SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRFHM8334TRPBF Infineon Technologies IRFHM8334TRPBF -
RFQ
 ECAD 9763 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 25 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 10 V - 2.7W (TA), 28W (TC)
IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies IRFR120ZTRPBF 0.8500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR120 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 8.7a (TC) 10V 190mohm @ 5.2a, 10v 4V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 310 pf @ 25 V - 35W (TC)
IRF6620TRPBF Infineon Technologies IRF6620TRPBF 1.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX IRF6620 Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 20 V 27a (TA), 150a (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 27a, 10v 2.45V @ 250 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 4130 pf @ 10 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRL2703STRL Infineon Technologies IRL2703Strl -
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 24a (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 14a, 10v 1V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 16V 450 pf @ 25 V - 45W (TC)
BC857BWE6327 Infineon Technologies BC857BWE6327 0.0200
RFQ
 ECAD 333 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC857 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
IWM023N08NM5XUMA1 Infineon Technologies IWM023N08NM5XUMA1 2.5200
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 4.800
IPD60R380C6 Infineon Technologies IPD60R380C6 -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 10.6a (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 320 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 100 V - 83W (TC)
SPD07N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD07N60S5BTMA1 0.6400
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5.5V @ 350 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 970 pf @ 25 V - 83W (TC)
IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies IRF540NSTRLPBF 1.6700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF540 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 33A (TC) 10V 44mohm @ 16A, 10V 4V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 20V 1960 pf @ 25 V - 130W (TC)
IRG4BC10SPBF Infineon Technologies IRG4BC10SPBF -
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 38 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 480V, 8a, 100ohm, 15V - 600 V 14 A 18 A 1.8v @ 15V, 8a 140 µJ (Encendido), 2.58MJ (apaguado) 15 NC 25ns/630ns
BF5020WH6327XTSA1 Infineon Technologies Bf5020wh6327xtsa1 -
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 V Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BF5020 800MHz Mosfet PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 25 Ma 10 Ma - 26dB 1.2db 5 V
IRFU3709 Infineon Technologies IRFU3709 -
RFQ
 ECAD 8044 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFU3709 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 41 NC @ 4.5 V ± 20V 2672 pf @ 16 V - 120W (TC)
IRG4BC40W-STRRP Infineon Technologies IRG4BC40W-STRRP -
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRG4BC40 Estándar 160 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001537010 EAR99 8541.29.0095 800 480v, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 40 A 160 A 2.5V @ 15V, 20a 110 µJ (Encendido), 230 µJ (apaguado) 98 NC 27ns/100ns
BCR573E6327 Infineon Technologies BCR573E6327 0.0600
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR573 330 MW PG-SOT23-3-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 1 kohms 10 kohms
IRGPS66160DPBF Infineon Technologies IRGPS66160DPBF -
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 274AA Estándar 750 W Super-247 ™ (TO74AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001548322 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 120a, 4.7ohm, 15V 95 ns - 600 V 240 A 360 A 1.95V @ 15V, 120a 4.47mj (Encendido), 3.43mj (apagado) 220 NC 80ns/190ns
2PS12017E44G35911NOSA1 Infineon Technologies 2PS12017E44G35911NOSA1 -
RFQ
 ECAD 3097 0.00000000 Infineon Technologies Primestack ™ Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 55 ° C Monte del Chasis Módulo 2PS12017 2160 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Inversor trifásico - 2.45V @ 15V, 300A Si
IPD320N20N3GATMA1 Infineon Technologies IPD320N20N3GATMA1 3.4000
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD320 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 34a (TC) 10V 32mohm @ 34a, 10V 4V @ 90 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
IPB031NE7N3G Infineon Technologies IPB031NE7N3G -
RFQ
 ECAD 7760 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 75 V 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 155 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8130 pf @ 37.5 V - 214W (TC)
BCW67C Infineon Technologies BCW67C 0.0300
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 800 Ma 20NA (ICBO) 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 200MHz
IRGS4B60KD1TRLP Infineon Technologies IRGS4B60KD1TRLP -
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRGS4B60 Estándar 63 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 400V, 4A, 100OHM, 15V 93 ns Escrutinio 600 V 11 A 22 A 2.5V @ 15V, 4A 73 µJ (Encendido), 47 µJ (apaguado) 12 NC 22ns/100ns
IPD60R520CP Infineon Technologies IPD60R520CP 1.0000
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 6.8a (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 630 pf @ 100 V - 66W (TC)
BC857B E6327 Infineon Technologies BC857B E6327 0.0400
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 330 MW PG-SOT23 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,460 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
IPU50R2K0CEBKMA1 Infineon Technologies IPU50R2K0CEBKMA1 -
RFQ
 ECAD 4861 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 500 V 2.4a (TC) 13V 2ohm @ 600mA, 13V 3.5V @ 50 µA 6 NC @ 10 V ± 20V 124 pf @ 100 V - 22W (TC)
IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies IGW30N60TPXKSA1 2.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IGW30N60 Estándar 200 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10.5ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 53 A 90 A 1.8v @ 15V, 30a 710 µJ (Encendido), 420 µJ (apaguado) 130 NC 15ns/179ns
BCR 183T E6327 Infineon Technologies BCR 183T E6327 -
RFQ
 ECAD 6804 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 183 250 MW PG-SC-75 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
IPS060N03LGAKMA1 Infineon Technologies IPS060N03LGAKMA1 -
RFQ
 ECAD 2062 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 56W (TC)
IPB26CN10NGATMA1 Infineon Technologies IPB26CN10NGATMA1 -
RFQ
 ECAD 9058 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB26C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 35A (TC) 10V 26mohm @ 35a, 10V 4V @ 39 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2070 pf @ 50 V - 71W (TC)
IPG20N06S4L14ATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L14ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 50W PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000705540 EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 60V 20A 13.7mohm @ 17a, 10v 2.2V @ 20 µA 39NC @ 10V 2890pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRFR4105TRR Infineon Technologies IRFR4105TRR -
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 27a (TC) 10V 45mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 68W (TC)
IPL60R125C7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R125C7AUMA1 5.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL60R Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10v 4V @ 390 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 400 V - 103W (TC)
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