SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BSF030NE2LQXUMA1 Infineon Technologies BSF030NE2LQXUMA1 -
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Wdson BSF030 Mosfet (Óxido de metal) MG-WDSON-2, Canpak M ™ descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 24a (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 12 V - 2.2W (TA), 28W (TC)
FF150R17KE4HOSA1 Infineon Technologies FF150R17KE4HOSA1 168.7000
RFQ
ECAD 7032 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF150R17 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1700 V 150 A 2.3V @ 15V, 150a 1 MA No 12 NF @ 25 V
IPP014N08NM6AKSA1 Infineon Technologies IPP014N08NM6AKSA1 3.6906
RFQ
ECAD 9223 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 50
BC846SH6327XTSA1 Infineon Technologies BC846SH6327XTSA1 0.4000
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846S 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRFHM830DTRPBF Infineon Technologies IRFHM830DTRPBF -
RFQ
ECAD 5874 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 vqfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (3x3) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001554840 EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 20A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 50 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1797 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 37W (TC)
AUXTMGPS4070D1 Infineon Technologies Auxtmgps4070d1 -
RFQ
ECAD 3650 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Autxmgps - - Alcanzar sin afectado 448-AUXTMGPS4070D1 EAR99 8541.29.0095 1 - - - - -
IRL5602STRLPBF Infineon Technologies IRL5602STRLPBF -
RFQ
ECAD 7219 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001573916 EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 20 V 24a (TC) 2.5V, 4.5V 42mohm @ 12a, 4.5V 1V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 8V 1460 pf @ 15 V - 75W (TC)
FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies FF600R12KE4BOSA1 313.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF600R12 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 600 A 2.2V @ 15V, 600A 5 Ma No 38 NF @ 25 V
PTF140451E V1 Infineon Technologies PTF140451E V1 -
RFQ
ECAD 3738 0.00000000 Infineon Technologies Goldmos® Banda Descontinuado en sic 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Fin Lidera 1.5 GHz Ldmos H-30265-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 1 µA 550 Ma 45W 18dB - 28 V
IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies IPB180N03S4LH0ATMA1 -
RFQ
ECAD 3335 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB180 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 180A (TC) 4.5V, 10V 0.95mohm @ 100a, 10V 2.2V @ 200 µA 300 NC @ 10 V ± 16V 23000 pf @ 25 V - 250W (TC)
FS770R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies FS770R08A6P2LBBPSA1 511.1183
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 Infineon Technologies Hybridpack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS770R08 654 W Estándar Ag-Hybridd-1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 750 V 450 A 1.35V @ 15V, 450a 1 MA Si 80 nf @ 50 V
IRL40S212 Infineon Technologies IRL40S212 -
RFQ
ECAD 5000 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL40 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 195a (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10v 2.4V @ 150 µA 137 NC @ 4.5 V ± 20V 8320 pf @ 25 V - 231W (TC)
IRFR1018EPBF Infineon Technologies IRFR1018EPBF -
RFQ
ECAD 9968 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 56a (TC) 10V 8.4mohm @ 47a, 10v 4V @ 100 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2290 pf @ 50 V - 110W (TC)
BSO4804T Infineon Technologies BSO4804T -
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO4804 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 8A 20mohm @ 8a, 10v 2V @ 30 µA 17NC @ 5V 870pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRF7811AVTRPBF Infineon Technologies IRF7811AVTRPBF -
RFQ
ECAD 3350 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 10.8a (TA) 4.5V 14mohm @ 15a, 4.5V 3V @ 250 µA 26 NC @ 5 V ± 20V 1801 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IPI023NE7N3 G Infineon Technologies IPI023NE7N3 G -
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI023N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 75 V 120a (TC) 2.3mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 273 µA 206 NC @ 10 V 14400 pf @ 37.5 V - 300W (TC)
BSO080P03SNTMA1 Infineon Technologies BSO080P03SNTMA1 -
RFQ
ECAD 1978 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 12.6a (TA) 10V 8mohm @ 14.9a, 10v 2.2V @ 250 µA 136 NC @ 10 V ± 25V 5890 pf @ 25 V - 1.79W (TA)
IPS70R950CEAKMA1 Infineon Technologies IPS70R950Ceakma1 -
RFQ
ECAD 3021 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak IPS70R950 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 7.4a (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 150 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 328 pf @ 100 V - 68W (TC)
AUIRFR6215TRL Infineon Technologies Auirfr6215trl 3.0000
RFQ
ECAD 1119 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr6215 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 150 V 13a (TC) 10V 295mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRL6283MTRPBF Infineon Technologies IRL6283MTRPBF -
RFQ
ECAD 1383 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MD Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ md descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 20 V 38a (TA), 211a (TC) 2.5V, 4.5V 0.75mohm @ 50A, 10V 1.1V @ 100 µA 158 NC @ 4.5 V ± 12V 8292 pf @ 10 V - 2.1W (TA), 63W (TC)
SPI07N65C3HKSA1 Infineon Technologies Spi07n65c3hksa1 -
RFQ
ECAD 6873 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
IRF9Z34NSPBF Infineon Technologies IRF9Z34NSPBF -
RFQ
ECAD 9049 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 19a (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 68W (TC)
IPD60R520CPBTMA1 Infineon Technologies IPD60R520CPBTMA1 -
RFQ
ECAD 7684 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 6.8a (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 630 pf @ 100 V - 66W (TC)
IPP048N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP048N12N3GXKSA1 4.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP048 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 120 V 100A (TC) 10V 4.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 230 µA 182 NC @ 10 V ± 20V 12000 pf @ 60 V - 300W (TC)
IPW65R150CFDFKSA2 Infineon Technologies IPW65R150CFDFKSA2 5.2300
RFQ
ECAD 2547 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R150 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 650 V 22.4a (TC) 10V 150mohm @ 9.3a, 10v 4.5V @ 900 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 2340 pf @ 100 V - 195.3W (TC)
AUIRFN7110TR Infineon Technologies Auirfn7110tr -
RFQ
ECAD 6737 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Auirfn7110 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 58a (TC) 10V 14.5mohm @ 35a, 10v 4V @ 100 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 3050 pf @ 25 V - 4.3W (TA), 125W (TC)
IRF7809AV Infineon Technologies Irf7809av -
RFQ
ECAD 6530 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf7809av EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 13.3a (TA) 4.5V 9mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 62 NC @ 5 V ± 12V 3780 pf @ 16 V - 2.5W (TA)
IPI100N06S3L-03 Infineon Technologies IPI100N06S3L-03 -
RFQ
ECAD 8595 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 100A (TC) 5V, 10V 3mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 230 µA 550 NC @ 10 V ± 16V 26240 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPB80N08S406ATMA1 Infineon Technologies IPB80N08S406ATMA1 -
RFQ
ECAD 7077 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 80a (TC) 10V 5.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 90 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 25 V - 150W (TC)
IPD14N06S280ATMA1 Infineon Technologies IPD14N06S280ATMA1 -
RFQ
ECAD 6172 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD14N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 80mohm @ 7a, 10v 4V @ 14 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 293 pf @ 25 V - 47W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock