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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | IPD78CN10NGATMA1 | 0.8800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD78CN10 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 13a (TC) | 10V | 78mohm @ 13a, 10v | 4V @ 12 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 716 pf @ 50 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IPW60R075CPXK | - | ![]() | 9797 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-41 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 600 V | 39A (TC) | 10V | 75mohm @ 26a, 10v | 3.5V @ 1.7MA | 116 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 100 V | - | 313W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4020TRLPBF | 2.0700 | ![]() | 4731 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS4020 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 105mohm @ 11a, 10v | 4.9V @ 100 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||
IPI90R1K2C3XKSA1 | - | ![]() | 8175 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI90R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 900 V | 5.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.8a, 10v | 3.5V @ 310 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | BSC110N06NS3GATMA1 | 1.0500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC110 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 11mohm @ 50a, 10v | 4V @ 23 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FF1200R17KE3NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 6992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF1200 | 595000 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Piquero | - | 1700 V | 2.45V @ 15V, 1200A | 5 Ma | No | 110 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||
![]() | IMW65R072M1HXKSA1 | 12.1700 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolSic ™ M1 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IMW65R072 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 26a (TC) | 18V | 94mohm @ 13.3a, 18V | 5.7V @ 4MA | 22 NC @ 18 V | +23V, -5V | 744 pf @ 400 V | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IPC300N20N3X7SA1 | - | ![]() | 7433 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 3 | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | IPC300N | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001155558 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 V | - | 10V | 100mohm @ 2a, 10v | 4V @ 270 µA | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | IRF6720S2TRPBF | - | ![]() | 2668 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico S1 | Mosfet (Óxido de metal) | DirectFet ™ Isométrico S1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 V | 11a (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 11a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1140 pf @ 15 V | - | 1.7W (TA), 17W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF8707PBF | - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001560112 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 11.9mohm @ 11a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 9.3 NC @ 4.5 V | ± 20V | 760 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | Bsc024ne2lsatma1 | 1.1600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC024 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 25A (TA), 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 12 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFB4310GPBF | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001564018 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 130A (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 7670 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Auirl3705z | - | ![]() | 2305 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001519682 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 52a, 10v | 3V @ 250 µA | 60 NC @ 5 V | ± 16V | 2880 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IPB160N04S2L03ATMA1 | - | ![]() | 5621 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB160N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 80a, 10v | 2V @ 250 µA | 230 NC @ 5 V | ± 20V | 6000 pf @ 15 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IPU60R1K0CE | 1.0000 | ![]() | 1724 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 6.8a (TC) | 10V | 1ohm @ 1.5a, 10v | 3.5V @ 130 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 100 V | - | 61W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Auirf3004wl | - | ![]() | 2789 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | A 262-3 Cables de Ancho | Auirf3004 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 de ancho | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001517752 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 240a (TC) | 10V | 1.4mohm @ 195a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 9450 pf @ 32 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Bso303ph | - | ![]() | 2988 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO303 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7a (TC) | 21mohm @ 8.2a, 10v | 2V @ 100 µA | 49NC @ 10V | 2678pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||
![]() | SPS04N60C3BKMA1 | - | ![]() | 7002 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Sps04n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-11 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 650 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 3.9V @ 200 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IPDQ60T017S7AXTMA1 | 12.7508 | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IPDQ60T017S7AXTMA1TR | 750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT60R040S7XTMA1 | 10.1000 | ![]() | 7446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ S7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IPT60R040 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 12V | 40mohm @ 13a, 12V | 4.5V @ 790 µA | 83 NC @ 12 V | ± 20V | 3127 pf @ 300 V | - | 245W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFR1018ETRPBF | 1.6600 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1018 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 56a (TC) | 10V | 8.4mohm @ 47a, 10v | 4V @ 100 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2290 pf @ 50 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | ISC240P06LMATMA1 | 2.7800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ISC240P06 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA50R380CE | - | ![]() | 4249 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 9.9a (TC) | 13V | 380mohm @ 3.2a, 13V | 3.5V @ 260 µA | 24.8 NC @ 10 V | ± 20V | 584 pf @ 100 V | - | 29.2W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | BSC889N03MSGATMA1 | - | ![]() | 2905 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 12A (TA) 44A (TC) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IPC60R600P7X7SA1 | - | ![]() | 8513 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | IPC60R | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001681344 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bfn19e6327htsa1 | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1 W | PG-SOT89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 300 V | 200 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 10mA, 10V | 100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | IPT014N08NM5ATMA1 | 6.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IP5014N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 37a (TA), 331A (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 150a, 10v | 3.8V @ 280 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 14000 pf @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IPA50R350CPXKSA1 | 1.5494 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA50R350 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 10a (TC) | 10V | 350mohm @ 5.6a, 10V | 3.5V @ 370 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1020 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | BSM50GX120DN2BOSA1 | 162.1200 | ![]() | 8104 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | La Última Vez Que Compre | BSM50G | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPDD60R102G7XTMA1 | 6.8200 | ![]() | 9520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ G7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 10-PowerSop | IPDD60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-10-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.700 | N-canal | 600 V | 23a (TC) | 10V | 102mohm @ 7.8a, 10v | 4V @ 390 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1320 pf @ 400 V | - | 139W (TC) |
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