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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IMT65R048M1HXTMA1 | - |  | 7974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Imt65r | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLR7811WCTRLP | - | | 7993 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 64a (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 31 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2260 pf @ 15 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF8304MTR1PBF | - | | 2593 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MX | IRF8304 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ mx | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 28a (TA), 170A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 28a, 10v | 2.35V @ 100 µA | 42 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4700 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BSS159NH6327XTSA1 | - | | 4604 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 230 mA (TA) | 0V, 10V | 3.5ohm @ 160mA, 10V | 2.4V @ 26 µA | 2.9 NC @ 5 V | ± 20V | 44 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH733EED-RE | - | | 3818 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Irg7ch | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF3515Strl | - | | 2595 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 41a (TC) | 10V | 45mohm @ 25A, 10V | 4.5V @ 250 µA | 107 NC @ 10 V | ± 30V | 2260 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRF6702M2DTR1PBF | - | | 9694 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Directfet ™ isométrico ma | IRF6702 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.7w | Directfet ™ mA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 15A | 6.6mohm @ 15a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 14NC @ 4.5V | 1380pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
| MMBTA42LT1HTSA1 | 0.0830 | | 1207 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mmbta42 | 360 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 30mA, 10V | 70MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848CWE6327BTSA1 | - | | 3187 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC848 | 250 MW | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC 807-25 E6433 | - | | 8373 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC 807 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC047N08NS3GATMA1 | 3.1000 | | 416 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC047 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 18a (TA), 100a (TC) | 6V, 10V | 4.7mohm @ 50A, 10V | 3.5V @ 90 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BFP 640 H6433 | - | | 2786 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP 640 | 200MW | PG-SOT343-3D | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 24db | 4.5V | 50mera | NPN | 110 @ 30mA, 3V | 40 GHz | 0.65db ~ 1.2db @ 1.8Ghz ~ 6Ghz | |||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC10S2N06LX2LA1 | - | | 1403 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPL60R125P7AUMA1 | 4.1000 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-Powertsfn | IPL60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-VSON-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 27a (TC) | 10V | 125mohm @ 8.2a, 10V | 4V @ 410 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1544 pf @ 400 V | - | 111W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IKP28N65ES5XKSA1 | 4.0300 | | 3434 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Ikp28n65 | Estándar | 130 W | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 28a, 34ohm, 15V | 73 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 38 A | 90 A | 1.9V @ 15V, 28A | 530 µJ (Encendido), 400 µJ (apaguado) | 50 NC | 27ns/184ns | ||||||||||||||||||||||||
| IRLR4343TRL | - | | 4877 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 26a (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.7a, 10v | 1V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 50 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IQE046N08LM5ATMA1 | 2.8700 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IQE046 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSON-8-5 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 15.6a (TA), 99a (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 47 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 3250 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFSL33N15DTRP | - | | 8007 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 33A (TC) | 10V | 56mohm @ 20a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 2020 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R600E6BTMA1 | - | | 1408 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ E6 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 20.5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IGW15N120H3FKSA1 | 5.2800 | | 250 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IGW15N120 | Estándar | 217 W | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15a, 35ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 30 A | 60 A | 2.4V @ 15V, 15a | 1.55mj | 75 NC | 21ns/260ns | |||||||||||||||||||||||||
| IPP65R225C7XKSA1 | 3.0200 | | 47 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R225 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 225mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 240 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 996 pf @ 400 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BCX53E6327 | 0.0900 | | 264 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2 W | PG-SOT89-4-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 50 mm, 2v | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 135T E6327 | - | | 9142 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 135 | 250 MW | PG-SC-75 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| IPT039N15N5XTMA1 | - | | 5212 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPT039N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 190a (TC) | 8V, 10V | 3.9mohm @ 50A, 10V | 4.6V @ 257 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7700 pf @ 75 V | - | 319W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPU60R2K1Ceakma1 | 0.6300 | | 5249 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU60R2 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 3.7a (TC) | 10V | 2.1ohm @ 760 mm, 10v | 3.5V @ 60 µA | 6.7 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 100 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | SPW12N50C3 | 1.5900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 11.6a (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 3.9V @ 500 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R190CFD7AXKSA1 | 4.6900 | | 8084 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R190 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 14a (TC) | 190mohm @ 6.4a, 10V | 4.5V @ 320 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1291 pf @ 400 V | - | 77W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Bc857bl3e6327xtma1 | 0.1136 | | 8462 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | BC857 | 250 MW | PG-TSLP-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirf7484q | - | | 9830 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001517960 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 40 V | 14a (TA) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V @ 250 µA | 100 NC @ 7 V | ± 8V | 3520 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | BC860BWE6327 | 0.0200 | | 33 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | - | 250MHz |
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