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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BTS114A E3045A | 3.2200 |  | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Tempfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-5 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 50 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 9a, 10v | 3.5V @ 1MA | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 50W | |||||||||||||||||||||||||
| IPP65R075CFD7AAKSA1 | 7.1717 | | 5018 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 32A (TC) | 10V | 75mohm @ 16.4a, 10v | 4.5V @ 820 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 3288 pf @ 400 V | - | 171W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF1010NSPBF | - | | 3479 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 85A (TC) | 10V | 11mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 3210 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IPC65SR048CFDAE8206X2SA2 | - | | 2984 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IPC65S | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4615DTRLPBF | - | | 4338 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 99 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001534008 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 8a, 47ohm, 15V | 60 ns | - | 600 V | 23 a | 24 A | 1.85V @ 15V, 8a | 70 µJ (Encendido), 145 µJ (apaguado) | 19 NC | 30ns/95ns | ||||||||||||||||||||||||
 | IPI60R600CPAKSA1 | - | | 2070 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 6.1a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.3a, 10V | 3.5V @ 220 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 100 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPP65R225C7 | - | | 2113 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 225mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 240 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 996 pf @ 400 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PTF210451E V1 | - | | 7788 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Goldmos® | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Fin Lidera | 2.17GHz | Ldmos | H-30265-2 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 1 µA | 500 mA | 45W | 14dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPDQ65R125CFD7XTMA1 | 5.3600 | | 3359 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 22 poderos | IPDQ65 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-22-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 125mohm @ 7.8a, 10v | 4.5V @ 390 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1566 pf @ 400 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IPP070N08N3GXKSA1 | 0.9700 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 310 | N-canal | 80 V | 80a (TC) | 6V, 10V | 7mohm @ 73a, 10v | 3.5V @ 73 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 pf @ 40 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| 62-0162pbf | - | | 2478 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPW20N60S5FKSA1 | - | | 8951 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Spw20n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 13a, 10v | 5.5V @ 1MA | 103 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IPC60R037P7X7SA1 | - | | 9686 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | - | - | IPC60 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Bts244z | 1.8100 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Aigw50n65h5xksa1 | 7.7800 | | 3081 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Aigw50 | Estándar | 270 W | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12ohm, 15V | Zanja | 650 V | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 490 µJ (Encendido), 140 µJ (apagado) | 1018 NC | 21ns/156ns | |||||||||||||||||||||||||
 | TMOSP12034 | 1.1600 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC025N03MSGATMA1 | 1.4100 | | 7472 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC025 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 23a (TA). 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7600 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRF40H233XTMA1 | - | | 5323 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IRF40H233 | Mosfet (Óxido de metal) | - | PG-TDSON-8-900 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
 | IAUZ20N08S5L300ATMA1 | 1.1300 | | 7150 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUZ20 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-32 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 10a, 10v | 2V @ 8µA | 10.5 NC @ 10 V | ± 20V | 599 pf @ 40 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IPN60R2K1CE | - | | 3514 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 261-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 3.7a (TC) | 10V | 2.1ohm @ 800 mA, 10V | 3.5V @ 60 µA | 6.7 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 100 V | - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Auirf1010zs | - | | 3773 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001519530 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BSZ050N03LSG | 1.0000 | | 8626 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 16a (TA), 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IMT65R107M1HXTMA1 | - | | 8797 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Imt65r | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI80N04S3-06 | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF9Z24NLPBF | - | | 4578 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf9z24nlpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 55 V | 12a (TC) | 10V | 175mohm @ 7.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| BSZ105N04NSG | - | | 4757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 5,000 | N-canal | 40 V | 11a (TA), 40a (TC) | 10V | 10.5mohm @ 20a, 10v | 4V @ 14 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 20 V | - | 2.1W (TA), 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPT039N15N5ATMA1 | 7.3500 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 21a (TA), 190a (TC) | 8V, 10V | 3.9mohm @ 50A, 10V | 4.6V @ 257 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7700 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 319W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPB026N10NF2SATMA1 | 4.5000 | | 146 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB026N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 162a (TC) | 6V, 10V | 2.65mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 169 µA | 154 NC @ 10 V | ± 20V | 7300 pf @ 50 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRG4PH30KD | - | | 2205 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRG4PH30 | Estándar | 100 W | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRG4PH30KD | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 800V, 10a, 23ohm, 15V | 50 ns | - | 1200 V | 20 A | 40 A | 4.2V @ 15V, 10a | 950 µJ (Encendido), 1.15MJ (apagado) | 53 NC | 39ns/220ns | ||||||||||||||||||||||
| Auxhafr6215 | - | | 4047 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | - |
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