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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFB23N15DPBF | - |  | 8840 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 23a (TC) | 10V | 90mohm @ 14a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Spa16n50c3xksa1 | 3.5900 | | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Spa16n50 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 560 V | 16a (TC) | 10V | 280mohm @ 10a, 10v | 3.9V @ 675 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 34W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BSS816NWH6327XTSA1 | 0.4200 | | 74 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BSS816 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.4a (TA) | 1.8V, 2.5V | 160mohm @ 1.4a, 2.5V | 750MV @ 3.7 µA | 0.6 NC @ 2.5 V | ± 8V | 180 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | FS45MR12W1M1B11BOMA1 | 143.2300 | | 114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS45MR12 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW (TC) | Ag-Easy1bm-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001686600 | EAR99 | 8541.21.0095 | 24 | 6 Canal N (Puente 3 Formas) | 1200V (1.2kv) | 25A (TJ) | 45mohm @ 25A, 15V (typ) | 5.55V @ 10mA | 62NC @ 15V | 1840pf @ 800V | - | |||||||||||||||||||||||
 | IRF7403PBF | - | | 7528 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001563614 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 8.5A (TA) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 4a, 10v | 1V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | Auirf4905l | - | | 3083 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 262 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001521094 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 55 V | 42a (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRF7702TR | - | | 9568 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 12 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 8a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 81 NC @ 4.5 V | ± 8V | 3470 pf @ 10 V | - | 1.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRF7807VD2TR | - | | 5994 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 8.3a (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPD80R1K4CEATMA1 | 1.5800 | | 7369 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD80R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 V | 3.9a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.3a, 10v | 3.9V @ 240 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRF7350TRPBF | - | | 4854 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7350 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Vecino del canal | 100V | 2.1a, 1.5a | 210mohm @ 2.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 28NC @ 10V | 380pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | IRL540NSTRLPBF | 2.3900 | | 54 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL540 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 36A (TC) | 4V, 10V | 44mohm @ 18a, 10v | 2V @ 250 µA | 74 NC @ 5 V | ± 16V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRL3705ZS | - | | 5661 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3705ZS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 52a, 10v | 3V @ 250 µA | 60 NC @ 5 V | ± 16V | 2880 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IRFH5250TRPBF | 1.8000 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IRFH5250 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 V | 45A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 50A, 10V | 2.35V @ 150 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 7174 pf @ 13 V | - | 3.6W (TA), 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRF7329TR | - | | 6854 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF732 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 9.2a | 17mohm @ 9.2a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 57NC @ 4.5V | 3450pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | IRFTS8342TRPBF | 0.5900 | | 4252 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Irfts8342 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8.2a (TA) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 8.2a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 4.8 NC @ 4.5 V | ± 20V | 560 pf @ 25 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | IRLSL3036PBF | - | | 7621 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 140 NC @ 4.5 V | ± 16V | 11210 pf @ 50 V | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRF100B201 | 2.9700 | | 3540 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF100 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 192a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 115a, 10V | 4V @ 250 µA | 255 nc @ 10 V | ± 20V | 9500 pf @ 50 V | - | 441W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRFS4610 | - | | 9160 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFS4610 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 73a (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 3550 pf @ 50 V | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IPP80P04P4L06AKSA1 | - | | 8678 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 40 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 150 µA | 104 NC @ 10 V | +5V, -16V | 6580 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRF7460 | - | | 3636 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7460 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 20 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2050 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | PTFA091201FV4R250XTMA1 | - | | 5468 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas | PTFA091201 | 960MHz | Ldmos | H-37248-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10 µA | 750 Ma | 110W | 19dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
| IRFR3103TRL | - | | 4564 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 1.7a (TA) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IPP60R099P7XKSA1 | 5.2900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R099 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 31a (TC) | 10V | 99mohm @ 10.5a, 10v | 4V @ 530 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1952 pf @ 400 V | - | 117W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRFR220NCPBF | - | | 9657 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 200 V | 5A (TA) | 10V | 600mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRL3103D2STRL | - | | 8624 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 32a, 10v | - | 44 NC @ 4.5 V | ± 16V | 2300 pf @ 25 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | IHW30N135R5XKSA1 | 4.7700 | | 122 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IHW30N135 | Estándar | 330 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 600V, 30a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 1350 V | 60 A | 90 A | 1.95V @ 15V, 30a | 1.4mj (apaguado) | 235 NC | -/310ns | |||||||||||||||||||||||
| IRL3103333STRL | - | | 4512 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001573698 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 64a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 34a, 10v | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 4.5 V | ± 16V | 1650 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRF3710SPBF | - | | 6453 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 57a (TC) | 10V | 23mohm @ 28a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 3130 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRF7220 | - | | 4459 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 14 V | 11a (TA) | 2.5V, 4.5V | 12mohm @ 11a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 125 NC @ 5 V | ± 12V | 8075 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | Bsp92ph6327xtsa1 | 0.6900 | | 3380 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BSP92PH6327 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 260MA (TA) | 2.8V, 10V | 12ohm @ 260mA, 10V | 2V @ 130 µA | 5.4 NC @ 10 V | ± 20V | 104 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) |
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