SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1)
IPP50N10S3L16AKSA1 Infineon Technologies IPP50N10S3L16AKSA1 -
RFQ
 ECAD 2811 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP50N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 50A (TC) 4.5V, 10V 15.7mohm @ 50a, 10v 2.4V @ 60 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 4180 pf @ 25 V - 100W (TC)
IRFB23N20DPBF Infineon Technologies IRFB23N20DPBF -
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 24a (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10v 5.5V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1960 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 170W (TC)
AUIRLS3036 Infineon Technologies Auirls3036 -
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521322 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 195a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 165a, 10V 2.5V @ 250 µA 140 NC @ 4.5 V ± 16V 11210 pf @ 50 V - 380W (TC)
IPB120N06S4H1ATMA1 Infineon Technologies IPB120N06S4H1ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7318 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.1mohm @ 100a, 10v 4V @ 200 µA 270 NC @ 10 V ± 20V 21900 pf @ 25 V - 250W (TC)
IPD60R1K4C6 Infineon Technologies IPD60R1K4C6 -
RFQ
 ECAD 2975 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 90 µA 9.4 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 100 V - 28.4W (TC)
IPI032N06N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI032N06N3GAKSA1 1.9007
RFQ
 ECAD 6767 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI032 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 118 µA 165 nc @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 30 V - 188W (TC)
AUIRFU3607 Infineon Technologies Auirfu3607 -
RFQ
 ECAD 3401 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520676 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 56a (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10v 4V @ 100 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3070 pf @ 50 V - 140W (TC)
IRFR3303PBF Infineon Technologies IRFR3303PBF -
RFQ
 ECAD 8577 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 33A (TC) 10V 31mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 57W (TC)
BCX51E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX51E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX51 2 W PG-SOT89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 125MHz
SIPC08N60C3X1SA1 Infineon Technologies SIPC08N60C3X1SA1 -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo SIPC08 - ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado SP000014687 0000.00.0000 1 -
IRF4104SPBF Infineon Technologies IRF4104SPBF 2.2100
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF4104 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 75A (TC) 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRFR7440PBF Infineon Technologies IRFR7440PBF -
RFQ
 ECAD 6409 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001555130 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 40 V 90A (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 90a, 10v 3.9V @ 100 µA 134 NC @ 10 V ± 20V 4610 pf @ 25 V - 140W (TC)
SPB73N03S2L08T Infineon Technologies SPB73N03S2L08T -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Spb73n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000016257 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 73a (TC) 4.5V, 10V 8.1mohm @ 36a, 10v 2V @ 55 µA 46.2 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 107W (TC)
IRF7555TRPBF Infineon Technologies IRF7555TRPBF -
RFQ
 ECAD 2102 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) IRF7555 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W Micro8 ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V 4.3a 55mohm @ 4.3a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 15NC @ 5V 1066pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
IRF530NS Infineon Technologies Irf530ns -
RFQ
 ECAD 3116 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf530ns EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 17a (TC) 10V 90mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 920 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 70W (TC)
IRF3711ZCSTRLP Infineon Technologies IRF3711ZCSTRLP -
RFQ
 ECAD 4551 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 92a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 20V 2150 pf @ 10 V - 79W (TC)
IPU60R2K1CEAKMA1 Infineon Technologies IPU60R2K1Ceakma1 0.6300
RFQ
 ECAD 5249 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU60R2 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 3.7a (TC) 10V 2.1ohm @ 760 mm, 10v 3.5V @ 60 µA 6.7 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 100 V - 38W (TC)
BCR 169T E6327 Infineon Technologies BCR 169T E6327 -
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 169 250 MW PG-SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 200 MHz 4.7 kohms
IRL3715TRL Infineon Technologies IRL3715TRL -
RFQ
 ECAD 9177 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC190N15NS3GATMA1 3.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC190 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 150 V 50A (TC) 8V, 10V 19mohm @ 50a, 10v 4V @ 90 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2420 pf @ 75 V - 125W (TC)
IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R099C7XKSA1 6.2800
RFQ
 ECAD 5288 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 22a (TC) 10V 99mohm @ 9.7a, 10v 4V @ 490 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1819 pf @ 400 V - 110W (TC)
IRF7458PBF Infineon Technologies IRF7458PBF -
RFQ
 ECAD 1573 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001555388 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 14a (TA) 10V, 16V 8mohm @ 14a, 16V 4V @ 250 µA 59 NC @ 10 V ± 30V 2410 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO033N03MSGXUMA1 1.5600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO033 Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 17a (TA) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 22a, 10v 2V @ 250 µA 124 NC @ 10 V ± 20V 9600 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
PTFA191001F V4 R250 Infineon Technologies PTFA191001F V4 R250 -
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA191001 1.96 GHz Ldmos H-37248-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 900 mA 44dbm 17dB - 30 V
62-0258PBF Infineon Technologies 62-0258pbf -
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Activo 62-0258 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001562410 EAR99 8541.29.0095 95
IRF7404TRPBF Infineon Technologies IRF7404TRPBF 1.0300
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7404 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 6.7a (TA) 2.7V, 4.5V 40mohm @ 3.2a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 50 NC @ 4.5 V ± 12V 1500 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BC817K25E6327HTSA1 Infineon Technologies BC817K25E6327HTSA1 0.3700
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 170MHz
IRF3704LPBF Infineon Technologies IRF3704LPBF -
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3704LPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 77a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1996 pf @ 10 V - 87W (TC)
IGC18T120T8LX1SA2 Infineon Technologies IGC18T120T8LX1SA2 -
RFQ
 ECAD 6427 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir IGC18T120 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - Parada de Campo de Trinchera 1200 V 45 A 2.07V @ 15V, 15a - -
IRF7301PBF Infineon Technologies IRF7301PBF -
RFQ
 ECAD 1547 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF73 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal N (Dual) 20V 5.2a 50mohm @ 2.6a, 4.5V 700mv @ 250 µA 20NC @ 4.5V 660pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
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AD9208BBPZ-3000

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