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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
ISS55EP06LMXTSA1	0.4000	RFQ	9	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	ISS55EP06			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT23-3-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P						60 V	180MA (TA)	4.5V, 10V	5.5ohm @ 180mA, 10V	2V @ 11 µA	0.59 NC @ 10 V	± 20V	18 pf @ 30 V	-	400MW (TA)
IPS135N03LGAKMA1	-	RFQ	5866	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal						30 V	30A (TC)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	1000 pf @ 15 V	-	31W (TC)
IRFHM8329TRPBF	-	RFQ	9501	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn				Mosfet (Óxido de metal)			PQFN (3x3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						30 V	16a (TA), 57A (TC)	4.5V, 10V	6.1mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 25 µA	26 NC @ 10 V	± 20V	1710 pf @ 10 V	-	2.6W (TA), 33W (TC)
Irfi4905	-	RFQ	5093	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero				Mosfet (Óxido de metal)			Un entero de 220ab-pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal P						55 V	41a (TC)	10V	20mohm @ 22a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	3400 pf @ 25 V	-	63W (TC)
IPA60R600E6	0.8100	RFQ	640	Infineon Technologies	Coolmos e6 ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero				Mosfet (Óxido de metal)			PG-to20-3-111	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal						600 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 2.4a, 10V	3.5V @ 200 µA	20.5 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 100 V	-	28W (TC)
Sgp15n60xksa1	-	RFQ	3718	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Sgp15n	Estándar			139 W		PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500				400V, 15a, 21ohm, 15V															Escrutinio	600 V	31 A	62 A	2.4V @ 15V, 15a	570 µJ	76 NC	32NS/234NS
IGP10N60TATMA1	-	RFQ	4884	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar			110 W		PG-TO20-3-1	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1				400V, 10a, 23ohm, 15V															NPT, Parada de Campo de Trinchegras	600 V	24 A	30 A	2.05V @ 15V, 10a	160 µJ (Encendido), 270 µJ (apaguado)	62 NC	12ns/215ns
IRL6342PBF	-	RFQ	2139	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001558090	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal						30 V	9.9a (TA)	2.5V, 4.5V	14.6mohm @ 9.9a, 4.5V	1.1V @ 10 µA	11 NC @ 4.5 V	± 12V	1025 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IPB09N03LA G	-	RFQ	7350	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB09N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						25 V	50A (TC)	4.5V, 10V	8.9mohm @ 30a, 10v	2V @ 20 µA	13 NC @ 5 V	± 20V	1642 pf @ 15 V	-	63W (TC)
IRFI4019H-117P	-	RFQ	1760	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-5 paquete completo	Irfi4019			Mosfet (Óxido de metal)	18W		Un entero de 220-5 pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	2 Canal N (Dual)							150V	8.7A		95mohm @ 5.2a, 10V	4.9V @ 50 µA	20NC @ 10V		810pf @ 25V	-
IKQB120N75CP2AKSA1	15.8800	RFQ	230	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo												-	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30
SPB80N06S2L-06	-	RFQ	8031	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB80N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						55 V	80a (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 69a, 10v	2V @ 180 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	5050 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IRFR4105TRLPBF	-	RFQ	5675	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR4105			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						55 V	27a (TC)	10V	45mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	68W (TC)
IPD80R750P7ATMA1	1.6600	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD80R750			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						800 V	7a (TC)	10V	750mohm @ 2.7a, 10v	3.5V @ 140 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	460 pf @ 500 V	-	51W (TC)
IPI110N20N3GAKSA1	-	RFQ	6005	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI110			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						200 V	88a (TC)	10V	11mohm @ 88a, 10v	4V @ 270 µA	87 NC @ 10 V	± 20V	7100 pf @ 100 V	-	300W (TC)
Irg7ch75uef-r	-	RFQ	7405	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Morir	Irg7ch	Estándar					Morir	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	SP001548040	Obsoleto	0000.00.0000	1				600V, 100A, 5OHM, 15V															-	1200 V			2V @ 15V, 100A	-	770 NC	120ns/890ns
64-0055pbf	-	RFQ	5296	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero					Mosfet (Óxido de metal)				descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001553580	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						60 V	160A (TC)	10V	4.2mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	4520 pf @ 50 V	-	230W (TC)
BSM75GD120DN2BOSA1	253.7550	RFQ	9649	Infineon Technologies	-	Banda	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	BSM75GD120				520 W	Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor trifásico																		-	1200 V	103 A		3V @ 15V, 75a					1.5 Ma	No	5.1 NF @ 25 V
IPA60R099P6XKSA1	6.8500	RFQ	4147	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R099			Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						600 V	37.9a (TC)	10V	99mohm @ 14.5a, 10v	4.5V @ 1.21MA	70 NC @ 10 V	± 20V	3330 pf @ 100 V	-	34W (TC)
IPP65R190C7	1.0000	RFQ	1826	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal						650 V	13a (TC)	10V	190mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 290 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	1150 pf @ 400 V	-	72W (TC)
FF300R17KE3HOSA1	236.9400	RFQ	3	Infineon Technologies	hacer	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF300R17				1450 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	2 Independientes																		Parada de Campo de Trinchera	1700 V			2.45V @ 15V, 300A					3 MA	No	27 NF @ 25 V
FP75R07N2E4B16BPSA1	127.9073	RFQ	2419	Infineon Technologies	ECONOPIM ™ 2	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo					20 MW	Rectificador de Puente Trifásico	Ag-ECONO2B	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor trifásico																		Parada de Campo de Trinchera	650 V	95 A		1.95V @ 15V, 75a					1 MA	Si	4.6 NF @ 25 V
IPP100P03P3L-04	-	RFQ	7083	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP100P			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000311114	EAR99	8541.29.0095	500		Canal P						30 V	100A (TC)	4.5V, 10V	4.3mohm @ 80a, 10v	2.1V @ 475 µA	200 NC @ 10 V	+5V, -16V	9300 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRLML6402GTRPBF	-	RFQ	3967	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				Mosfet (Óxido de metal)			Micro3 ™/SOT-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P						20 V	3.7a (TA)	2.5V, 4.5V	65mohm @ 3.7a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	12 NC @ 5 V	± 12V	633 pf @ 10 V	-	1.3W (TA)
BSZ120P03NS3GATMA1	0.9000	RFQ	24	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ120			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		Canal P						30 V	11a (TA), 40a (TC)	6V, 10V	12mohm @ 20a, 10v	3.1V @ 73 µA	45 NC @ 10 V	± 25V	3360 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 52W (TC)
IPB35N10S3L26ATMA1	2.1500	RFQ	8105	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB35N10			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						100 V	35A (TC)	4.5V, 10V	26.3mohm @ 35a, 10v	2.4V @ 39 µA	39 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 25 V	-	71W (TC)
Buz30a E3045A	-	RFQ	8900	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						200 V	21a (TC)	10V	130mohm @ 13.5a, 10V	4V @ 1MA		± 20V	1900 pf @ 25 V	-	125W (TC)
IRG6I330U-168P	-	RFQ	9621	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRG6I330U	Estándar			43 W		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001544728	EAR99	8541.29.0095	50				-															-	330 V	28 A		1.55V @ 15V, 28A	-		-
PTFB082817FHV1XWSA1	-	RFQ	9138	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas			821MHz	Ldmos			H-34288-4/2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000891180	Obsoleto	0000.00.0000	35			-		2.15 A	60W	19.3db											-									28 V
IRFH5304TR2PBF	-	RFQ	7285	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			Montaje en superficie	8Powervdfn				Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal						30 V	22a (TA), 79A (TC)		4.5mohm @ 47a, 10v	2.35V @ 50 µA	41 NC @ 10 V		2360 pf @ 10 V	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²