SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Tipo de transistor
64-2105PBF Infineon Technologies 64-2105pbf -
RFQ
 ECAD 7309 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF1404 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 75A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 4340 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRFB4410ZPBF Infineon Technologies IRFB4410ZPBF 1.6600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB4410 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 97a (TC) 10V 9mohm @ 58a, 10v 4V @ 150 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 4820 pf @ 50 V - 230W (TC)
IRFP4110PBF Infineon Technologies Irfp4110pbf 4.9200
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP4110 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 20V 9620 pf @ 50 V - 370W (TC)
IRFU2607ZPBF Infineon Technologies IRFU2607ZPBF -
RFQ
 ECAD 1103 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001576352 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 75 V 42a (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10v 4V @ 50 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRGI4061DPBF Infineon Technologies IRGI4061DPBF -
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 43 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 11a, 22ohm, 15V 60 ns Zanja 600 V 20 A 40 A 1.59V @ 15V, 11a 52 µJ (Encendido), 231 µJ (apaguado) 35 NC 37ns/111ns
IRGP30B120KDPBF Infineon Technologies IRGP30B120KDPBF -
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRGP30 Estándar 300 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001546224 EAR99 8541.29.0095 400 600V, 25a, 5ohm, 15V 300 ns Escrutinio 1200 V 60 A 120 A 4V @ 15V, 60A 1.07mj (Encendido), 1.49mj (apaguado) 169 NC -
IRGPS4067DPBF Infineon Technologies IRGPS4067DPBF -
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 274AA Estándar 750 W Super-247 ™ (TO74AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001536538 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 120a, 4.7ohm, 15V 130 ns Zanja 600 V 240 A 360 A 2.05V @ 15V, 120a 5.75mj (Encendido), 3.43mj (apaguado) 240 NC 80ns/190ns
PTFB191501FV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB191501FV1R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 1210 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFB191501 1.99 GHz Ldmos H-37248-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.2 A 150W 18dB - 30 V
PTFB211501FV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB211501FV1R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 4350 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFB211501 2.17GHz Ldmos H-37248-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.2 A 40W 18dB - 30 V
BCV61BE6433HTMA1 Infineon Technologies Bcv61be6433htma1 0.1302
RFQ
 ECAD 9563 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 30V Espejo real Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BCV61 PG-SOT-143-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 100mA 2 NPN, Base Collector Junction
IKD04N60RF Infineon Technologies IKD04N60RF -
RFQ
 ECAD 7108 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ikd04n Estándar 75 W PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 4A, 43OHM, 15V 34 ns Zanja 600 V 8 A 12 A 2.5V @ 15V, 4A 110 µJ 27 NC 12ns/116ns
IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies IPD100N04S402ATMA1 2.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 2mohm @ 100a, 10v 4V @ 95 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 9430 pf @ 25 V - 150W (TC)
IPD65R660CFDBTMA1 Infineon Technologies IPD65R660CFDBTMA1 -
RFQ
 ECAD 9895 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 6a (TC) 10V 660mohm @ 2.1a, 10v 4.5V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 615 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
SKB06N60ATMA1 Infineon Technologies Skb06n60atma1 -
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Skb06n Estándar 68 W PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 6a, 50ohm, 15V 200 ns Escrutinio 600 V 12 A 24 A 2.4V @ 15V, 6a 215 µJ 32 NC 25ns/220ns
BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC010NE2LSATMA1 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC010 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 39A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 4700 pf @ 12 V - 2.5W (TA), 96W (TC)
BSS126H6906XTSA1 Infineon Technologies BSS126H6906XTSA1 0.7600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS126 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 V 21 Ma (TA) 0V, 10V 500ohm @ 16 Ma, 10v 1.6V @ 8 µA 2.1 NC @ 5 V ± 20V 28 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 500MW (TA)
IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies IHW30N110R3FKSA1 4.2700
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ihw30n110 Estándar 333 W PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 600V, 30a, 15ohm, 15V Zanja 1100 V 60 A 90 A 1.75V @ 15V, 30a 1.15mj (apaguado) 180 NC -/350ns
IKW20N60TAFKSA1 Infineon Technologies Ikw20n60tafksa1 -
RFQ
 ECAD 4622 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero TO-247-3 Ikw20n60 Estándar 166 W PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 400V, 20a, 12ohm, 15V 41 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 60 A 2.05V @ 15V, 20a 770 µJ 120 NC 18ns/199ns
IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA093N06N3GXKSA1 1.3000
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA093 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 43a (TC) 10V 9.3mohm @ 40a, 10V 4V @ 34 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 30 V - 33W (TC)
IPA65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies IPA65R110CFDXKSA1 4.4522
RFQ
 ECAD 7262 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R Mosfet (Óxido de metal) PG-to20-3-111 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 31.2a (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10v 4.5V @ 1.3MA 118 NC @ 10 V ± 20V 3240 pf @ 100 V - 34.7W (TC)
IPA65R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA65R190C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R Mosfet (Óxido de metal) PG-to20-3-111 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 3.5V @ 730 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 100 V - 34W (TC)
IPA65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA1 -
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R Mosfet (Óxido de metal) PG-to20-3-111 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 17.5a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 4.5V @ 730 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 100 V - 34W (TC)
IPI100N04S4H2AKSA1 Infineon Technologies IPI100N04S4H2AKSA1 -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 100a, 10v 4V @ 70 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 7180 pf @ 25 V - 115W (TC)
IPI120N04S402AKSA1 Infineon Technologies IPI120N04S402AKSA1 2.4212
RFQ
 ECAD 9651 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 2.1mohm @ 100a, 10v 4V @ 110 µA 134 NC @ 10 V ± 20V 10740 pf @ 25 V - 158W (TC)
IPI50R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R299CPXKSA1 -
RFQ
 ECAD 5899 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10v 3.5V @ 440 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1190 pf @ 100 V - 104W (TC)
IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI530N15N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI530 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 150 V 21a (TC) 8V, 10V 53mohm @ 18a, 10v 4V @ 35 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 887 pf @ 75 V - 68W (TC)
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI600N25N3GAKSA1 -
RFQ
 ECAD 4633 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI600 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 250 V 25A (TC) 10V 60mohm @ 25A, 10V 4V @ 90 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
IPI65R280C6XKSA1 Infineon Technologies IPI65R280C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 2239 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 13.8a (TC) 10V 280mohm @ 4.4a, 10V 3.5V @ 440 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
IPI65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies IPI65R420CFDXKSA1 -
RFQ
 ECAD 4661 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 340 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 100 V - 83.3W (TC)
IPI90N04S402AKSA1 Infineon Technologies IPI90N04S402AKSA1 3.1900
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI90N04 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 90A (TC) 10V 2.5mohm @ 90a, 10v 4V @ 95 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 9430 pf @ 25 V - 150W (TC)
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