SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
AIGB30N65H5ATMA1 Infineon Technologies AIGB30N65H5ATMA1 3.8600
RFQ
 ECAD 3223 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab AIGB30 Estándar PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - Escrutinio 650 V 30 A - - -
IPP60R160P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R160P7XKSA1 3.8000
RFQ
 ECAD 527 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R160 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 160mohm @ 6.3a, 10v 4V @ 350 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1317 pf @ 400 V - 81W (TC)
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies AIKB50N65DF5ATMA1 6.3600
RFQ
 ECAD 4053 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab AIKB50 Estándar PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - Escrutinio 650 V 50 A - - -
BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ009NE2LS5ATMA1 2.9200
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ009 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 39A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 900mohm @ 20a, 10V 2V @ 250 µA 124 NC @ 10 V ± 16V 5500 pf @ 12 V - 2.1W (TA), 69W (TC)
BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSZ063N04LS6ATMA1 1.2400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ063 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 15A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 9.5 NC @ 10 V ± 20V 650 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 38W (TC)
IPLK70R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK70R2K0P7ATMA1 1.0500
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8-Powertdfn IPlk70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 700 V - - - - - - -
IPA320N20NM3SXKSA1 Infineon Technologies IPA320N20NM3SXKSA1 2.6400
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA320 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 200 V 26a (TC) 10V 32mohm @ 26a, 10v 4V @ 89 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 100 V - 38W (TC)
IPB60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R210CFD7ATMA1 2.0566
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R210 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 210mohm @ 4.9a, 10v 4.5V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1015 pf @ 400 V - 64W (TC)
IPB60R360CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R360CFD7ATMA1 2.8900
RFQ
 ECAD 1534 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R360 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 360mohm @ 2.9a, 10v 4.5V @ 140 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 679 pf @ 400 V - 43W (TC)
IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon Technologies IAUC100N08S5N031ATMA1 2.8800
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUC100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 100A (TC) 6V, 10V 3.1mohm @ 50A, 10V 3.8V @ 95 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 5525 pf @ 40 V - 167W (TC)
BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC096N10LS5ATMA1 2.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC096 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 40A (TC) 4.5V, 10V 9.6mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 36 µA 14.6 NC @ 4.5 V ± 20V 2100 pf @ 50 V - 3W (TA), 83W (TC)
IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon Technologies IPA126N10NM3SXKSA1 1.8500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA126 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 39A (TC) 6V, 10V 12.6mohm @ 39a, 10v 3.5V @ 46 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 33W (TC)
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB11BPSA1 59.2000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo DF80R07 20 MW Estándar Ag-Easy1b-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 1.72V @ 15V, 20a 12 µA Si 2 NF @ 25 V
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSZ024N04LS6ATMA1 1.9500
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ024 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-BSZ024N04LS6ATMA1DKR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 24a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 75W (TC)
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1B65BOMA1 -
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F3L11MR12 20 MW Estándar Ag-Easy2Bm-2 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de Tres Niveles Zanja 1200 V 100 A 2.1V @ 15V, 100A 40 µA Si 7.36 NF @ 800 V
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R040CFD7ATMA1 10.5600
RFQ
 ECAD 7749 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R040 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 50A (TC) 10V 40mohm @ 24.9a, 10V 4.5V @ 1.25 Ma 108 NC @ 10 V ± 20V 4351 pf @ 400 V - 227W (TC)
IPB0401NM5SATMA1 Infineon Technologies IPB0401NM5SATMA1 4.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - IPB0401 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - - - - - - - -
AIGB30N65F5ATMA1 Infineon Technologies AIGB30N65F5ATMA1 3.8600
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab AIGB30 Estándar PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - Escrutinio 650 V 30 A - - -
FF600R12ME4PB72BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4PB72BPSA1 302.5833
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF600R12 20 MW Estándar Agonod-5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 600 A 2.1V @ 15V, 600A 3 MA Si 37 NF @ 25 V
IPA65R660CFDXKSA2 Infineon Technologies IPA65R660CFDXKSA2 1.3395
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R660 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10v 4.5V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 615 pf @ 100 V - 27.8W (TC)
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies IPA083N10NM5SXKSA1 1.9300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA083 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 50A (TC) 6V, 10V 8.3mohm @ 25A, 10V 3.8V @ 49 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 50 V - 36W (TC)
BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1 1.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -T2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn BSC112 Mosfet (Óxido de metal) 65W (TC) PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 60V 20A (TC) 11.2mohm @ 17a, 10v 2.2V @ 28 µA 55nc @ 10V 4020pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
IPB60R280CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R280CFD7ATMA1 2.8500
RFQ
 ECAD 9606 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R280 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 280mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 180 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 807 pf @ 400 V - 51W (TC)
MMBTA42LT1 Infineon Technologies Mmbta42lt1 1.0000
RFQ
 ECAD 7159 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
FS25R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FS25R12W1T7B11BOMA1 45.7000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™, Trenchstop ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS25R12 20 MW Estándar Ag-Easy1b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FS25R12W1T7B11BOMA1-448 EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 25 A 1.6v @ 15V, 25a 5.6 µA Si 4.77 NF @ 25 V
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N10S5N130ATMA1 1.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUZ40 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 40A (TC) 6V, 10V 13mohm @ 20a, 10v 3.8V @ 27 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1525 pf @ 50 V - 68W (TC)
F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Infineon Technologies F3L200R07W2S5FB11BOMA1 98.4400
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™, Trenchstop ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F3L200 20 MW Estándar Ag-Easy2b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de Tres Niveles Parada de Campo de Trinchera 650 V 95 A 1.38V @ 15V, 100A 1 MA Si 14.3 NF @ 25 V
FS35R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FS35R12W1T7B11BOMA1 52.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™, Trenchstop ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS35R12 20 MW Estándar Ag-Easy1b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FS35R12W1T7B11BOMA1-448 EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 35 A 1.6v @ 15V, 35a 7.3 µA Si 6.62 NF @ 25 V
FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FP15R12W1T7B11BOMA1 50.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Banda Activo 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP15R12 Estándar Ag-Easy1b-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FP15R12W1T7B11BOMA1-448 EAR99 8541.29.0095 24 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V - No
IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies IAUC28N08S5L230ATMA1 1.1900
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUC28 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 28a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 14a, 10v 2V @ 11 µA 15.1 NC @ 10 V ± 20V 867 pf @ 40 V - 38W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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