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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF6702M2DTR1PBF | - |  | 9694 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Directfet ™ isométrico ma | IRF6702 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.7w | Directfet ™ mA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 15A | 6.6mohm @ 15a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 14NC @ 4.5V | 1380pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPD135N03LGATMA1 | 0.8700 | | 8 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD135 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Mmbt2222alt1htsa1 | 0.3800 | | 66 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR 193W E6327 | - | | 5008 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BFR 193 | 580MW | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10.5db ~ 16db | 12V | 80mera | NPN | 70 @ 30mA, 8V | 8GHz | 1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP50R199CPXK | - | | 9555 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 17a (TC) | 10V | 199mohm @ 9.9a, 10V | 3.5V @ 660 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 100 V | - | 139W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BCP 55-16 E6327 | - | | 3269 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BCP 55 | 2 W | PG-SOT223-4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Ipu04n03lb g | - | | 7376 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Ipu04n | Mosfet (Óxido de metal) | P-to251-3-1 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 50A, 10V | 2V @ 70 µA | 40 NC @ 5 V | ± 20V | 5200 pf @ 15 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRL8113L | - | | 6936 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL8113L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 105A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 35 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2840 pf @ 15 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| SPI07N60S5HKSA1 | - | | 7945 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Spi07n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 5.5V @ 350 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| BC817K40E6327HTSA1 | 0.3700 | | 117 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 500 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| BCR148E6327HTSA1 | 0.3800 | | 350 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR148 | 200 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 100 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
| IRGSL4640DPBF | - | | 9212 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Estándar | 250 W | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 50 | 400V, 24a, 10ohm, 15V | 89 ns | - | 600 V | 65 A | 72 A | 1.9V @ 15V, 24a | 115 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) | 75 NC | 41ns/104ns | |||||||||||||||||||||||||||
| IAUZ40N06S5N105ATMA1 | 0.3473 | | 8566 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-32 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 40A (TJ) | 7V, 10V | 10.5mohm @ 20a, 10v | 3.4V @ 13 µA | 16.3 NC @ 10 V | ± 20V | 1099 pf @ 30 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| BF886H6327XTSA1 | - | | 6811 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BF886 | 100MW | PG-SOT343 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000834798 | 0000.00.0000 | 3.000 | 19dB | 4v | 25 Ma | NPN | - | 45 GHz | 0.5dB ~ 0.7dB @ 1.9Ghz ~ 5.5Ghz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R600C6 | - | | 9047 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 20.5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| SPU03N60S5 | - | | 1061 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfl024z | - | | 3865 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 55 V | 5.1a (TA) | 10V | 57.5mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRG7PH35U-EPBF | - | | 5892 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | Irg7ph | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGR4607DTRLPBF | - | | 5889 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | 58 W | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001549718 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 4A, 100OHM, 15V | 48 ns | - | 600 V | 11 A | 12 A | 2.05V @ 15V, 4A | 140 µJ (Encendido), 62 µJ (apaguado) | 9 NC | 27ns/120ns | |||||||||||||||||||||||||
 | Auirf1405zs-7trl | 2.5748 | | 1139 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | Auirf1405 | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 120a (TC) | 10V | 4.9mohm @ 88a, 10v | 4V @ 150 µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 5360 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BCR 199t E6327 | - | | 1693 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 199 | 250 MW | PG-SC75-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 70 Ma | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IGP06N60TXKSA1 | 1.6000 | | 493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IGP06N60 | Estándar | 88 W | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V, 6a, 23ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 12 A | 18 A | 2.05V @ 15V, 6a | 200 µJ | 42 NC | 9ns/130ns | |||||||||||||||||||||||||
 | BFR360L3E6765XTMA1 | 0.3900 | | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | BFR360 | 210MW | PG-TSLP-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 11.5db ~ 16db | 9V | 35mA | NPN | 90 @ 15 Ma, 3V | 14GHz | 1DB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW60FN | - | | 1988 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 250 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7828TRPBF | - | | 2271 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 13.6a (TA) | 4.5V | 12.5mohm @ 10a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 5 V | ± 20V | 1010 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
| BCR116E6327HTSA1 | 0.3600 | | 8743 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR116 | 200 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
| IPL60R115CFD7AUMA1 | 5.2400 | | 3371 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | - | IPL60R | - | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | 22a (TC) | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| IRF7353D1TRPBF | - | | 8832 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 6.5a (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRLZ44Z | - | | 6541 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLZ44Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 51a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 31a, 10v | 3V @ 250 µA | 36 NC @ 5 V | ± 16V | 1620 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BSZ033NE2LS5ATMA1 | 1.2600 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSZ033 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 18a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 18.3 NC @ 10 V | ± 16V | 1230 pf @ 12 V | - | 2.1W (TA), 30W (TC) |
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