SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPD170N04NGBTMA1 Infineon Technologies IPD170N04NGBTMA1 -
RFQ
 ECAD 2870 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD170N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 30A (TC) 10V 17mohm @ 30a, 10v 4V @ 10 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 20 V - 31W (TC)
BCR116E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR116E6327HTSA1 0.3600
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR116 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 4.7 kohms 47 kohms
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies IPC50N04S5L5R5ATMA1 1.0000
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IPC50N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 2V @ 13 µA 23 NC @ 10 V ± 16V 1209 pf @ 25 V - 42W (TC)
IPB120N06S402ATMA2 Infineon Technologies IPB120N06S402ATMA2 3.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10v 4V @ 140 µA 195 NC @ 10 V ± 20V 15750 pf @ 25 V - 188W (TC)
IRF6718L2TRPBF Infineon Technologies IRF6718L2TRPBF -
RFQ
 ECAD 4665 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L6 Mosfet (Óxido de metal) Directfet l6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 V 61a (TA), 270a (TC) 4.5V, 10V 0.7mohm @ 61a, 10V 2.35V @ 150 µA 96 NC @ 4.5 V ± 20V 6500 pf @ 13 V - 4.3W (TA), 83W (TC)
IRF3515L Infineon Technologies IRF3515L -
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3515L EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 41a (TC) 10V 45mohm @ 25A, 10V 4.5V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 30V 2260 pf @ 25 V - 200W (TC)
IPA180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA180N10N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 28a (TC) 6V, 10V 18mohm @ 28a, 10v 3.5V @ 35 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 50 V - 30W (TC)
IPP072N10N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP072N10N3GHKSA1 -
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP072N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000469896 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 80a (TC) 6V, 10V 7.2mohm @ 80a, 10v 3.5V @ 90 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 4910 pf @ 50 V - 150W (TC)
IRLZ44ZS Infineon Technologies IRLZ44ZS -
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLZ44ZS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 51a (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 31a, 10v 3V @ 250 µA 36 NC @ 5 V ± 16V 1620 pf @ 25 V - 80W (TC)
SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies SPD30N03S2L-07 -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD30N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 30a, 10v 2V @ 85 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 136W (TC)
PTAC210802FCV1XWSA1 Infineon Technologies PTAC210802FCV1XWSA1 -
RFQ
 ECAD 4896 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Descontinuado en sic descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP001028964 EAR99 8541.29.0095 50
IRFC8721ED Infineon Technologies Irfc8721ed -
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570724 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IRLU3303 Infineon Technologies IRLU3303 -
RFQ
 ECAD 6028 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLU3303 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 21a, 10v 1V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 16V 870 pf @ 25 V - 68W (TC)
IRFS3307PBF Infineon Technologies IRFS3307PBF -
RFQ
 ECAD 4930 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001557274 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 6.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 5150 pf @ 50 V - 200W (TC)
IRLS3034-7PPBF Infineon Technologies IRLS3034-7PPBF -
RFQ
 ECAD 3923 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 240a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 200a, 10v 2.5V @ 250 µA 180 NC @ 4.5 V ± 20V 10990 pf @ 40 V - 380W (TC)
IRFU3504Z Infineon Technologies IRFU3504Z -
RFQ
 ECAD 7414 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu3504z EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 40 V 42a (TC) 10V 9mohm @ 42a, 10v 4V @ 50 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1510 pf @ 25 V - 90W (TC)
IRL1104STRL Infineon Technologies IRL1104strl -
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10v 1V @ 250 µA 68 NC @ 4.5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 167W (TC)
PTRA093302DC V1 R250 Infineon Technologies PTRA093302DC V1 R250 -
RFQ
 ECAD 9299 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250
IRF6723M2DTR1P Infineon Technologies IRF6723M2DTR1P -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ isométrico ma IRF6723 Mosfet (Óxido de metal) 2.7w Directfet ™ mA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 2 Canal N (Dual) 30V 15A 6.6mohm @ 15a, 10v 2.35V @ 25 µA 14NC @ 4.5V 1380pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRLR4343TRR Infineon Technologies IRLR4343TRR -
RFQ
 ECAD 9984 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 26a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.7a, 10v 1V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 50 V - 79W (TC)
BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC360N15NS3GATMA1 2.0700
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC360 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 150 V 33A (TC) 8V, 10V 36mohm @ 25A, 10V 4V @ 45 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1190 pf @ 75 V - 74W (TC)
IRFB7546PBF Infineon Technologies IRFB7546PBF 1.2000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB7546 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 75A (TC) 6V, 10V 7.3mohm @ 45a, 10V 3.7V @ 100 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 99W (TC)
BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC030N08NS5ATMA1 2.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC030 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 100A (TC) 6V, 10V 3mohm @ 50a, 10v 3.8V @ 95 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 5600 pf @ 40 V - 2.5W (TA), 139W (TC)
IRF7831PBF Infineon Technologies IRF7831PBF -
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001551568 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 12V 6240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IPB80N06S2L09ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L09ATMA1 -
RFQ
 ECAD 6450 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 52a, 10v 2V @ 125 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 2620 pf @ 25 V - 190W (TC)
IRF7413TRPBF Infineon Technologies IRF7413TRPBF -
RFQ
 ECAD 7487 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 7.3a, 10v 3V @ 250 µA 79 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRFR3711Z Infineon Technologies IRFR3711Z -
RFQ
 ECAD 7482 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFR3711Z EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 27 NC @ 4.5 V ± 20V 2160 pf @ 10 V - 79W (TC)
BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC070N10NS3GATMA1 1.8300
RFQ
 ECAD 3795 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC070 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 90A (TC) 6V, 10V 7mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 75 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 50 V - 114W (TC)
BSL373SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL373SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 1810 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 2a (TA) 10V 230mohm @ 2a, 10v 4V @ 218 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 265 pf @ 25 V - 2W (TA)
IRF7476TRPBF Infineon Technologies IRF7476TRPBF -
RFQ
 ECAD 7221 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 12 V 15a (TA) 2.8V, 4.5V 8mohm @ 15a, 4.5V 1.9V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 12V 2550 pf @ 6 V - 2.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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