SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR193WH6327XTSA1 0.4300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BFR193 580MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 10.5db ~ 16db 12V 80mera NPN 70 @ 30mA, 8V 8GHz 1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPI120P04P404AKSA1 Infineon Technologies IPI120P04P404AKSA1 -
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI120P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000842274 EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 40 V 120a (TC) 10V 3.8mohm @ 100a, 10v 4V @ 340 µA 205 NC @ 10 V ± 20V 14790 pf @ 25 V - 136W (TC)
BC 807-40W H6327 Infineon Technologies BC 807-40W H6327 -
RFQ
 ECAD 2907 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC 807 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 200MHz
BFP405FH6327XTSA1 Infineon Technologies Bfp405fh6327xtsa1 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 4-smd, planos de cables BFP405 4-TSFP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
IRLL3303 Infineon Technologies Irll3303 -
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irll3303 EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 30 V 4.6a (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 4.6a, 10V 1V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 16V 840 pf @ 25 V - 1W (TA)
BCX56E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX56E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 8954 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX56 2 W PG-SOT89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
F4200R06KL4BOSA1 Infineon Technologies F4200R06KL4BOSA1 -
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo F4200R 695 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Puente completo - 600 V 225 A 2.55V @ 15V, 200a 5 Ma No 9 NF @ 25 V
IPP80P04P407AKSA1 Infineon Technologies IPP80P04P407AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8186 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000842044 EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 40 V 80a (TC) 10V 7.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 150 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 6085 pf @ 25 V - 88W (TC)
BTS240AHKSA1 Infineon Technologies BTS240AHKSA1 12.7300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 218-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO218-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 N-canal 50 V 58a (TC) 10V 18mohm @ 47a, 10v 3.5V @ 1MA ± 20V 4300 pf @ 25 V - 170W
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 94.6200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS3L30 20 MW Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 650 V 30 A 1.9V @ 15V, 30a 1 MA Si 1.65 NF @ 25 V
BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Bsp125h643333xtma1 0.9000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP125 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 V 120MA (TA) 4.5V, 10V 2.3V @ 94 µA 6.6 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
BCR116SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR116SH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR116 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 kohms 47 kohms
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies IKW30N60DTPXKSA1 3.0500
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikw30n60 Estándar 200 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10.5ohm, 15V 76 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 53 A 90 A 1.8v @ 15V, 30a 710 µJ (Encendido), 420 µJ (apaguado) 130 NC 15ns/179ns
PTFB193408SVV1XWSA1 Infineon Technologies PTFB193408SVV1XWSA1 -
RFQ
 ECAD 4327 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Monte del Chasis H-34275G-6/2 1.99 GHz Ldmos H-34275G-6/2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001028956 Obsoleto 0000.00.0000 1 Fuente Común Dual - 2.65 A 80W 19dB - 30 V
IRF7402TRPBF Infineon Technologies IRF7402TRPBF -
RFQ
 ECAD 2329 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 V 6.8a (TA) 2.7V, 4.5V 35mohm @ 4.1a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 22 NC @ 4.5 V ± 12V 650 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IGP40N65H5 Infineon Technologies IGP40N65H5 -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 250 W PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 20a, 15ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 74 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 390 µJ (Encendido), 120 µJ (apagado) 95 NC 22ns/165ns
BCW61DE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW61DE6327HTSA1 0.0529
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 100 mA 20NA (ICBO) PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 380 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF9362TRPBF Infineon Technologies IRF9362TRPBF 0.9500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF9362 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 30V 8A 21mohm @ 8a, 10v 2.4V @ 25 µA 39NC @ 10V 1300pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IPB80N06S4L05ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S4L05ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4621 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 80a (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 60 µA 110 NC @ 10 V ± 16V 8180 pf @ 25 V - 107W (TC)
IRF8910TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF8910TRPBFXTMA1 0.3899
RFQ
 ECAD 3784 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) PG-Dso-8-902 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal 20V 10a (TA) 13.4mohm @ 10a, 10v 2.55V @ 250 µA 11NC @ 4.5V 960pf @ 10V Estándar
FF1800R17IP5BPSA1 Infineon Technologies FF1800R17IP5BPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FF1800 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 300 A 2.15V @ 15V, 300A 5 Ma No 21 NF @ 25 V
IRF7322D1TRPBF Infineon Technologies IRF7322D1TRPBF -
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 5.3a (TA) 2.7V, 4.5V 62mohm @ 2.9a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 29 NC @ 4.5 V ± 12V 780 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 2W (TA)
IPP80R900P7 Infineon Technologies IPP80R900P7 -
RFQ
 ECAD 2125 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
BFP 740F E6327 Infineon Technologies BFP 740F E6327 -
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables BFP 740 160MW 4-TSFP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 27.5db 4.7V 30mera NPN 160 @ 25mA, 3V 42 GHz 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IPD50R800CE Infineon Technologies IPD50R800CE 1.0000
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-344 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 7.6a (TC) 13V 800mohm @ 1.5a, 13V 3.5V @ 130 µA 12.4 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 100 V - 60W (TC)
IRFP3077PBF Infineon Technologies IRFP3077PBF 6.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP3077 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 3.3mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 220 NC @ 10 V ± 20V 9400 pf @ 50 V - 340W (TC)
FP50R06W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies FP50R06W2E3B11BOMA1 62.6193
RFQ
 ECAD 7960 0.00000000 Infineon Technologies EasyPim ™ 2B Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FP50R06 175 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 600 V 65 A 1.9V @ 15V, 50A 1 MA Si 3.1 NF @ 25 V
SPD07N60C3T Infineon Technologies SPD07N60C3T -
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD07N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
IRF1010NPBF Infineon Technologies IRF1010NPBF 1.7000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF1010 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 85A (TC) 10V 11mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 3210 pf @ 25 V - 180W (TC)
IPP260N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP260N06N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7463 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP260N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 27a (TC) 10V 26mohm @ 27a, 10v 4V @ 11 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 30 V - 36W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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