) 18V 64mohm @ 20.1a, 18V 5.7V @ 6MA 33 NC @ 18 V +23V, -5V 1118 pf @ 400 V - 183W (TC)
IRLML9303TRPBF Infineon Technologies IRLML9303TRPBF 0.4900
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML9303 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 2.3a (TA) 4.5V, 10V 165mohm @ 2.3a, 10v 2.4V @ 10 µA 2 NC @ 4.5 V ± 20V 160 pf @ 25 V - 1.25W (TA)
IRFS4610TRRPBF Infineon Technologies IRFS4610TRPBF -
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001573460 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 73a (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 50 V - 190W (TC)
BCW67BE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW67BE6327HTSA1 0.0662
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW67 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 200MHz
IRF6729MTRPBF Infineon Technologies IRF6729MTRPBF -
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 31a (TA), 190a (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 31a, 10v 2.35V @ 150 µA 63 NC @ 4.5 V ± 20V 6030 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 104W (TC)
CHIPT0110L3E6762SX2XA1 Infineon Technologies CHIPT0110L3E6762SX2XA1 -
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela La Última Vez Que Compre descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001155730 0000.00.0000 1
SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies Spp80p06phxksa1 5.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp80p06 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 80a (TC) 10V 23mohm @ 64a, 10V 4V @ 5.5MA 173 NC @ 10 V ± 20V 5033 pf @ 25 V - 340W (TC)
IRFR2905ZTR Infineon Technologies Irfr2905ztr -
RFQ
 ECAD 1129 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001566952 EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 42a (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1380 pf @ 25 V - 110W (TC)
FS500R17OE4DPBOSA1 Infineon Technologies FS500R17OE4DPBOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS500R17 20 MW Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 1700 V 1000 A 2.3V @ 15V, 500A 3 MA Si 40 NF @ 25 V
IRLU2705 Infineon Technologies IRLU2705 -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLU2705 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 28a (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10v 2V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies IPD95R450PFD7ATMA1 2.8900
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 950 V 13.3a (TC) 10V 450mohm @ 7.2a, 10v 3.5V @ 360 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1230 pf @ 400 V - 104W (TC)
IRL1104 Infineon Technologies IRL1104 -
RFQ
 ECAD 4852 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL1104 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10v 1V @ 250 µA 68 NC @ 4.5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 167W (TC)
BSM150GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies Bsm150gd60dlcbosa1 -
RFQ
 ECAD 6354 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo BSM150 570 W Estándar Módulo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero - 600 V 180 A 2.45V @ 15V, 150a 500 µA No 6.5 NF @ 25 V
BSZ215CHXTMA1 Infineon Technologies BSZ215CHXTMA1 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ215 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N y p-canal complementario 20V 5.1a, 3.2a 55mohm @ 5.1a, 4.5V 1.4V @ 110 µA 2.8nc @ 4.5V 419pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
BCW60A Infineon Technologies BCW60A 0.0400
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar No Aplicable EAR99 8541.21.0075 366 32 V 100 mA 20NA NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 120 @ 2mA, 5V 125MHz
IRGP6640D-EPBF Infineon Technologies IRGP6640D-EPBF -
RFQ
 ECAD 2913 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 200 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001546152 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 24a, 10ohm, 15V 70 ns - 600 V 53 A 72 A 1.95V @ 15V, 24a 90 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 50 NC 40ns/100ns
IPP80N06S2H5AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2H5AKSA2 -
RFQ
 ECAD 5022 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 5.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 230 µA 155 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
IGP20N60H3 Infineon Technologies IGP20N60H3 -
RFQ
 ECAD 4176 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 170 W PG-TO20-3-1 descascar EAR99 8541.29.0095 230 400V, 20a, 14.6ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 80 A 2.4V @ 15V, 20a 450 µJ (Encendido), 240 µJ (apaguado) 120 NC 16ns/194ns
IRF3708STRRPBF Infineon Technologies IRF3708StrrPBF -
RFQ
 ECAD 3619 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 62a (TC) 2.8V, 10V 12mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 12V 2417 pf @ 15 V - 87W (TC)
IRFR18N15DTRLP-INF Infineon Technologies IRFR18N15DTRLP-INF -
RFQ
 ECAD 9284 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Una granela Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 150 V 18a (TC) 125mohm @ 11a, 10v 5.5V @ 250 µA 43 NC @ 10 V 900 pf @ 25 V -
FS300R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS300R12KE3BOSA1 603.4000
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 Infineon Technologies - Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS300R12 1450 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 500 A 2.15V @ 15V, 300A 5 Ma Si 21 NF @ 25 V
IRG4RC10SD Infineon Technologies IRG4RC10SD -
RFQ
 ECAD 9939 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar 38 W D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4RC10SD EAR99 8541.29.0095 75 480V, 8a, 100ohm, 15V 28 ns - 600 V 14 A 18 A 1.8v @ 15V, 8a 310 µJ (Encendido), 3.28mj (apagado) 15 NC 76ns/815ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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