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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IRLC3813EB	-	RFQ	2249	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1				-
BSP603S2LHUMA1	-	RFQ	6595	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal	55 V	5.2a (TA)	4.5V, 10V	33mohm @ 2.6a, 10v	2V @ 50 µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1390 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IPD25DP06LMSAUMA1	-	RFQ	2824	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD25DP06	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-313	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP004987234	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	60 V	6.5a (TC)	4.5V, 10V	250mohm @ 6.5a, 10V	2V @ 270 µA	13.8 NC @ 10 V	± 20V	420 pf @ 30 V	-	28W (TC)
IRFB4510GPBF	-	RFQ	4360	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001572362	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	100 V	62a (TC)	10V	13.5mohm @ 37a, 10v	4V @ 100 µA	87 NC @ 10 V	± 20V	3180 pf @ 50 V	-	140W (TC)
BSZ180P03NS3GATMA1	0.8200	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ180	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		Canal P	30 V	9a (TA), 39.6a (TC)	6V, 10V	18mohm @ 20a, 10v	3.1V @ 48 µA	30 NC @ 10 V	± 25V	2220 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 40W (TC)
IPI80N06S207AKSA2	-	RFQ	3600	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI80N06	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	55 V	80a (TC)	10V	6.6mohm @ 68a, 10v	4V @ 180 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3400 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IPA60R600P6XKSA1	1.8600	RFQ	1002	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R600	Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	4.9a (TC)	10V	600mohm @ 2.4a, 10V	4.5V @ 200 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	557 pf @ 100 V	-	28W (TC)
SPI80N03S2L-06	-	RFQ	3026	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Spi80n	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6.2mohm @ 80a, 10v	2V @ 80 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	2530 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IPD60R180P7ATMA1	2.7400	RFQ	12	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	600 V	18a (TC)	10V	180mohm @ 5.6a, 10v	4V @ 280 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1081 pf @ 400 V	-	72W (TC)
IRL1104Strlpbf	-	RFQ	2324	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001576402	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	40 V	104a (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 62a, 10v	1V @ 250 µA	68 NC @ 4.5 V	± 16V	3445 pf @ 25 V	-	2.4W (TA), 167W (TC)
IPP60R125CFD7XKSA1	5.0500	RFQ	390	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP60R125	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	18a (TC)	10V	125mohm @ 7.8a, 10v	4.5V @ 390 µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1503 pf @ 400 V	-	92W (TC)
IPD50N06S214ATMA2	1.7500	RFQ	1999	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD50	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	55 V	50A (TC)	10V	14.4mohm @ 32a, 10v	4V @ 80 µA	52 NC @ 10 V	± 20V	1485 pf @ 25 V	-	136W (TC)
IRFH5053TR2PBF	-	RFQ	5235	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8Powervdfn		Mosfet (Óxido de metal)			Pqfn (5x6) muere individual	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal	100 V	9.3a (TA), 46a (TC)		18mohm @ 9.3a, 10V	4.9V @ 100 µA	36 NC @ 10 V		1510 pf @ 50 V	-
FF600R12IE4PNOSA1	548.1433	RFQ	4469	Infineon Technologies	Primepack ™ 2	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF600R12		3350 W	Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3	Medio puente												Parada de Campo de Trinchera	1200 V	600 A	2.05V @ 15V, 600A	5 Ma	Si	37 NF @ 25 V
Irfz34nstrlpbf	1.7900	RFQ	310	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFZ34	Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	55 V	29a (TC)	10V	40mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 68W (TC)
IPA50R950CEXKSA2	0.9300	RFQ	3299	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA50R950	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	500 V	3.7a (TC)	13V	950mohm @ 1.2a, 13V	3.5V @ 100 µA	10.5 NC @ 10 V	± 20V	231 pf @ 100 V	-	25.7W (TC)
IPT014N08NM5ATMA1	6.8200	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-POWERSFN	IP5014N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOF-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	80 V	37a (TA), 331A (TC)	6V, 10V	1.4mohm @ 150a, 10v	3.8V @ 280 µA	200 NC @ 10 V	± 20V	14000 pf @ 40 V	-	300W (TC)
IRFR1018ETRPBF	1.6600	RFQ	36	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR1018	Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	60 V	56a (TC)	10V	8.4mohm @ 47a, 10v	4V @ 100 µA	69 NC @ 10 V	± 20V	2290 pf @ 50 V	-	110W (TC)
BSC889N03MSGATMA1	-	RFQ	2905	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal	30 V	12A (TA) 44A (TC)	4.5V, 10V	9.1mohm @ 30a, 10V	2V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 28W (TC)
IRFU2405PBFAKLA1	-	RFQ	5208	Infineon Technologies	*	Tubo	Activo									-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	448-IRFU2405PBFAKLA1
IPT60R040S7XTMA1	10.1000	RFQ	7446	Infineon Technologies	CoolMos ™ S7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-POWERSFN	IPT60R040	Mosfet (Óxido de metal)			PG-HSOF-8-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	600 V	13a (TC)	12V	40mohm @ 13a, 12V	4.5V @ 790 µA	83 NC @ 12 V	± 20V	3127 pf @ 300 V	-	245W (TC)
IPDD60R102G7XTMA1	6.8200	RFQ	9520	Infineon Technologies	CoolMos ™ G7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 10-PowerSop	IPDD60	Mosfet (Óxido de metal)			PG-HDSOP-10-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.700		N-canal	600 V	23a (TC)	10V	102mohm @ 7.8a, 10v	4V @ 390 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1320 pf @ 400 V	-	139W (TC)
IPA50R380CE	-	RFQ	4249	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA50R	Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	500 V	9.9a (TC)	13V	380mohm @ 3.2a, 13V	3.5V @ 260 µA	24.8 NC @ 10 V	± 20V	584 pf @ 100 V	-	29.2W (TC)
IQDH45N04LM6CGATMA1	4.0500	RFQ	8000	Infineon Technologies	Optimos ™ 6	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	9-Powertdfn	IQDH45	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TTFN-9-U02	-	ROHS3 Cumplante				EAR99	8542.39.0001	5,000		N-canal	40 V	60A (TA), 637A (TC)	4.5V, 10V	0.45mohm @ 50A, 10V	2.3V @ 1.449MA	129 NC @ 10 V	± 20V	12000 pf @ 20 V	-	3W (TA), 333W (TC)
Auirf3004wl	-	RFQ	2789	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	A 262-3 Cables de Ancho	Auirf3004	Mosfet (Óxido de metal)			Un 262-3 de ancho	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001517752	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	40 V	240a (TC)	10V	1.4mohm @ 195a, 10v	4V @ 250 µA	210 NC @ 10 V	± 20V	9450 pf @ 32 V	-	375W (TC)
IGLD60R190D1AUMA3	14.3900	RFQ	100	Infineon Technologies	Coolgan ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-LDFN PADS exposición		Ganfet (Nitruro de Galio)			PG-LSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	600 V	10a (TC)	-	-	1.6V @ 960 µA		-10V	157 pf @ 400 V	-	62.5W (TC)
Bso303ph	-	RFQ	2988	Infineon Technologies	Optimos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO303	Mosfet (Óxido de metal)	2W (TA)		PG-dso-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	2.500	2 Canal P (Dual)		30V	7a (TC)		21mohm @ 8.2a, 10v	2V @ 100 µA	49NC @ 10V		2678pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
ISC240P06LMATMA1	2.7800	RFQ	4	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo				ISC240P06					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000
IPB013N06NF2SATMA1	3.9600	RFQ	800	Infineon Technologies	StrongIrfet ™ 2	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB013	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	60 V	40a (TA), 198a (TC)	6V, 10V	1.3mohm @ 100a, 10v	3.3V @ 246 µA	305 NC @ 10 V	± 20V	13800 pf @ 30 V	-	3.8W (TA), 300W (TC)
IPDQ60R010S7XTMA1	29.6300	RFQ	4315	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 22 poderos	IPDQ60R	Mosfet (Óxido de metal)			PG-HDSOP-22-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	750		N-canal	600 V	50A (TC)	12V	10mohm @ 50A, 12V	4.5V @ 3.08MA	318 NC @ 12 V	± 20V	11987 pf @ 300 V	-	694W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²