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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR9120NPBF | - |  | 7105 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 100 V | 6.6a (TC) | 10V | 480mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFB211803FLV2R250XTMA1 | - | | 1826 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas | 2.17GHz | Ldmos | H-34288-4/2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000865676 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | - | 1.3 A | 40W | 17.5dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB720P15LMATMA1 | 6.0400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB720P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 150 V | 4.6a (TA), 41a (TC) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 37a, 10v | 2V @ 5.55 Ma | 224 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Ipu04n03lb g | - | | 7376 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Ipu04n | Mosfet (Óxido de metal) | P-to251-3-1 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 50A, 10V | 2V @ 70 µA | 40 NC @ 5 V | ± 20V | 5200 pf @ 15 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLS3034PBF | - | | 3303 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 195a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 162 NC @ 4.5 V | ± 20V | 10315 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Irf530ns | - | | 3116 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf530ns | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 17a (TC) | 10V | 90mohm @ 9a, 10v | 4V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 920 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRF40R207 | 0.9800 | | 18 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRF40R207 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 56a (TC) | 6V, 10V | 5.1mohm @ 55a, 10v | 3.9V @ 50 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 2110 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC882N03LSGATMA1 | - | | 7502 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC882 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 34 V | - | 10V | 4.2mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 3700 pf @ 15 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG 235 E6327 | - | | 1508 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BFG 235 | 2W | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 12.5dB | 15V | 300mA | NPN | 75 @ 200Ma, 8V | 5.5 GHz | 1.7dB @ 900MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPS05N03LB G | - | | 5823 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | IPS05N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 60a, 10v | 2V @ 40 µA | 25 NC @ 5 V | ± 20V | 3200 pf @ 15 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBT3906SH6327XTSA1 | 0.0835 | | 2293 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | SMBT 3906 | 330MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 MMA | 50NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 199t E6327 | - | | 1693 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 199 | 250 MW | PG-SC75-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 70 Ma | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IMT65R107M1HXUMA1 | 9.7200 | | 6030 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-HSOF-8-1 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 650 V | - | 18V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGSL4640DPBF | - | | 9212 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Estándar | 250 W | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 50 | 400V, 24a, 10ohm, 15V | 89 ns | - | 600 V | 65 A | 72 A | 1.9V @ 15V, 24a | 115 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) | 75 NC | 41ns/104ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirf6215 | 3.5800 | | 740 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Auirf6215 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001521586 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 290mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IPD05N03LA G | - | | 6405 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD05N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 30a, 10v | 2V @ 50 µA | 25 NC @ 5 V | ± 20V | 3110 pf @ 15 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfi520n | - | | 7202 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi520n | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 7.6a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI126N10N3 G | - | | 4944 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI126N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 58a (TC) | 6V, 10V | 12.6mohm @ 46a, 10v | 3.5V @ 46 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 50 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Irf3711zcl | - | | 9668 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf3711zcl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 92a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 2.45V @ 250 µA | 24 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2150 pf @ 10 V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRF1503StrrPBF | - | | 8550 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF1503 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 5730 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR193WH6327 | - | | 1154 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 580MW | PG-SOT323-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 16dB | 12V | 80mera | NPN | 70 @ 30mA, 8V | 8GHz | 1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R1K4CFDATMA1 | 0.5530 | | 2192 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD65R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 2.8a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1a, 10v | 4.5V @ 100 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 262 pf @ 100 V | - | 28.4W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRL520NPBF | 1.1300 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 4V, 10V | 180mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 16V | 440 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| Irfz24nstrlpbf | - | | 9910 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Irf3711zstrl | - | | 6851 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 92a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 2.45V @ 250 µA | 24 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2150 pf @ 10 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPC100N04S51R9ATMA1 | 1.7200 | | 9463 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IPC100 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 7V, 10V | 1.9mohm @ 50A, 10V | 3.4V @ 50 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 3770 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R120P7XKSA1 | 4.1600 | | 456 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 26a (TC) | 10V | 120mohm @ 8.2a, 10V | 4V @ 410 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1544 pf @ 400 V | - | 95W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPA60R600C6XKSA1 | 1.1203 | | 6754 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R600 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 20.5 NC @ 10 V | ± 20V | 440 pf @ 100 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4PC30K | - | | 7829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRG4PC30 | Estándar | 100 W | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRG4PC30K | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 480v, 16a, 23ohm, 15V | - | 600 V | 28 A | 58 A | 2.7V @ 15V, 16A | 360 µJ (Encendido), 510 µJ (apaguado) | 67 NC | 26ns/130ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW61AE6327 | 1.0000 | | 7478 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | PNP | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 120 @ 2mA, 5V | 250MHz |
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