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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
FP25R12W1T7B11BPSA1	59.9800	RFQ	30	Infineon Technologies	EasyPim ™	Banda	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FP25R12		20 MW	Rectificador de Puente Trifásico	Ag-Easy1b-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	24	Inversor trifásico												Parada de Campo de Trinchera	1200 V	25 A	1.6V @ 15V, 25A (typ)	5.6 µA	Si	4.77 NF @ 25 V
IPC300N20N3X7SA1	-	RFQ	7433	Infineon Technologies	Optimos ™ 3	Una granela	Obsoleto	-	Montaje en superficie	Morir	IPC300N	Mosfet (Óxido de metal)			Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001155558	EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	200 V	-	10V	100mohm @ 2a, 10v	4V @ 270 µA		-		-	-
IPD78CN10NGATMA1	0.8800	RFQ	16	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD78CN10	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	100 V	13a (TC)	10V	78mohm @ 13a, 10v	4V @ 12 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	716 pf @ 50 V	-	31W (TC)
IRF8707PBF	-	RFQ	3234	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001560112	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal	30 V	11a (TA)	4.5V, 10V	11.9mohm @ 11a, 10v	2.35V @ 25 µA	9.3 NC @ 4.5 V	± 20V	760 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IPW60R075CPXK	-	RFQ	9797	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-41	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal	600 V	39A (TC)	10V	75mohm @ 26a, 10v	3.5V @ 1.7MA	116 NC @ 10 V	± 20V	4000 pf @ 100 V	-	313W (TC)
IPI90R1K2C3XKSA1	-	RFQ	8175	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI90R	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	900 V	5.1a (TC)	10V	1.2ohm @ 2.8a, 10v	3.5V @ 310 µA	28 NC @ 10 V	± 20V	710 pf @ 100 V	-	83W (TC)
IRF6720S2TRPBF	-	RFQ	2668	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico S1		Mosfet (Óxido de metal)			DirectFet ™ Isométrico S1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal	30 V	11a (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 11a, 10v	2.35V @ 25 µA	12 NC @ 4.5 V	± 20V	1140 pf @ 15 V	-	1.7W (TA), 17W (TC)
BSS139L6906HTSA1	-	RFQ	3797	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	250 V	100 mA (TA)	0V, 10V	14ohm @ 0.1ma, 10V	1V @ 56 µA	3.5 NC @ 5 V	± 20V	76 pf @ 25 V	MODO DE AGOTAMENTO	360MW (TA)
IPD122N10N3GBTMA1	-	RFQ	2648	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD122N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	100 V	59A (TC)	6V, 10V	12.2mohm @ 46a, 10v	3.5V @ 46 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 50 V	-	94W (TC)
Auirl3705z	-	RFQ	2305	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001519682	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	55 V	75A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 52a, 10v	3V @ 250 µA	60 NC @ 5 V	± 16V	2880 pf @ 25 V	-	130W (TC)
IPB160N04S2L03ATMA1	-	RFQ	5621	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	IPB160N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-7-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	40 V	160A (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	230 NC @ 5 V	± 20V	6000 pf @ 15 V	-	300W (TC)
IRFHM9331TR2PBF	-	RFQ	3299	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-Powertdfn		Mosfet (Óxido de metal)			PQFN (3x3)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		Canal P	30 V	11a (TA), 24a (TC)		10mohm @ 11a, 20V	2.4V @ 25 µA	48 NC @ 10 V		1543 pf @ 25 V	-
IPB042N03LGATMA1	-	RFQ	5188	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB042N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	30 V	70A (TC)	4.5V, 10V	4.2mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	3900 pf @ 15 V	-	79W (TC)
IRFH5006TR2PBF	-	RFQ	5406	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-Powertdfn		Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal	60 V	21a (TA), 100a (TC)		4.1mohm @ 50A, 10V	4V @ 150 µA	100 NC @ 10 V		4175 pf @ 30 V	-
Auirfu4292	-	RFQ	3161	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		Mosfet (Óxido de metal)			I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001519718	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	250 V	9.3a (TC)	10V	345mohm @ 5.6a, 10v	5V @ 50 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	705 pf @ 25 V	-	100W (TC)
FF1200R17KE3NOSA1	1.0000	RFQ	6992	Infineon Technologies	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF1200		595000 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2	Piquero												-	1700 V		2.45V @ 15V, 1200A	5 Ma	No	110 NF @ 25 V
IRFS4020TRLPBF	2.0700	RFQ	4731	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS4020	Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	200 V	18a (TC)	10V	105mohm @ 11a, 10v	4.9V @ 100 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 50 V	-	100W (TC)
IMW65R072M1HXKSA1	12.1700	RFQ	160	Infineon Technologies	CoolSic ™ M1	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IMW65R072	Sicfet (CARBURO DE SILICIO)			PG-TO247-3-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal	650 V	26a (TC)	18V	94mohm @ 13.3a, 18V	5.7V @ 4MA	22 NC @ 18 V	+23V, -5V	744 pf @ 400 V	-	96W (TC)
BSC110N06NS3GATMA1	1.0500	RFQ	7	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC110	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal	60 V	50A (TC)	10V	11mohm @ 50a, 10v	4V @ 23 µA	33 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 30 V	-	2.5W (TA), 50W (TC)
IRF6646TRPBF	2.9700	RFQ	7	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MN	IRF6646	Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mn	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal	80 V	12A (TA), 68A (TC)	10V	9.5mohm @ 12a, 10v	4.9V @ 150 µA	50 NC @ 10 V	± 20V	2060 pf @ 25 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IRLR8103TR	-	RFQ	2710	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	30 V	89A (TA)	4.5V, 10V	7mohm @ 15a, 10v	2V @ 250 µA (min)	50 NC @ 5 V	± 20V		-	89W (TC)
Bsc0901nsatma1	1.3100	RFQ	32	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC0901	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal	30 V	28a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 69W (TC)
BSZ086P03NS3EGATMA1	0.9700	RFQ	19	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ086	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		Canal P	30 V	13.5A (TA), 40A (TC)	6V, 10V	8.6mohm @ 20a, 10v	3.1V @ 105 µA	57.5 NC @ 10 V	± 25V	4785 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 69W (TC)
Bsc024ne2lsatma1	1.1600	RFQ	11	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC024	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal	25 V	25A (TA), 110A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 30a, 10V	2V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 12 V	-	2.5W (TA), 48W (TC)
IRFB4310GPBF	-	RFQ	3919	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001564018	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	100 V	130A (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	250 nc @ 10 V	± 20V	7670 pf @ 50 V	-	300W (TC)
Auirf4905xkma1	-	RFQ	4467	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto				Auirf4905					-					Obsoleto		1
IPB016N08NF2SATMA1	4.3600	RFQ	393	Infineon Technologies	StrongIrfet ™ 2	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB016N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	448-IPB016N08NF2SATMA1CT	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	80 V	170A (TC)	6V, 10V	1.65mohm @ 100a, 10V	3.8V @ 267 µA	255 nc @ 10 V	± 20V	12000 pf @ 40 V	-	300W (TC)
IPP086N10N3	-	RFQ	9596	Infineon Technologies	Optimos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	100 V	80a (TC)	6V, 10V	8.6mohm @ 73a, 10v	3.5V @ 75 µA	55 NC @ 10 V	± 20V	3980 pf @ 50 V	-	125W (TC)
IPD06P005NATMA1	-	RFQ	7630	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD06P	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001727872	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	60 V	6.5a (TC)	10V	250mohm @ 6.5a, 10V	4V @ 270 µA	10.6 NC @ 10 V	± 20V	420 pf @ 30 V	-	28W (TC)
IRF7805A	-	RFQ	6820	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7805A	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal	30 V	13a (TA)	4.5V	11mohm @ 7a, 4.5V	3V @ 250 µA	31 NC @ 5 V	± 12V		-	2.5W (TA)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²