SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies IPD78CN10NGATMA1 0.8800
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD78CN10 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 13a (TC) 10V 78mohm @ 13a, 10v 4V @ 12 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 716 pf @ 50 V - 31W (TC)
IPW60R075CPXK Infineon Technologies IPW60R075CPXK -
RFQ
ECAD 9797 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-41 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 39A (TC) 10V 75mohm @ 26a, 10v 3.5V @ 1.7MA 116 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 100 V - 313W (TC)
IRFS4020TRLPBF Infineon Technologies IRFS4020TRLPBF 2.0700
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFS4020 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 18a (TC) 10V 105mohm @ 11a, 10v 4.9V @ 100 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 50 V - 100W (TC)
IPI90R1K2C3XKSA1 Infineon Technologies IPI90R1K2C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 8175 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI90R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 900 V 5.1a (TC) 10V 1.2ohm @ 2.8a, 10v 3.5V @ 310 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 710 pf @ 100 V - 83W (TC)
BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC110N06NS3GATMA1 1.0500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC110 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 11mohm @ 50a, 10v 4V @ 23 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
FF1200R17KE3NOSA1 Infineon Technologies FF1200R17KE3NOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 6992 0.00000000 Infineon Technologies - Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FF1200 595000 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Piquero - 1700 V 2.45V @ 15V, 1200A 5 Ma No 110 NF @ 25 V
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R072M1HXKSA1 12.1700
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Infineon Technologies CoolSic ™ M1 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IMW65R072 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 26a (TC) 18V 94mohm @ 13.3a, 18V 5.7V @ 4MA 22 NC @ 18 V +23V, -5V 744 pf @ 400 V - 96W (TC)
IPC300N20N3X7SA1 Infineon Technologies IPC300N20N3X7SA1 -
RFQ
ECAD 7433 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir IPC300N Mosfet (Óxido de metal) Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001155558 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V - 10V 100mohm @ 2a, 10v 4V @ 270 µA - - -
IRF6720S2TRPBF Infineon Technologies IRF6720S2TRPBF -
RFQ
ECAD 2668 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico S1 Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ Isométrico S1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 11a (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 11a, 10v 2.35V @ 25 µA 12 NC @ 4.5 V ± 20V 1140 pf @ 15 V - 1.7W (TA), 17W (TC)
IRF8707PBF Infineon Technologies IRF8707PBF -
RFQ
ECAD 3234 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001560112 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 11.9mohm @ 11a, 10v 2.35V @ 25 µA 9.3 NC @ 4.5 V ± 20V 760 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies Bsc024ne2lsatma1 1.1600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC024 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 25A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 12 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
IRFB4310GPBF Infineon Technologies IRFB4310GPBF -
RFQ
ECAD 3919 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001564018 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 130A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 250 nc @ 10 V ± 20V 7670 pf @ 50 V - 300W (TC)
AUIRL3705Z Infineon Technologies Auirl3705z -
RFQ
ECAD 2305 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519682 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 52a, 10v 3V @ 250 µA 60 NC @ 5 V ± 16V 2880 pf @ 25 V - 130W (TC)
IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA1 -
RFQ
ECAD 5621 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB160N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 160A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 5 V ± 20V 6000 pf @ 15 V - 300W (TC)
IPU60R1K0CE Infineon Technologies IPU60R1K0CE 1.0000
RFQ
ECAD 1724 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 6.8a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3.5V @ 130 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 100 V - 61W (TC)
AUIRF3004WL Infineon Technologies Auirf3004wl -
RFQ
ECAD 2789 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie A 262-3 Cables de Ancho Auirf3004 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 de ancho descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001517752 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 240a (TC) 10V 1.4mohm @ 195a, 10v 4V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 20V 9450 pf @ 32 V - 375W (TC)
BSO303PH Infineon Technologies Bso303ph -
RFQ
ECAD 2988 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO303 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 7a (TC) 21mohm @ 8.2a, 10v 2V @ 100 µA 49NC @ 10V 2678pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
SPS04N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPS04N60C3BKMA1 -
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Sps04n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 650 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 50W (TC)
IPDQ60T017S7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T017S7AXTMA1 12.7508
RFQ
ECAD 5104 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IPDQ60T017S7AXTMA1TR 750
IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60R040S7XTMA1 10.1000
RFQ
ECAD 7446 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ S7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IPT60R040 Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 13a (TC) 12V 40mohm @ 13a, 12V 4.5V @ 790 µA 83 NC @ 12 V ± 20V 3127 pf @ 300 V - 245W (TC)
IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies IRFR1018ETRPBF 1.6600
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR1018 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 56a (TC) 10V 8.4mohm @ 47a, 10v 4V @ 100 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2290 pf @ 50 V - 110W (TC)
ISC240P06LMATMA1 Infineon Technologies ISC240P06LMATMA1 2.7800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo ISC240P06 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000
IPA50R380CE Infineon Technologies IPA50R380CE -
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA50R Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 9.9a (TC) 13V 380mohm @ 3.2a, 13V 3.5V @ 260 µA 24.8 NC @ 10 V ± 20V 584 pf @ 100 V - 29.2W (TC)
BSC889N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC889N03MSGATMA1 -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 12A (TA) 44A (TC) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 30a, 10V 2V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
IPC60R600P7X7SA1 Infineon Technologies IPC60R600P7X7SA1 -
RFQ
ECAD 8513 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo IPC60R - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001681344 0000.00.0000 1 -
BFN19E6327HTSA1 Infineon Technologies Bfn19e6327htsa1 -
RFQ
ECAD 2049 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 300 V 200 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 10mA, 10V 100MHz
IPT014N08NM5ATMA1 Infineon Technologies IPT014N08NM5ATMA1 6.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IP5014N Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 37a (TA), 331A (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 150a, 10v 3.8V @ 280 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 14000 pf @ 40 V - 300W (TC)
IPA50R350CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R350CPXKSA1 1.5494
RFQ
ECAD 4098 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA50R350 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 10a (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1020 pf @ 100 V - 32W (TC)
BSM50GX120DN2BOSA1 Infineon Technologies BSM50GX120DN2BOSA1 162.1200
RFQ
ECAD 8104 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre BSM50G - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10
IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1 6.8200
RFQ
ECAD 9520 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ G7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 10-PowerSop IPDD60 Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-10-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.700 N-canal 600 V 23a (TC) 10V 102mohm @ 7.8a, 10v 4V @ 390 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 400 V - 139W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock