SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FS75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3BOSA1 -
RFQ
ECAD 5014 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS75R12 350 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Escrutinio 1200 V 105 A 2.15V @ 15V, 75a 5 Ma Si 5.3 NF @ 25 V
BSC106N025S G Infineon Technologies BSC106N025S G -
RFQ
ECAD 6782 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 13A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 11 NC @ 5 V ± 20V 1370 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 43W (TC)
DDB6U180N16RRB37BOSA1 Infineon Technologies Ddb6u180n16rrb37bosa1 -
RFQ
ECAD 6622 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Descontinuado en sic Montaje en superficie Módulo Ddb6u180 Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10
IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies IPT008N06NM5LFATMA1 6.5600
RFQ
ECAD 9377 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IPT008N Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 454a (TC) 10V 0.8mohm @ 150a, 10V 3.6V @ 250 µA 185 NC @ 10 V ± 20V 980 pf @ 30 V - 278W (TC)
IKN06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKN06N60RC2ATMA1 0.9500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Ikn06n Estándar 7.2 W PG-SOT223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IKN06N60RC2ATMA1DKR EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 6a, 49ohm, 15V 42 ns - 600 V 8 A 18 A 2.3V @ 15V, 6a 151 µJ (Encendido), 104 µJ (apaguado) 31 NC 8.8ns/174ns
IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies IPB65R310CFDAATMA1 3.4900
RFQ
ECAD 992 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R310 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 11.4a (TC) 10V 310mohm @ 4.4a, 10V 4.5V @ 440 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1110 pf @ 100 V - 104.2W (TC)
BSS205NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS205NL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4235 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.5a (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5V 1.2V @ 11 µA 3.2 NC @ 4.5 V ± 12V 419 pf @ 10 V - 500MW (TA)
IGW30N100TFKSA1 Infineon Technologies IGW30N100TFKSA1 -
RFQ
ECAD 8657 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 412 W PG-TO247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 600V, 30a, 16ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 1000 V 60 A 90 A 1.9V @ 15V, 30a 3.8mj 217 NC 33ns/535ns
BF 5030R E6327 Infineon Technologies BF 5030R E6327 -
RFQ
ECAD 3326 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 V Montaje en superficie Sot-143r BF 5030 800MHz Mosfet PG-SOT-143R-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 25 Ma 10 Ma - 24db 1.3db 3 V
IPC60R380E6X7SA1 Infineon Technologies IPC60R380E6X7SA1 -
RFQ
ECAD 8232 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto IPC60R - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001418066 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
FF225R65T3E3P6BPMA1 Infineon Technologies FF225R65T3E3P6BPMA1 1.0000
RFQ
ECAD 3831 0.00000000 Infineon Technologies XHP ™ 3 Banda Activo 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF225R65 1000 W Estándar AG-XHP3K65 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 5900 V 225 A 3.4V @ 15V, 225a 5 Ma No 65.6 NF @ 25 V
IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R180P7XKSA1 4.2900
RFQ
ECAD 6280 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW60R180 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 18a (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10v 4V @ 280 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1081 pf @ 400 V - 72W (TC)
IPB65R190C6ATMA1 Infineon Technologies IPB65R190C6ATMA1 -
RFQ
ECAD 4026 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 3.5V @ 730 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 100 V - 151W (TC)
BCR158E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR158E6327HTSA1 0.0743
RFQ
ECAD 4974 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR158 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
SPB02N60C3 Infineon Technologies SPB02N60C3 0.5100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10v 3.9V @ 80 µA 12.5 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
BFP420H6433XTMA1 Infineon Technologies Bfp420h643333xtma1 0.6900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP420 160MW PG-SOT343-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 21db 5V 35mA NPN 60 @ 20MA, 4V 25 GHz 1.1DB @ 1.8GHz
SPP20N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Spp20n60cfdxksa1 3.9983
RFQ
ECAD 3126 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp20n60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 20.7a (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 208W (TC)
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 134.6156
RFQ
ECAD 7569 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW Módulo - ROHS3 Cumplante 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 18 2 Canal 1200V 200a (TJ) 5.63mohm @ 200a, 15V 5.55V @ 80MA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V CARBURO DE SILICIO (SIC)
IPBE65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPBE65R099CFD7AATMA1 7.9300
RFQ
ECAD 2818 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ CFD7A Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb IPBE65 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 99mohm @ 12.5a, 10V 4.5V @ 630 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 2513 pf @ 400 V - 127W (TC)
BCX5416E6327 Infineon Technologies BCX5416E6327 -
RFQ
ECAD 2516 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2 W PG-SOT89-4-2 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 332 45 V 1 A 100NA (ICBO) 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies IPB027N10N5ATMA1 6.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB027 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 120a (TC) 6V, 10V 2.7mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 184 µA 139 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 50 V - 250W (TC)
BCR129E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR129E6327HTSA1 0.0495
RFQ
ECAD 9791 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR129 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 kohms
BSZ050N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSZ050N03MSGATMA1 0.9000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ050 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 15A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 15 V - 2.1W (TA), 48W (TC)
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1B74BOMA1 198.0200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F3L11MR12 20 MW Estándar Ag-Easy2b-2 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de Tres Niveles Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 1.5V @ 15V, 100A 9 µA Si 21.7 NF @ 25 V
BCR 148T E6327 Infineon Technologies BCR 148T E6327 -
RFQ
ECAD 2144 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 148 250 MW PG-SC-75 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 70 Ma 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 47 kohms 47 kohms
IPP22N03S4L15AKSA1 Infineon Technologies IPP22N03S4L15AKSA1 -
RFQ
ECAD 4293 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP22N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 22a (TC) 4.5V, 10V 14.9mohm @ 22a, 10v 2.2V @ 10 µA 14 NC @ 10 V ± 16V 980 pf @ 25 V - 31W (TC)
IPB80N06S207ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA1 -
RFQ
ECAD 7895 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.3mohm @ 68a, 10v 4V @ 180 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 25 V - 250W (TC)
AUIRLR120N Infineon Technologies Auirlr120n -
RFQ
ECAD 3129 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521880 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 10a (TC) 4V, 10V 185mohm @ 6a, 10v 2V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 16V 440 pf @ 25 V - 48W (TC)
IAUT260N10S5N019ATMA1 Infineon Technologies IAUT260N10S5N019ATMA1 6.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IAUT260 Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 260a (TC) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 210 µA 166 NC @ 10 V ± 20V 11830 pf @ 50 V - 300W (TC)
IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R125CPATMA1 7.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R125 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 16A, 10V 3.5V @ 1.1MA 70 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 100 V - 208W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

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    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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