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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
IRF7828PBF	-	RFQ	9069	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7828			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal						30 V	13.6a (TA)	4.5V	12.5mohm @ 10a, 4.5V	1V @ 250 µA	14 NC @ 5 V	± 20V	1010 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
FZ3600R12KE3NOSA1	1.0000	RFQ	7	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo					15000 W	Estándar	AG-IHM190-2-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	Interruptor Único																		-	1200 V	4700 A		2.15V @ 15V, 3.6ka					5 Ma	No	260 NF @ 25 V
IRF3315SPBF	-	RFQ	4629	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						150 V	21a (TC)	10V	82mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 94W (TC)
BC858CWH6327XTSA1	0.0558	RFQ	2242	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC858				250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																				30 V	100 mA							15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	420 @ 2mA, 5V	250MHz
BSC046N02KSGAUMA1	1.6700	RFQ	19	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC046			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						20 V	19a (TA), 80a (TC)	2.5V, 4.5V	4.6mohm @ 50A, 4.5V	1.2V @ 110 µA	27.6 NC @ 4.5 V	± 12V	4100 pf @ 10 V	-	2.8W (TA), 48W (TC)
BSP171PL6327HTSA1	-	RFQ	9102	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4-21	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P						60 V	1.9a (TA)	4.5V, 10V	300mohm @ 1.9a, 10V	2V @ 460 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	460 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IPB530N15N3GATMA1	1.8100	RFQ	726	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB530			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						150 V	21a (TC)	8V, 10V	53mohm @ 18a, 10v	4V @ 35 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	887 pf @ 75 V	-	68W (TC)
IRL3102SPBF	-	RFQ	2199	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						20 V	61a (TC)	4.5V, 7V	13mohm @ 37a, 7v	700mV @ 250 µA (min)	58 NC @ 4.5 V	± 10V	2500 pf @ 15 V	-	89W (TC)
IRGIB4607DPBF	-	RFQ	9979	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar					Un 220FP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001537740	EAR99	8541.29.0095	500				-															-	600 V	7 A		-	62 µJ (Encendido), 140 µJ (apaguado)		-
IRF7325PBF	-	RFQ	1921	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF732			Mosfet (Óxido de metal)	2W		8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal P (Dual)							12V	7.8a		24mohm @ 7.8a, 4.5V	900MV @ 250 µA	33NC @ 4.5V		2020pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
IRLR4343	-	RFQ	4703	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						55 V	26a (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 4.7a, 10v	1V @ 250 µA	42 NC @ 10 V	± 20V	740 pf @ 50 V	-	79W (TC)
IPB14N03LA	-	RFQ	2389	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB14N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						25 V	30A (TC)	4.5V, 10V	13.6mohm @ 30a, 10v	2V @ 20 µA	8.3 NC @ 5 V	± 20V	1043 pf @ 15 V	-	46W (TC)
BSS308PEL6327HTSA1	-	RFQ	4179	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P						30 V	2a (TA)	4.5V, 10V	80mohm @ 2a, 10v	2V @ 11 µA	5 NC @ 10 V	± 20V	500 pf @ 15 V	-	500MW (TA)
IPD60R950C6ATMA1	1.3800	RFQ	2	Infineon Technologies	CoolMos ™ C6	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						600 V	4.4a (TC)	10V	950mohm @ 1.5a, 10V	3.5V @ 130 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	280 pf @ 100 V	-	37W (TC)
IRF6802SDTR1PBF	-	RFQ	6271	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico SA	IRF6802			Mosfet (Óxido de metal)	1.7w		Directfet ™ sa	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000	2 Canal N (Dual)							25V	16A		4.2mohm @ 16a, 10v	2.1V @ 35 µA	13NC @ 4.5V		1350pf @ 13V	Puerta de Nivel Lógico
BF2030E6814HTSA1	-	RFQ	2549	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	8 V		Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BF2030		800MHz	Mosfet			PG-SOT-143-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	N-canal		40mera		10 Ma	-	23dB											1.5db									5 V
IRF7457TRPBF	-	RFQ	5349	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						20 V	15a (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	42 NC @ 4.5 V	± 20V	3100 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
IRF3709Strl	-	RFQ	3979	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						30 V	90A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	2672 pf @ 16 V	-	3.1W (TA), 120W (TC)
IRL3715Strl	-	RFQ	2559	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)
IRLR3110ZTRPBF	1.9700	RFQ	19	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR3110			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						100 V	42a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 38a, 10v	2.5V @ 100 µA	48 NC @ 4.5 V	± 16V	3980 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Irg7ch73uef-r	-	RFQ	9622	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Morir	Irg7ch	Estándar					Morir	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	SP001533780	Obsoleto	0000.00.0000	1				600V, 75a, 5ohm, 15V															-	1200 V			2V @ 15V, 75a	-	540 NC	90ns/580ns
IRGB8B60KPBF	-	RFQ	8397	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar			167 W		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000				400V, 5A, 100OHM, 15V															Escrutinio	600 V	28 A	26 A	2.2V @ 15V, 8a	160 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado)	18.2 NC	23ns/140ns
BSP613PH6327XTSA1	1.4100	RFQ	12	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP613			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P						60 V	2.9a (TA)	10V	130mohm @ 2.9a, 10v	4V @ 1MA	33 NC @ 10 V	± 20V	875 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IRLR9343TRPBF	1.1000	RFQ	3	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRLR9343			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P						55 V	20A (TC)	4.5V, 10V	105mohm @ 3.4a, 10v	1V @ 250 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	660 pf @ 50 V	-	79W (TC)
IPD65R225C7ATMA1	2.9200	RFQ	2	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD65R225			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						650 V	11a (TC)	10V	225mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 240 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	996 pf @ 400 V	-	63W (TC)
IRFR13N20DCPBF	-	RFQ	6143	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						200 V	13a (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10v	5.5V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	830 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPD50R520CPATMA1	-	RFQ	6587	Infineon Technologies	CoolMos ™ CP	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD50R520			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-313	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001117706	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						500 V	7.1a (TC)	10V	520mohm @ 3.8a, 10V	3.5V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	680 pf @ 100 V	-	66W (TC)
IPP069N20NM6AKSA1	5.3016	RFQ	8221	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo												-	ROHS3 Cumplante						50
Iqe022n06lm5scatma1	2.8500	RFQ	3218	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN	IQE022			Mosfet (Óxido de metal)			Pg-whson-8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						60 V	24a (TA), 151a (TC)	4.5V, 10V	2.2mohm @ 20a, 10v	2.3V @ 48 µA	53 NC @ 10 V	± 20V	4420 pf @ 30 V	-	2.5W (TA), 100W (TC)
IPZ60R017C7XKSA1	27.0600	RFQ	171	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	IPZ60R017			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal						600 V	109A (TC)	10V	17mohm @ 58.2a, 10v	4V @ 2.91MA	240 NC @ 10 V	± 20V	9890 pf @ 400 V	-	446W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²