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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | FS75R12KE3BOSA1 | - | ![]() | 5014 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS75R12 | 350 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Escrutinio | 1200 V | 105 A | 2.15V @ 15V, 75a | 5 Ma | Si | 5.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC106N025S G | - | ![]() | 6782 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 13A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 10.6mohm @ 30a, 10v | 2V @ 20 µA | 11 NC @ 5 V | ± 20V | 1370 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ddb6u180n16rrb37bosa1 | - | ![]() | 6622 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Módulo | Ddb6u180 | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT008N06NM5LFATMA1 | 6.5600 | ![]() | 9377 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPT008N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 454a (TC) | 10V | 0.8mohm @ 150a, 10V | 3.6V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 980 pf @ 30 V | - | 278W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
IKN06N60RC2ATMA1 | 0.9500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Ikn06n | Estándar | 7.2 W | PG-SOT223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IKN06N60RC2ATMA1DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 6a, 49ohm, 15V | 42 ns | - | 600 V | 8 A | 18 A | 2.3V @ 15V, 6a | 151 µJ (Encendido), 104 µJ (apaguado) | 31 NC | 8.8ns/174ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R310CFDAATMA1 | 3.4900 | ![]() | 992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R310 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 11.4a (TC) | 10V | 310mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 440 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 pf @ 100 V | - | 104.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS205NL6327HTSA1 | - | ![]() | 4235 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 50mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.2V @ 11 µA | 3.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 419 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IGW30N100TFKSA1 | - | ![]() | 8657 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 412 W | PG-TO247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 600V, 30a, 16ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 1000 V | 60 A | 90 A | 1.9V @ 15V, 30a | 3.8mj | 217 NC | 33ns/535ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF 5030R E6327 | - | ![]() | 3326 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | Sot-143r | BF 5030 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT-143R-3D | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 25 Ma | 10 Ma | - | 24db | 1.3db | 3 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC60R380E6X7SA1 | - | ![]() | 8232 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IPC60R | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001418066 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF225R65T3E3P6BPMA1 | 1.0000 | ![]() | 3831 | 0.00000000 | Infineon Technologies | XHP ™ 3 | Banda | Activo | 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF225R65 | 1000 W | Estándar | AG-XHP3K65 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 5900 V | 225 A | 3.4V @ 15V, 225a | 5 Ma | No | 65.6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW60R180P7XKSA1 | 4.2900 | ![]() | 6280 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW60R180 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 5.6a, 10v | 4V @ 280 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1081 pf @ 400 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R190C6ATMA1 | - | ![]() | 4026 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 20.2a (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10v | 3.5V @ 730 µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 1620 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR158E6327HTSA1 | 0.0743 | ![]() | 4974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR158 | 200 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB02N60C3 | 0.5100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 3.9V @ 80 µA | 12.5 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bfp420h643333xtma1 | 0.6900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP420 | 160MW | PG-SOT343-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 21db | 5V | 35mA | NPN | 60 @ 20MA, 4V | 25 GHz | 1.1DB @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Spp20n60cfdxksa1 | 3.9983 | ![]() | 3126 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp20n60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 20.7a (TC) | 10V | 220mohm @ 13.1a, 10V | 5V @ 1MA | 124 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | 134.6156 | ![]() | 7569 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | 18 | 2 Canal | 1200V | 200a (TJ) | 5.63mohm @ 200a, 15V | 5.55V @ 80MA | 496nc @ 15V | 14700pf @ 800V | CARBURO DE SILICIO (SIC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPBE65R099CFD7AATMA1 | 7.9300 | ![]() | 2818 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ CFD7A | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | IPBE65 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 99mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 630 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2513 pf @ 400 V | - | 127W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX5416E6327 | - | ![]() | 2516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2 W | PG-SOT89-4-2 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 332 | 45 V | 1 A | 100NA (ICBO) | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB027N10N5ATMA1 | 6.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB027 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 6V, 10V | 2.7mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 184 µA | 139 NC @ 10 V | ± 20V | 10300 pf @ 50 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR129E6327HTSA1 | 0.0495 | ![]() | 9791 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR129 | 200 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ050N03MSGATMA1 | 0.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSZ050 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 15A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 3600 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | 198.0200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F3L11MR12 | 20 MW | Estándar | Ag-Easy2b-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de Tres Niveles | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 100 A | 1.5V @ 15V, 100A | 9 µA | Si | 21.7 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 148T E6327 | - | ![]() | 2144 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 148 | 250 MW | PG-SC-75 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 70 Ma | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 100 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP22N03S4L15AKSA1 | - | ![]() | 4293 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP22N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 22a, 10v | 2.2V @ 10 µA | 14 NC @ 10 V | ± 16V | 980 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N06S207ATMA1 | - | ![]() | 7895 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 10V | 6.3mohm @ 68a, 10v | 4V @ 180 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirlr120n | - | ![]() | 3129 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001521880 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 4V, 10V | 185mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 16V | 440 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUT260N10S5N019ATMA1 | 6.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IAUT260 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 260a (TC) | 6V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 210 µA | 166 NC @ 10 V | ± 20V | 11830 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R125CPATMA1 | 7.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CP | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R125 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 16A, 10V | 3.5V @ 1.1MA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 100 V | - | 208W (TC) |
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