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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FP25R12KT4_B15 | 54.3200 |  | 150 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP25R12 | 160 W | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-ECONO2-5-1 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 28 A | 2.25V @ 15V, 25A | 1 MA | Si | 1.45 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||
 | IPD14N06S2-80 | - | | 3098 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 80mohm @ 7a, 10v | 4V @ 14 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 293 pf @ 25 V | - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IAUC120N06S5N017ATMA1 | 2.7900 | | 3964 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-43 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 120a (TJ) | 1.7mohm @ 60a, 10v | 3.4V @ 94 µA | 95.9 NC @ 10 V | ± 20V | 6952 pf @ 30 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IAUC120N06S5L032ATMA1 | 1.6500 | | 28 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 120a (TJ) | 3.2mohm @ 60a, 10V | 2.2V @ 44 µA | 51.5 NC @ 10 V | ± 16V | 3823 pf @ 30 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IMBG120R090M1HXTMA1 | 12.7700 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | IMBG120 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO263-7-12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1200 V | 26a (TC) | 125mohm @ 8.5a, 18V | 5.7V @ 3.7MA | 23 NC @ 18 V | +18V, -15V | 763 pf @ 800 V | Estándar | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IMBG120R350M1HXTMA1 | 8.7800 | | 980 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | IMBG120 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO263-7-12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1200 V | 4.7a (TC) | 468mohm @ 2a, 18v | 5.7V @ 1 MMA | 5.9 NC @ 18 V | +18V, -15V | 196 pf @ 800 V | Estándar | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | FF1200R17IP5PBPSA1 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF1200 | 20 MW | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 1200 A | 2.3V @ 15V, 1200A | 10 Ma | Si | 68 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| IAUZ30N06S5L140ATMA1 | 0.9000 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUZ30 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-32 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 30A (TJ) | 14mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 10 µA | 12.2 NC @ 10 V | ± 16V | 888 pf @ 30 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IRFI4212H-117PXKMA1 | 2.3200 | | 1941 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-5 Paqueto completamente, Pechos Formados | Irfi4212 | Mosfet (Óxido de metal) | 18W (TC) | Un entero de 220-5 pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 11a (TC) | 72.5mohm @ 6.6a, 10v | 5V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 490pf @ 50V | - | |||||||||||||||||||||
 | IAUC100N04S6L020ATMA1 | 1.3500 | | 4164 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.04mohm @ 50A, 10V | 2V @ 32 µA | 46 NC @ 10 V | ± 16V | 2744 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IAUC60N04S6N050HATMA1 | 1.6000 | | 4254 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IAUC60 | Mosfet (Óxido de metal) | 52W (TC) | PG-TDSON-8-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | 60A (TJ) | 5mohm @ 30a, 10v | 3V @ 13µA | 17NC @ 10V | 1027pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
| IAUC60N04S6L045HATMA1 | 2.0500 | | 29 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IAUC60 | Mosfet (Óxido de metal) | 52W (TC) | PG-TDSON-8-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | 60A (TJ) | 4.5mohm @ 30a, 10V | 2V @ 13 µA | 19NC @ 10V | 1136pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||
 | IKD08N65ET6arma1 | 1.9900 | | 9855 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ikd08n65 | Estándar | 47 W | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 5A, 47OHM, 15V | 43 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 15 A | 25 A | 1.9V @ 15V, 5A | 110 µJ (Encendido), 40 µJ (apaguado) | 17 NC | 20ns/59ns | |||||||||||||||||||
| IKD06N65ET6arma1 | 1.5800 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ikd06n65 | Estándar | 31 W | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IKD06N65ET6arma1CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 3a, 47ohm, 15V | 30 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 9 A | 18 A | 1.9V @ 15V, 3a | 60 µJ (Encendido), 30 µJ (apaguado) | 13.7 NC | 15ns/35ns | ||||||||||||||||||
| IAUC100N04S6N028ATMA1 | 1.1700 | | 17 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 7V, 10V | 2.86mohm @ 50A, 10V | 3V @ 24 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1781 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IAUC80N04S6L032ATMA1 | 1.0500 | | 8277 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC80 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 3.29mohm @ 40a, 10v | 2V @ 18 µA | 25 NC @ 10 V | ± 16V | 1515 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRF150P221AKMA1 | 7.9000 | | 181 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 150 V | 186a (TC) | 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 4.6V @ 264 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 341W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IKZA40N65RH5XKSA1 | 9.9100 | | 29 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Ikza40 | Estándar | 250 W | PG-TO247-4-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20a, 15ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 74 A | 60 A | 2.1V @ 15V, 40A | 140 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) | 95 NC | 17ns/165ns | ||||||||||||||||||||
 | IPDD60R125CFD7XTMA1 | 5.3000 | | 5515 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 10-PowerSop | IPDD60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-10-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.700 | N-canal | 600 V | 27a (TC) | 125mohm @ 6.8a, 10V | 4.5V @ 340 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1329 pf @ 400 V | - | 176W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPW65R190CFD7AXKSA1 | 4.6900 | | 8084 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R190 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 14a (TC) | 190mohm @ 6.4a, 10V | 4.5V @ 320 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1291 pf @ 400 V | - | 77W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IKW40N65RH5XKSA1 | 8.9500 | | 216 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKW40N65 | Estándar | 250 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20a, 15ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 74 A | 160 A | 2.1V @ 15V, 40A | 160 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) | 95 NC | 18ns/165ns | ||||||||||||||||||||
| IPDD60R055CFD7XTMA1 | 9.0700 | | 468 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 10-PowerSop | IPDD60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-10-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.700 | N-canal | 600 V | 52a (TC) | 55mohm @ 15.1a, 10v | 4.5V @ 760 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 2724 pf @ 400 V | - | 329W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IKZA75N65RH5XKSA1 | 13.8200 | | 84 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Ikza75 | Estándar | 395 W | PG-TO247-4-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 37.5a, 9ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 300 A | 2.1V @ 15V, 75a | 310 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) | 168 NC | 25ns/180ns | ||||||||||||||||||||
| IPD70P04P409ATMA2 | 1.8200 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos®-P2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD70 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 73a (TC) | 8.9mohm @ 70a, 10v | 4V @ 120 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 4810 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | FP25R12KT3BPSA1 | 108.3600 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP25R12 | 105 W | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Econo2-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | - | 1200 V | 40 A | 2.15V @ 15V, 25A | 5 Ma | Si | 1.8 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||
 | FP25R12W2T7B11BPSA1 | 61.1600 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | EasyPim ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP25R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Easy2b-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 25 A | 1.6v @ 15V, 25a | 5.6 µA | Si | 4.77 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| IAUZ40N08S5N100ATMA1 | 0.6636 | | 2228 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 40A (TC) | 6V, 10V | 10mohm @ 20a, 10v | 3.8V @ 27 µA | 24.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1591 pf @ 40 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | 7.4100 | | 6141 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 25A (TC) | 10V | 90mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 630 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2513 pf @ 400 V | - | 127W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Bsc005n03ls5iatma1 | 2.8300 | | 313 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 42a (TA), 433A (TC) | 4.5V, 10V | 0.55mohm @ 50A, 10V | 2V @ 10mA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 8000 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 188W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IPP65R090CFD7XKSA1 | 6.3700 | | 487 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 25A (TC) | 10V | 90mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 630 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2513 pf @ 400 V | - | 127W (TC) |
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