SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRF7807D2PBF Infineon Technologies IRF7807D2PBF -
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001555606 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 8.3a (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 12V Diodo Schottky (Aislado) 2.5W (TA)
IRF7426TR Infineon Technologies Irf7426tr -
RFQ
 ECAD 1888 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 V 11.5a (TA) - - - -
IPB12CN10NGATMA2 Infineon Technologies IPB12CN10NGATMA2 -
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto IPB12C - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000847712 Obsoleto 1,000
IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies IPL65R1K0C6SATMA1 0.6844
RFQ
 ECAD 2205 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IPL65R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSON-8-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 650 V 4.2a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3.5V @ 150 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 328 pf @ 100 V - 34.7W (TC)
IPP47N10SL26AKSA1 Infineon Technologies IPP47N10SL26AKSA1 -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP47N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 47a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 33a, 10v 2V @ 2mA 135 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 175W (TC)
FP15R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies FP15R12W1T7B3BOMA1 47.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Banda Activo 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP15R12 Estándar Ag-Easy1b-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FP15R12W1T7B3BOMA1-448 EAR99 8541.29.0095 24 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V - No
BCR 135L3 E6327 Infineon Technologies BCR 135L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 135 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 kohms 47 kohms
IRFR2407TRR Infineon Technologies IRFR2407TRR -
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR2407 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 42a (TC) 10V 26mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 110W (TC)
IPD06P004NATMA1 Infineon Technologies IPD06P004NATMA1 -
RFQ
 ECAD 9150 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD06P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001727898 EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 16.4a (TC) 10V 90mohm @ 16.4a, 10V 4V @ 710 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 30 V - 63W (TC)
IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies IRFS4010TRLPBF 3.8000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS4010 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 4.7mohm @ 106a, 10v 4V @ 250 µA 215 NC @ 10 V ± 20V 9575 pf @ 50 V - 375W (TC)
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies FF8MR12W1M1HB70BPSA1 207.7600
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo FF8MR12 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 24 -
BSP613P Infineon Technologies BSP613P -
RFQ
 ECAD 3921 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 2.9a (TA) 10V 130mohm @ 2.9a, 10v 4V @ 1MA 33 NC @ 10 V ± 20V 875 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRF6612TRPBF Infineon Technologies IRF6612TRPBF -
RFQ
 ECAD 7679 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 24a (TA), 136a (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 24a, 10v 2.25V @ 250 µA 45 NC @ 4.5 V ± 20V 3970 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
AUIRFR2607Z Infineon Technologies Auirfr2607z -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001517366 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 42a (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10v 4V @ 50 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRGR4607DTRLPBF Infineon Technologies IRGR4607DTRLPBF -
RFQ
 ECAD 5889 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar 58 W D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001549718 EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 4A, 100OHM, 15V 48 ns - 600 V 11 A 12 A 2.05V @ 15V, 4A 140 µJ (Encendido), 62 µJ (apaguado) 9 NC 27ns/120ns
SPU02N60S5BKMA1 Infineon Technologies SPU02N60S5BKMA1 -
RFQ
 ECAD 8147 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Spu02n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10v 5.5V @ 80 µA 9.5 NC @ 10 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 25W (TC)
BSF083N03LQG Infineon Technologies BSF083N03LQG 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Wdson Mosfet (Óxido de metal) MG-WDSON-2, Canpak M ™ descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 13A (TA), 53A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 36W (TC)
IST007N04NM6AUMA1 Infineon Technologies IST007N04NM6AUMA1 3.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-Powersfn Ist007 Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-5-1 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 54A (TA), 440A (TC) 6V, 10V 0.7mohm @ 100a, 10v 3.3V @ 250 µA 152 NC @ 10 V ± 20V 7900 pf @ 20 V - 3.8W (TA), 250W (TC)
94-3316 Infineon Technologies 94-3316 -
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Irll014 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 55 V 2a (TA) 140mohm @ 2a, 10v 2V @ 250 µA 14 NC @ 10 V 230 pf @ 25 V -
IRF520NSTRRPBF Infineon Technologies IRF520NSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 4441 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 9.7a (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
IPI80N06S207AKSA1 Infineon Technologies IPI80N06S207AKSA1 -
RFQ
 ECAD 7084 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.6mohm @ 68a, 10v 4V @ 180 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 25 V - 250W (TC)
IPP03N03LB G Infineon Technologies IPP03N03LB G -
RFQ
 ECAD 4680 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP03N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 55a, 10v 2V @ 100 µA 59 NC @ 5 V ± 20V 7624 pf @ 15 V - 150W (TC)
BUZ73A Infineon Technologies Buz73a -
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 200 V 5.5a (TC) 10V 600mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 530 pf @ 25 V - 40W (TC)
BCX56H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX56H6327XTSA1 0.1920
RFQ
 ECAD 2292 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX56 2 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
IPC60R360P7X7SA1 Infineon Technologies IPC60R360P7X7SA1 -
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo IPC60R - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001681342 0000.00.0000 1 -
IPD26N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA1 -
RFQ
 ECAD 8863 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD26N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 30A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 13a, 10v 2V @ 26 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 621 pf @ 25 V - 68W (TC)
BCR 162 B6327 Infineon Technologies BCR 162 B6327 -
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 162 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 5MA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
IRLBD59N04ETRLP Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP -
RFQ
 ECAD 4703 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-6, d²pak (5 cables + Pestaña), TO-263BA Mosfet (Óxido de metal) Un 263-5 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 59A (TC) 5V, 10V 18mohm @ 35a, 10v 2V @ 250 µA 50 NC @ 5 V ± 10V 2190 pf @ 25 V - 130W (TC)
IPU60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPU60R1K0Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP001369532 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 V 4.3a (TC) 1ohm @ 1.5a, 10v 3.5V @ 130 µA 13 NC @ 10 V 280 pf @ 100 V -
IRF9520NSPBF Infineon Technologies IRF9520NSPBF -
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001551696 EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 6.8a (TC) 10V 480mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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