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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)
IPT004N03LATMA1	6.1600	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-POWERSFN	IPT004	Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOF-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	30 V	300A (TC)	4.5V, 10V	0.4mohm @ 150a, 10V	2.2V @ 250 µA	163 NC @ 4.5 V	± 20V	24000 pf @ 15 V	-	3.8W (TA), 300W (TC)
FS400R07A1E3BOMA1	-	RFQ	6590	Infineon Technologies	Hybridpack ™ 1	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS400R07		1250 W	Estándar	Ag-Hybrid1-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001283950	EAR99	8541.29.0095	1	Inversor trifásico												Parada de Campo de Trinchera	650 V	500 A	1.9V @ 15V, 400A	1 MA	Si	26 NF @ 25 V
Irfi2807	-	RFQ	5961	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Mosfet (Óxido de metal)			Un entero de 220ab-pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfi2807	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	75 V	40A (TC)	10V	13mohm @ 43a, 10v	4V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	3400 pf @ 25 V	-	48W (TC)
IRL2703Strl	-	RFQ	9446	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	30 V	24a (TC)	4.5V, 10V	40mohm @ 14a, 10v	1V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 16V	450 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IRLR3103TRLPBF	-	RFQ	7601	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001558904	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	55A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 33a, 10v	1V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 16V	1600 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IRL1004S	-	RFQ	6779	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRL1004	Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	40 V	130A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 78a, 10v	1V @ 250 µA	100 NC @ 4.5 V	± 16V	5330 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
SPB80N08S2L-07	-	RFQ	1823	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB80N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	75 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6.8mohm @ 67a, 10v	2V @ 250 µA	233 NC @ 10 V	± 20V	6820 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IRLR3114ZTRPBF	1.5200	RFQ	7	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR3114	Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	40 V	42a (TC)	4.5V, 10V	4.9mohm @ 42a, 10v	2.5V @ 100 µA	56 NC @ 4.5 V	± 16V	3810 pf @ 25 V	-	140W (TC)
FS100R07N2E4B11BPSA1	138.2324	RFQ	2068	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 2	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS100R07		335 W	Estándar	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor trifásico												Parada de Campo de Trinchera	650 V	100 A	1.95V @ 15V, 100A	1 MA	Si	6.2 NF @ 25 V
IRFSL33N15D	-	RFQ	5995	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfsl33n15d	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	150 V	33A (TC)	10V	56mohm @ 20a, 10v	5.5V @ 250 µA	90 NC @ 10 V	± 30V	2020 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 170W (TC)
IRF3000PBF	-	RFQ	3125	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf3000pbf	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal	300 V	1.6a (TA)	10V	400mohm @ 960 mm, 10v	5V @ 250 µA	33 NC @ 10 V	± 30V	730 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
FZ2400R12HE4B9NPSA1	866.4800	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo			13500 W	Estándar	-	descascar					EAR99	8541.29.0095	1	Interruptor Único												Parada de Campo de Trinchera	1200 V	3560 A	2.1V @ 15V, 2.4ka	5 Ma	No	150 NF @ 25 V
IPP50N10S3L16AKSA1	-	RFQ	2811	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP50N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	100 V	50A (TC)	4.5V, 10V	15.7mohm @ 50a, 10v	2.4V @ 60 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	4180 pf @ 25 V	-	100W (TC)
IRFB23N20DPBF	-	RFQ	7283	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	200 V	24a (TC)	10V	100mohm @ 14a, 10v	5.5V @ 250 µA	86 NC @ 10 V	± 30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 170W (TC)
Auirls3036	-	RFQ	8002	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001521322	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	60 V	195a (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 165a, 10V	2.5V @ 250 µA	140 NC @ 4.5 V	± 16V	11210 pf @ 50 V	-	380W (TC)
IPB120N06S4H1ATMA1	-	RFQ	7318	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB120N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	60 V	120a (TC)	10V	2.1mohm @ 100a, 10v	4V @ 200 µA	270 NC @ 10 V	± 20V	21900 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IPD60R1K4C6	-	RFQ	2975	Infineon Technologies	CoolMos ™ C6	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	600 V	3.2a (TC)	10V	1.4ohm @ 1.1a, 10V	3.5V @ 90 µA	9.4 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 100 V	-	28.4W (TC)
IPI032N06N3GAKSA1	1.9007	RFQ	6767	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI032	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	60 V	120a (TC)	10V	3.2mohm @ 100a, 10V	4V @ 118 µA	165 nc @ 10 V	± 20V	13000 pf @ 30 V	-	188W (TC)
Auirfu3607	-	RFQ	3401	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		Mosfet (Óxido de metal)			I-pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001520676	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	75 V	56a (TC)	10V	9mohm @ 46a, 10v	4V @ 100 µA	84 NC @ 10 V	± 20V	3070 pf @ 50 V	-	140W (TC)
IRFR3303PBF	-	RFQ	8577	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	30 V	33A (TC)	10V	31mohm @ 18a, 10v	4V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	750 pf @ 25 V	-	57W (TC)
BCX51E6327HTSA1	-	RFQ	9233	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BCX51		2 W		PG-SOT89	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000														45 V	1 A		100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 50 mA, 500 mA	40 @ 150mA, 2V	125MHz
SIPC08N60C3X1SA1	-	RFQ	4889	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo				SIPC08					-	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado	SP000014687		0000.00.0000	1				-
IRF4104SPBF	2.2100	RFQ	1059	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF4104	Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	40 V	75A (TC)	10V	5.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRFR7440PBF	-	RFQ	6409	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001555130	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	40 V	90A (TC)	6V, 10V	2.4mohm @ 90a, 10v	3.9V @ 100 µA	134 NC @ 10 V	± 20V	4610 pf @ 25 V	-	140W (TC)
SPB73N03S2L08T	-	RFQ	9390	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Spb73n	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000016257	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	30 V	73a (TC)	4.5V, 10V	8.1mohm @ 36a, 10v	2V @ 55 µA	46.2 NC @ 10 V	± 20V	1710 pf @ 25 V	-	107W (TC)
Irf530ns	-	RFQ	3116	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf530ns	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	100 V	17a (TC)	10V	90mohm @ 9a, 10v	4V @ 250 µA	37 NC @ 10 V	± 20V	920 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 70W (TC)
IRF3711ZCSTRLP	-	RFQ	4551	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	20 V	92a (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 15a, 10v	2.45V @ 250 µA	24 NC @ 4.5 V	± 20V	2150 pf @ 10 V	-	79W (TC)
IPU60R2K1Ceakma1	0.6300	RFQ	5249	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPU60R2	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	600 V	3.7a (TC)	10V	2.1ohm @ 760 mm, 10v	3.5V @ 60 µA	6.7 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 100 V	-	38W (TC)
BCR 169T E6327	-	RFQ	4923	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	BCR 169		250 MW		PG-SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000														50 V	100 mA		100NA (ICBO)			PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	120 @ 5MA, 5V	200 MHz	4.7 kohms
IRL3715TRL	-	RFQ	9177	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²