SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - PrueBa
IPD096N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPD096N08N3GATMA1 1.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD096 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 73a (TC) 6V, 10V 9.6mohm @ 46a, 10v 3.5V @ 46 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2410 pf @ 40 V - 100W (TC)
SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Spa11n60c3xksa1 3.7000
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa11n60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 3.9V @ 500 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 33W (TC)
IPS060N03LGBKMA1 Infineon Technologies IPS060N03LGBKMA1 -
RFQ
 ECAD 3392 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000252576 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 23 NC @ 10 V 2400 pf @ 15 V - 56W (TC)
IRF7478QTRPBF Infineon Technologies IRF7478QTRPBF -
RFQ
 ECAD 7405 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 7a (TA) 26mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250 µA 31 NC @ 4.5 V 1740 pf @ 25 V -
BSF450NE7NH3XUMA1 Infineon Technologies BSF450NE7NH3XUMA1 1.6800
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Wdson BSF450 Mosfet (Óxido de metal) MG-WDSON-2, Canpak M ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 75 V 5A (TA), 15A (TC) 7V, 10V 45mohm @ 8a, 10v 3.5V @ 8 µA 6 NC @ 10 V ± 20V 390 pf @ 37.5 V - 2.2W (TA), 18W (TC)
IRFH7923TRPBF Infineon Technologies IRFH7923TRPBF -
RFQ
 ECAD 1696 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Pqfn (5x6) muere individual descascar 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 15A (TA), 33A (TC) 8.7mohm @ 15a, 10v 2.35V @ 25 µA 13 NC @ 4.5 V 1095 pf @ 15 V -
BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies BSB165N15NZ3GXUMA1 3.7100
RFQ
 ECAD 4989 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Wdson BSB165 Mosfet (Óxido de metal) MG-WDSON-2, Canpak M ™ descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 150 V 9A (TA), 45A (TC) 8V, 10V 16.5mohm @ 30a, 10v 4V @ 110 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 75 V - 2.8W (TA), 78W (TC)
IRFR4510PBF Infineon Technologies IRFR4510PBF -
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001564880 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 13.9mohm @ 38a, 10v 4V @ 100 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 3031 pf @ 50 V - 143W (TC)
IRLSL3034PBF Infineon Technologies IRLSL3034PBF -
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001558586 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 195a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 195a, 10v 2.5V @ 250 µA 162 NC @ 4.5 V ± 20V 10315 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRL530NPBF Infineon Technologies IRL530NPBF -
RFQ
 ECAD 5313 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL530 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 17a (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10v 2V @ 250 µA 34 NC @ 5 V ± 16V 800 pf @ 25 V - 79W (TC)
IPN50R650CEATMA1 Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1 0.8700
RFQ
 ECAD 9222 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN50R650 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 500 V 9A (TC) 13V 650mohm @ 1.8a, 13V 3.5V @ 150 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 342 pf @ 100 V - 5W (TC)
IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies IPD80P03P4L07ATMA1 1.8200
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD80P03 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 80a, 10v 2V @ 130 µA 80 NC @ 10 V +5V, -16V 5700 pf @ 25 V - 88W (TC)
IPD50R399CPBTMA1 Infineon Technologies IPD50R399CPBTMA1 -
RFQ
 ECAD 5281 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 399mohm @ 4.9a, 10v 3.5V @ 330 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 890 pf @ 100 V - 83W (TC)
SPB35N10 G Infineon Technologies SPB35N10 G -
RFQ
 ECAD 9884 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB35N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 35A (TC) 10V 44mohm @ 26.4a, 10V 4V @ 83 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1570 pf @ 25 V - 150W (TC)
IPP50N12S3L15AKSA1 Infineon Technologies IPP50N12S3L15AKSA1 -
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP50N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 120 V 50A (TC) 4.5V, 10V 15.7mohm @ 50a, 10v 2.4V @ 60 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 4180 pf @ 25 V - 100W (TC)
PTFA212001F1V4XWSA1 Infineon Technologies PTFA212001F1V4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas 2.14 GHz Ldmos H-37260-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000432154 Obsoleto 0000.00.0000 1 - 1.6 A 50W 15.8db - 30 V
AUIRFS3207Z Infineon Technologies Auirfs3207z -
RFQ
 ECAD 9197 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520616 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 4.1mohm @ 75a, 10v 4V @ 150 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6920 pf @ 50 V - 300W (TC)
IPI22N03S4L15AKSA1 Infineon Technologies IPI22N03S4L15AKSA1 -
RFQ
 ECAD 5380 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI22N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 22a (TC) 4.5V, 10V 14.9mohm @ 22a, 10v 2.2V @ 10 µA 14 NC @ 10 V ± 16V 980 pf @ 25 V - 31W (TC)
IRF3710STRRPBF Infineon Technologies IRF3710StrrPBF -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF3710 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 57a (TC) 10V 23mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3130 pf @ 25 V - 200W (TC)
PTFB193408SVV1XWSA1 Infineon Technologies PTFB193408SVV1XWSA1 -
RFQ
 ECAD 4327 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Monte del Chasis H-34275G-6/2 1.99 GHz Ldmos H-34275G-6/2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001028956 Obsoleto 0000.00.0000 1 Fuente Común Dual - 2.65 A 80W 19dB - 30 V
IPSH6N03LB G Infineon Technologies Ipsh6n03lb g -
RFQ
 ECAD 1043 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Ipsh6n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 50A, 10V 2V @ 40 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2800 pf @ 15 V - 83W (TC)
IRF7902TRPBF Infineon Technologies IRF7902TRPBF -
RFQ
 ECAD 5597 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7902 Mosfet (Óxido de metal) 1.4W, 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.4a, 9.7a 22.6mohm @ 6.4a, 10v 2.25V @ 25 µA 6.9nc @ 4.5V 580pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IPS050N03LGBKMA1 Infineon Technologies IPS050N03LGBKMA1 -
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000264170 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 31 NC @ 10 V 3200 pf @ 15 V - 68W (TC)
IRL3715STRRPBF Infineon Technologies IRL3715Strrpbf -
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
IRF6635TRPBF Infineon Technologies IRF6635TRPBF -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 32a, 10v 2.35V @ 250 µA 71 NC @ 4.5 V ± 20V 5970 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPF05N03LA G Infineon Technologies IPF05N03LA G -
RFQ
 ECAD 7982 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPF05N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5.1mohm @ 30a, 10v 2V @ 50 µA 25 NC @ 5 V ± 20V 3110 pf @ 15 V - 94W (TC)
AUIRFR120Z Infineon Technologies Auirfr120z -
RFQ
 ECAD 9248 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 8.7a (TC) 10V 190mohm @ 5.2a, 10v 4V @ 25 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 310 pf @ 25 V - 35W (TC)
IRF7854TRPBF Infineon Technologies IRF7854TRPBF 1.6800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7854 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 80 V 10a (TA) 10V 13.4mohm @ 10a, 10v 4.9V @ 100 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPB50R199CPATMA1 Infineon Technologies IPB50R199CPATMA1 2.0689
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB50R199 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 550 V 17a (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 100 V - 139W (TC)
IRFS4321-7PPBF Infineon Technologies IRFS4321-7PPBF -
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001568032 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 86a (TC) 10V 14.7mohm @ 34a, 10v 5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 4460 pf @ 50 V - 350W (TC)
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