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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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BSF030NE2LQXUMA1 | - | ![]() | 2768 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Wdson | BSF030 | Mosfet (Óxido de metal) | MG-WDSON-2, Canpak M ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 24a (TA), 75A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 12 V | - | 2.2W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF150R17KE4HOSA1 | 168.7000 | ![]() | 7032 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF150R17 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 150 A | 2.3V @ 15V, 150a | 1 MA | No | 12 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP014N08NM6AKSA1 | 3.6906 | ![]() | 9223 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846SH6327XTSA1 | 0.4000 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846S | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFHM830DTRPBF | - | ![]() | 5874 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 vqfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001554840 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 20A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 20a, 10v | 2.35V @ 50 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1797 pf @ 25 V | - | 2.8W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auxtmgps4070d1 | - | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Autxmgps | - | - | Alcanzar sin afectado | 448-AUXTMGPS4070D1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL5602STRLPBF | - | ![]() | 7219 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001573916 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 20 V | 24a (TC) | 2.5V, 4.5V | 42mohm @ 12a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 44 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1460 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
FF600R12KE4BOSA1 | 313.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF600R12 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 600 A | 2.2V @ 15V, 600A | 5 Ma | No | 38 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTF140451E V1 | - | ![]() | 3738 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Goldmos® | Banda | Descontinuado en sic | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Fin Lidera | 1.5 GHz | Ldmos | H-30265-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 1 µA | 550 Ma | 45W | 18dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB180N03S4LH0ATMA1 | - | ![]() | 3335 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB180 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 0.95mohm @ 100a, 10V | 2.2V @ 200 µA | 300 NC @ 10 V | ± 16V | 23000 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS770R08A6P2LBBPSA1 | 511.1183 | ![]() | 2751 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hybridpack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS770R08 | 654 W | Estándar | Ag-Hybridd-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 750 V | 450 A | 1.35V @ 15V, 450a | 1 MA | Si | 80 nf @ 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL40S212 | - | ![]() | 5000 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL40 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10v | 2.4V @ 150 µA | 137 NC @ 4.5 V | ± 20V | 8320 pf @ 25 V | - | 231W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR1018EPBF | - | ![]() | 9968 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 56a (TC) | 10V | 8.4mohm @ 47a, 10v | 4V @ 100 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2290 pf @ 50 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO4804T | - | ![]() | 9227 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO4804 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | PG-dso-8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 20mohm @ 8a, 10v | 2V @ 30 µA | 17NC @ 5V | 870pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7811AVTRPBF | - | ![]() | 3350 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 10.8a (TA) | 4.5V | 14mohm @ 15a, 4.5V | 3V @ 250 µA | 26 NC @ 5 V | ± 20V | 1801 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
IPI023NE7N3 G | - | ![]() | 2803 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI023N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 273 µA | 206 NC @ 10 V | 14400 pf @ 37.5 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO080P03SNTMA1 | - | ![]() | 1978 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 12.6a (TA) | 10V | 8mohm @ 14.9a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 136 NC @ 10 V | ± 25V | 5890 pf @ 25 V | - | 1.79W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS70R950Ceakma1 | - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | IPS70R950 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 V | 7.4a (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 150 µA | 15.3 NC @ 10 V | ± 20V | 328 pf @ 100 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirfr6215trl | 3.0000 | ![]() | 1119 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirfr6215 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL6283MTRPBF | - | ![]() | 1383 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico MD | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ md | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 V | 38a (TA), 211a (TC) | 2.5V, 4.5V | 0.75mohm @ 50A, 10V | 1.1V @ 100 µA | 158 NC @ 4.5 V | ± 12V | 8292 pf @ 10 V | - | 2.1W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Spi07n65c3hksa1 | - | ![]() | 6873 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Spi07n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9Z34NSPBF | - | ![]() | 9049 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 55 V | 19a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R520CPBTMA1 | - | ![]() | 7684 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CP | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 6.8a (TC) | 10V | 520mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 630 pf @ 100 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP048N12N3GXKSA1 | 4.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP048 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 120 V | 100A (TC) | 10V | 4.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 230 µA | 182 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 60 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW65R150CFDFKSA2 | 5.2300 | ![]() | 2547 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R150 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 650 V | 22.4a (TC) | 10V | 150mohm @ 9.3a, 10v | 4.5V @ 900 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 100 V | - | 195.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirfn7110tr | - | ![]() | 6737 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Auirfn7110 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 58a (TC) | 10V | 14.5mohm @ 35a, 10v | 4V @ 100 µA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 3050 pf @ 25 V | - | 4.3W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf7809av | - | ![]() | 6530 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf7809av | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 13.3a (TA) | 4.5V | 9mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 62 NC @ 5 V | ± 12V | 3780 pf @ 16 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
IPI100N06S3L-03 | - | ![]() | 8595 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 100A (TC) | 5V, 10V | 3mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 230 µA | 550 NC @ 10 V | ± 16V | 26240 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N08S406ATMA1 | - | ![]() | 7077 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 80 V | 80a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 90 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD14N06S280ATMA1 | - | ![]() | 6172 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD14N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 10V | 80mohm @ 7a, 10v | 4V @ 14 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 293 pf @ 25 V | - | 47W (TC) |
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