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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRF7304TR	-	RFQ	3014	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF73		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal P (Dual)			20V	4.3a		90mohm @ 2.2a, 4.5V	700mv @ 250 µA	22NC @ 4.5V		610pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IRFR2407TRPBF	-	RFQ	4954	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR2407		Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		75 V	42a (TC)	10V	26mohm @ 25A, 10V	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPI032N06N3GAKSA1	1.9007	RFQ	6767	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI032		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		60 V	120a (TC)	10V	3.2mohm @ 100a, 10V	4V @ 118 µA	165 nc @ 10 V	± 20V	13000 pf @ 30 V	-	188W (TC)
IRLZ44NSTRR	-	RFQ	2153	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		55 V	47a (TC)	4V, 10V	22mohm @ 25A, 10V	2V @ 250 µA	48 NC @ 5 V	± 16V	1700 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 110W (TC)
IPB80N08S2L07ATMA1	4.8900	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80N		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		75 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6.8mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	233 NC @ 10 V	± 20V	5400 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IRFB3607PBF	1.2400	RFQ	4	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB3607		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		75 V	80a (TC)	10V	9mohm @ 46a, 10v	4V @ 100 µA	84 NC @ 10 V	± 20V	3070 pf @ 50 V	-	140W (TC)
IRGPS46160DPBF	-	RFQ	5270	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRGPS46160	Estándar		750 W	Super-247 ™ (TO74AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001545270	EAR99	8541.29.0095	25			400V, 120a, 4.7ohm, 15V											130 ns	-	600 V	240 A	360 A	2.05V @ 15V, 120a	5.75mj (Encendido), 3.43mj (apaguado)	240 NC	80ns/190ns
BCR133E6393HTSA1	-	RFQ	4115	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BCR133			200 MW	PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000010758	EAR99	8541.21.0075	3.000																50 V	100 mA						100NA (ICBO)	NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
Auirfr3504trl	-	RFQ	7724	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak (TO-252AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001520330	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		40 V	56a (TC)	10V	9.2mohm @ 30a, 10v	4V @ 250 µA	71 NC @ 10 V	± 20V	2150 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRF5210StrlPBF	3.3100	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF5210		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P		100 V	38a (TC)	10V	60mohm @ 38a, 10V	4V @ 250 µA	230 NC @ 10 V	± 20V	2780 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 170W (TC)
IPI200N15N3 G	-	RFQ	4096	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI200N		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		150 V	50A (TC)	8V, 10V	20mohm @ 50a, 10v	4V @ 90 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	1820 pf @ 75 V	-	150W (TC)
IRF6802SDTRPBF	-	RFQ	6639	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico SA	IRF6802		Mosfet (Óxido de metal)	1.7w	Directfet ™ sa	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001530826	EAR99	8541.29.0095	4.800	2 Canal N (Dual)			25V	16A		4.2mohm @ 16a, 10v	2.1V @ 35 µA	13NC @ 4.5V		1350pf @ 13V	Puerta de Nivel Lógico
BSP317PL6327	-	RFQ	3406	Infineon Technologies	Sipmos®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP317		Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT223-4-21	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P		250 V	430 mA (TA)	4.5V, 10V	4ohm @ 430mA, 10V	2V @ 370 µA	15.1 NC @ 10 V	± 20V	262 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
Irf3205zl	-	RFQ	4655	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf3205zl	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		55 V	75A (TC)	10V	6.5mohm @ 66a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3450 pf @ 25 V	-	170W (TC)
IRGP4266PBF	-	RFQ	8415	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		450 W	To47ac	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25			400V, 75a, 10ohm, 15V												-	650 V	140 A	300 A	2.1V @ 15V, 75a	3.2MJ (Encendido), 1.7mj (apagado)	210 NC	80ns/200ns
IGP30N60H3XKSA1	3.0900	RFQ	666	Infineon Technologies	Trenchstop®	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IGP30N60	Estándar		187 W	PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			400V, 30A, 10.5ohm, 15V												Parada de Campo de Trinchera	600 V	60 A	120 A	2.4V @ 15V, 30a	1.17mj	165 NC	18ns/207ns
IPS04N03LA G	-	RFQ	6542	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak	IPS04N		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO251-3-11	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal		25 V	50A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 50a, 10v	2V @ 80 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	5199 pf @ 15 V	-	115W (TC)
IRFZ44VZSPBF	1.1439	RFQ	5081	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Irfz44		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		60 V	57a (TC)	10V	12mohm @ 34a, 10v	4V @ 250 µA	65 NC @ 10 V	± 20V	1690 pf @ 25 V	-	92W (TC)
Irfr9024ntrr	-	RFQ	9291	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P		55 V	11a (TC)	10V	175mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	38W (TC)
IRF7451	-	RFQ	8589	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7451	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal		150 V	3.6a (TA)	10V	90mohm @ 2.2a, 10v	5.5V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 30V	990 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IRFS31N20DTRRP	-	RFQ	9443	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001552276	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		200 V	31a (TC)	10V	82mohm @ 18a, 10v	5.5V @ 250 µA	107 NC @ 10 V	± 30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 200W (TC)
IPP06N03LA	-	RFQ	8836	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP06N		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		25 V	50A (TC)	4.5V, 10V	6.2mohm @ 30a, 10v	2V @ 40 µA	22 NC @ 5 V	± 20V	2653 pf @ 15 V	-	83W (TC)
IRF1407S	-	RFQ	9780	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF1407S	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		75 V	100A (TC)	10V	7.8mohm @ 78a, 10v	4V @ 250 µA	250 nc @ 10 V	± 20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
IRF6727MTRPBF	2.7100	RFQ	4	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX	IRF6727		Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ mx	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal		30 V	32A (TA), 180A (TC)	4.5V, 10V	1.7mohm @ 32a, 10v	2.35V @ 100 µA	74 NC @ 4.5 V	± 20V	6190 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IRF540NSTRLPBF	1.6700	RFQ	29	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF540		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		100 V	33A (TC)	10V	44mohm @ 16A, 10V	4V @ 250 µA	71 NC @ 10 V	± 20V	1960 pf @ 25 V	-	130W (TC)
IRLR9343TRPBF	1.1000	RFQ	3	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR9343		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P		55 V	20A (TC)	4.5V, 10V	105mohm @ 3.4a, 10v	1V @ 250 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	660 pf @ 50 V	-	79W (TC)
IRL1404PBF	-	RFQ	3492	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		40 V	160A (TC)	4.3V, 10V	4mohm @ 95a, 10v	3V @ 250 µA	140 NC @ 5 V	± 20V	6590 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Auirf6215	3.5800	RFQ	740	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Auirf6215		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001521586	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P		150 V	13a (TC)	10V	290mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IRF3205Strr	-	RFQ	9591	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		55 V	110A (TC)	10V	8mohm @ 62a, 10v	4V @ 250 µA	146 NC @ 10 V	± 20V	3247 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRL3714ZLPBF	-	RFQ	4113	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3714ZLPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		20 V	36A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	7.2 NC @ 4.5 V	± 20V	550 pf @ 10 V	-	35W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²