SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BCR191WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR191WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR191 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
IRL520NPBF Infineon Technologies IRL520NPBF 1.1300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL520 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 10a (TC) 4V, 10V 180mohm @ 6a, 10v 2V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 16V 440 pf @ 25 V - 48W (TC)
IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies IPB057N06NATMA1 1.5900
RFQ
 ECAD 840 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB057 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 17A (TA), 45A (TC) 6V, 10V 5.7mohm @ 45a, 10V 2.8V @ 36 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 30 V - 3W (TA), 83W (TC)
BCW66KGE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW66KGE6327HTSA1 0.0579
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW66 500 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 800 Ma 20NA (ICBO) NPN 450mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 170MHz
IRLL1503 Infineon Technologies Irll1503 -
RFQ
 ECAD 6701 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 30 V 75A (TA) 3.3mohm @ 140a, 10V 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V 5730 pf @ 25 V - -
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA1 1.6700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD35N10 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 35A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 35a, 10V 2.4V @ 39 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 71W (TC)
SMBT3906UE6327HTSA1 Infineon Technologies SMBT3906UE6327HTSA1 0.1037
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 SMBT 3906 330MW PG-SC74-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA (ICBO) 2 PNP (dual) 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies BSV236SPH6327XTSA1 0.5500
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BSV236 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.5a (TA) 2.5V, 4.5V 175mohm @ 1.5a, 4.5V 1.2V @ 8 µA 5.7 NC @ 4.5 V ± 12V 228 pf @ 15 V - 560MW (TA)
IRF9410TRPBF Infineon Technologies IRF9410TRPBF -
RFQ
 ECAD 9591 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 7a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 7a, 10v 1V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1 Infineon Technologies FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1 229.0000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF8MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW Ag-Easy1b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 30 2 Canal 1200V 100A (TJ) 8.1mohm @ 100a, 18V 5.15V @ 40mA 297nc @ 18V 8800pf @ 800V CARBURO DE SILICIO (SIC)
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L11ATMA1 1.5300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 41W PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 40V 20A 11.6mohm @ 17a, 10v 2.2V @ 15 µA 26nc @ 10V 1990pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
FS50R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies FS50R12W1T7BOMA1 61.0400
RFQ
 ECAD 1746 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS50R12 20 MW Estándar Ag-Easy1b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 50 A - 7.9 µA Si 11.1 NF @ 25 V
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S51R2ATMA1 2.8700
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IPC100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 100A (TC) 7V, 10V 1.2mohm @ 50A, 10V 3.4V @ 90 µA 131 NC @ 10 V ± 20V 7650 pf @ 25 V - 150W (TC)
64-4092PBF Infineon Technologies 64-4092pbf -
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRLU2705 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 28a (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10v 2V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R125CFD7XKSA1 5.0500
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10v 4.5V @ 390 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1503 pf @ 400 V - 32W (TC)
IRL6342TRPBF Infineon Technologies IRL6342TRPBF 0.5900
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRL6342 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 9.9a (TA) 2.5V, 4.5V 14.6mohm @ 9.9a, 4.5V 1.1V @ 10 µA 11 NC @ 4.5 V ± 12V 1025 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IMT65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies IMT65R039M1HXTMA1 -
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Imt65r descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 2,000
FS100R06KE3BOSA1 Infineon Technologies FS100R06KE3BOSA1 178.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 3 Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS100R06 335 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 600 V 100 A 1.9V @ 15V, 100A 1 MA Si 6.2 NF @ 25 V
BC 848C B6327 Infineon Technologies BC 848C B6327 -
RFQ
 ECAD 3126 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC 848 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
BC846PNE6327BTSA1 Infineon Technologies BC846PNE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 2853 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IPN70R600P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R600P7SATMA1 0.8700
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN70R600 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 700 V 8.5A (TC) 10V 600mohm @ 1.8a, 10V 3.5V @ 90 µA 10.5 NC @ 10 V ± 16V 364 pf @ 400 V - 6.9W (TC)
IRFR3806TRPBF Infineon Technologies IRFR3806TRPBF 1.2600
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR3806 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 43a (TC) 10V 15.8mohm @ 25A, 10V 4V @ 50 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 50 V - 71W (TC)
IRF7457TRPBF Infineon Technologies IRF7457TRPBF -
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 V 15a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 3100 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IGW40N65F5AXKSA1 Infineon Technologies IGW40N65F5AXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7711 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IGW40N Estándar 250 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001187504 EAR99 8541.29.0095 240 400V, 20a, 15ohm, 15V Zanja 650 V 74 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 350 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 95 NC 19ns/165ns
IRFH8324TR2PBF Infineon Technologies IRFH8324TR2PBF 0.6600
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 23a (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 50 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2380 pf @ 10 V - 3.6W (TA), 54W (TC)
SMBT3906E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBT3906E6327HTSA1 0.3700
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MBT3906 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
BC807-40E6327 Infineon Technologies BC807-40E6327 -
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 200MHz
BFR 705L3RH E6327 Infineon Technologies BFR 705L3RH E6327 -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BFR 705 40MW PG-TSLP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 25db 4.7V 10 Ma NPN 160 @ 7MA, 3V 39 GHz 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IRFU3911PBF Infineon Technologies Irfu3911pbf -
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu3911pbf EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 14a (TC) 10V 115mohm @ 8.4a, 10v 4V @ 250 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 56W (TC)
IPP120N06S402AKSA2 Infineon Technologies IPP120N06S402AKSA2 -
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP120N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10v 4V @ 140 µA 195 NC @ 10 V ± 20V 15750 pf @ 25 V - 188W (TC)
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