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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRLR4343-701PBF	-	RFQ	9080	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-4, DPAK (3 cables + Pestaña)			Mosfet (Óxido de metal)			I-pak (LF701)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal			55 V	26a (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 4.7a, 10v	1V @ 250 µA	42 NC @ 10 V	± 20V	740 pf @ 50 V	-	79W (TC)
FP30R07U1E4BPSA1	-	RFQ	5518	Infineon Technologies	SmartPim1	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FP30R07			160 W	Estándar	Módulo	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30	Inversor trifásico															Parada de Campo de Trinchera	650 V	50 A		2V @ 15V, 30a				1 MA	Si	1.9 NF @ 25 V
FP150R12N3T7PB11BPSA1	380.4800	RFQ	6	Infineon Technologies	ECONOPIM ™ 3	Banda	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				20 MW	Rectificador de Puente Trifásico	Ag-Econo3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	6	Inversor trifásico con freno															Parada de Campo de Trinchera	1200 V	150 A		1.8v @ 15V, 150a				12 µA	Si	30.1 NF @ 25 V
IRGS8B60KTRLPBF	-	RFQ	1646	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRGS8B60	Estándar		167 W		D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			400V, 8a, 50ohm, 15V													Escrutinio	600 V	28 A	34 A	2.2V @ 15V, 8a	160 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado)	29 NC	23ns/140ns
IRFS17N20D	-	RFQ	8329	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			200 V	16a (TC)	10V	170mohm @ 9.8a, 10v	5.5V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 140W (TC)
F417MR12W1M1HB70BPSA1	164.4200	RFQ	3853	Infineon Technologies	-	Banda	Activo										-	ROHS3 Cumplante						24
IRFB5615PBFXKMA1	-	RFQ	5367	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	448-IRFB5615PBFXKMA1	EAR99	8541.29.0095	1		N-canal			150 V	35A (TC)	10V	39mohm @ 21a, 10v	5V @ 100 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 50 V	-	144W (TC)
BFR 182 B6663	-	RFQ	6676	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BFR 182			250MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	30,000				12db ~ 18db													12V	35mA									NPN		70 @ 10mA, 8V	8GHz			0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Bsc016n06nsatma1	2.7600	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC016		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8 FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			60 V	30A (TA), 100A (TC)	6V, 10V	1.6mohm @ 50A, 10V	2.8V @ 95 µA	71 NC @ 10 V	± 20V	5200 pf @ 30 V	-	2.5W (TA), 139W (TC)
IPP80N06S208AKSA2	-	RFQ	9147	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80N06		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			55 V	80a (TC)	10V	8mohm @ 58a, 10v	4V @ 150 µA	96 NC @ 10 V	± 20V	2860 pf @ 25 V	-	215W (TC)
IRF9321PBF	-	RFQ	8428	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001551656	EAR99	8541.29.0095	95		Canal P			30 V	15a (TA)	4.5V, 10V	7.2mohm @ 15a, 10v	2.4V @ 50 µA	98 NC @ 10 V	± 20V	2590 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
SPD03N60S5BTMA1	-	RFQ	5314	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD03N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			600 V	3.2a (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	5.5V @ 135 µA	16 NC @ 10 V	± 20V	420 pf @ 25 V	-	38W (TC)
IPS09N03LA G	-	RFQ	6451	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak	IPS09N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3-11	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal			25 V	50A (TC)	4.5V, 10V	8.8mohm @ 30a, 10v	2V @ 20 µA	13 NC @ 5 V	± 20V	1642 pf @ 15 V	-	63W (TC)
Bc847be6433htma1	0.0418	RFQ	5482	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC847			330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																	45 V	100 mA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
BC 850B B5003	-	RFQ	2205	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC 850			330 MW		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																	45 V	100 mA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
Sgp20n60xksa1	-	RFQ	8646	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SGP20N	Estándar		179 W		PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			400V, 20a, 16ohm, 15V													Escrutinio	600 V	40 A	80 A	2.4V @ 15V, 20a	440 µJ (Encendido), 330 µJ (apagado)	100 NC	36NS/225NS
IRG4BC40UPBF	-	RFQ	8163	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRG4BC40	Estándar		160 W		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			480v, 20a, 10ohm, 15V													-	600 V	40 A	160 A	2.1V @ 15V, 20a	320 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado)	100 NC	34ns/110ns
BCR133E6393HTSA1	-	RFQ	4115	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCR133			200 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000010758	EAR99	8541.21.0075	3.000																	50 V	100 mA						100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
BUZ73L	-	RFQ	2486	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			200 V	7a (TC)	5V	400mohm @ 3.5a, 5V	2v @ 1 mapa		± 20V	840 pf @ 25 V	-	40W (TC)
BSD314SPEL6327	1.0000	RFQ	5563	Infineon Technologies	Optimos ™ -p 3	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT363-6-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P			30 V	1.5a (TA)	4.5V, 10V	140mohm @ 1.5a, 10v	2V @ 6.3 µA	2.9 NC @ 10 V	± 20V	294 pf @ 15 V	-	500MW (TA)
IRF6723M2DTR1P	-	RFQ	5860	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Directfet ™ isométrico ma	IRF6723		Mosfet (Óxido de metal)	2.7w		Directfet ™ mA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000	2 Canal N (Dual)				30V	15A		6.6mohm @ 15a, 10v	2.35V @ 25 µA	14NC @ 4.5V		1380pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IRF7756	-	RFQ	9928	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	IRF775		Mosfet (Óxido de metal)	1W		8-TSOP	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7756	EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal P (Dual)				12V	4.3a		40mohm @ 4.3a, 4.5V	900MV @ 250 µA	18NC @ 4.5V		1400pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
F4100R12N2H3FB11BPSA1	275.7100	RFQ	15	Infineon Technologies	*	Banda	Activo				F4100R						-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15
IRF7403TRPBF	1.2200	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7403		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal			30 V	8.5A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 4a, 10v	1V @ 250 µA	57 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
Irf7379tr	-	RFQ	8800	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF737		Mosfet (Óxido de metal)	2.5w		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	Vecino del canal				30V	5.8a, 4.3a		45mohm @ 5.8a, 10v	1V @ 250 µA	25nc @ 10V		520pf @ 25V	-
BC849CE6327HTSA1	0.0418	RFQ	2427	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC849			330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																	30 V	100 mA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	420 @ 2mA, 5V	250MHz
IKW30N65H5XKSA1	5.1100	RFQ	83	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Ikw30n65	Estándar		188 W		PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 15a, 23ohm, 15V												70 ns	Zanja	650 V	55 A	90 A	2.1V @ 15V, 30a	280 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado)	70 NC	20ns/190ns
94-2436	-	RFQ	5890	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo										-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1						-
SPW15N60C3FKSA1	5.4400	RFQ	234	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	SPW15N60		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal			650 V	15A (TC)	10V	280mohm @ 9.4a, 10V	3.9V @ 675 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1660 pf @ 25 V	-	156W (TC)
HigfeB1bosa1	-	RFQ	4295	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-	-	-	Higfeb1				-	-	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000663450	Obsoleto	0000.00.0000	1	-															-				-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²